Применение рефлекторов из ITO/Al для повышения эффективности монокристаллических кремниевых фотопреобразователей

Abstract

Показано, что для повышения эффективности работы и технологичности изготовления однопереходных монокристаллических кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии необходимо использовать тыльно-поверхностный рефлектор на основе проводящего прозрачного оксида индия–олова (ITO) толщиной 0.25−2 мкм. Для повышения кпд и снижения чувствительности к углу падения света на фотоприемную поверхность многопереходных фотоэлектрических преобразователей с вертикальными диодными ячейками на основе монокристаллического кремния необходимо создать вдоль вертикальных границ диодных ячеек рефлекторы из ITO/Al с толщиной слоя ITO более 1 мкм. Проведенные экспериментальные исследования многопереходных фотоэлектрических преобразователей с рефлекторами ITO/Al на границах диодных ячеек показали необходимость модернизации используемой технологии формирования слоев ITO для получения теоретически рассчитанной их толщины.

It is shown that to increase the efficiency and to improve manufacturability of one-junction single crystal silicon photovoltaic converters of solar energy it is necessary to use backsurface reflector on the base of conducting transparent indiumtin oxide (ITO) 0.25−2 μm thick. For the efficiency increase and reduction of sensitiveness to angle of light incidence on the photoreceiving surface of multi-junction photovoltaic converters with vertical diode cells on the base of single crystal silicon it is essential to create along the vertical borders of diode cells reflectors from ITO/Al with ITO layer thickness more than 1 μm. The experimental studies fulfilled on the multi-junction photovoltaic converters with ITO/Al reflectors on the borders of the diode cells shown that the technique of ITO layers preparation needed modernization to obtaine ITO layer thickness close to the theoretical value.