Кафедра "Менеджмент"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7475

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mto

Від грудня 2021 року кафедра має назву "Менеджмент", попередня назва – "Менеджмент та оподаткування".

Кафедра "Менеджмент та оподаткування" заснована у 1991 році, добре відомим в Україні організатором науки та освіти, доктором технічних наук, заслуженим діячем науки і техніки України, академіком Леонідом Миколайовичем Івіним та є першою в Україні кафедрою менеджменту.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту економіки, менеджменту і міжнародного бізнесу Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". За понад 30-річний період кафедрою здійснено підготовку і випуск понад 2000 фахівців в області менеджменту.

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 3 доктора економічних наук, 23 кандидата наук: 18 –економічних, 2 – технічних, 1 – фізико-математичних, 1 – педагогічних, 1 – наук з державного управління; 2 співробітника мають звання професора, 18 – доцента. Викладачі кафедри мають практичний міжнародний досвід та володіють англійською мовою, що дає змогу проводити навчання як українською, так і англійською мовами.

Переглянути

Фільтри

2016 - 20193

Налаштування

Автор: search.filters.author.Menshikova, S. I.

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 3 з 3
  • Ескіз
    Публікація
    Size Effects in Transport Properties of PbSe Thin Films
    (IOP Publishing Ltd, 2016) Rogacheva, E. I.; Nashchekina, O. N.; Menshikova, S. I.
  • Ескіз
    Публікація
    Thickness-dependent quantum oscillations of the transport properties in bismuth selenide thin films
    (Elsevier, 2019) Rogacheva, E. I.; Menshikova, S. I.; Sipatov, A. Yu.; Nashchekina, O. N.
    The objects of the present study were thin n-Bi2Se3 films with thicknesses d = 10–100 nm, grown by thermal evaporation of n-Bi2Se3 crystals in vacuum onto heated glass substrates. The room temperature d-dependences of the Seebeck coefficient, the Hall coefficient, and the electrical conductivity of the films exhibited an oscillatory behavior, which we attribute to quantum size effects. Such interpretation of the results is supported by the fact that experimentally determined values of the oscillation period are in quite good agreement with the theoretically calculated ones. We suggest that the large amplitude and undamped character of the oscillations in the studied range of thicknesses are connected with the topologically protected gapless surface states of Bi2Se3. The observed oscillatory character of the d-dependences of the transport coefficients should be taken into account when 2D-structures are applied in nanothermoelectricity and other fields of nanoscience and nanotechnology.
  • Ескіз
    Публікація
    Size Effects in Transport Properties of PbSe Thin Films
    (The Minerals, Metals & Materials Society, 2017) Rogacheva, E. I.; Nashchekina, O. N.; Menshikova, S. I.
    This paper presents an overview and analysis of our earlier obtained experimental results on the dependences of kinetic properties of single PbSe quantum wells and PbSe-based superlattices on the PbSe layer thickness d. The observed oscillatory character of these dependences is attributed to quantum size effects due to electron or hole confinement in quantum wells. Some general regularities and factors that determine the character of these quantum size effects are established. The influence of the oxidation processes and doping on the d-dependences of the transport properties is revealed. A periodic change in the conductivity type related to quantum size oscillations is detected. It is shown that the experimentally determined values of the oscillation period Dd are in good agreement with the results of theoretical calculations based on the model of a rectangular quantum well with infinitely high walls, taking into account the dependence of the Fermi energy eF on d and the availability of subbands below eF. It is established that the Dd value for the superlattices is practically equal to the Dd value observed for the single PbSe thin film.