Кафедра "Промислова і біомедична електроніка"
Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/5397
Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/pbme
Від 2000 року кафедра має назву "Промислова і біомедична електроніка", первісна назва – "Промислова електроніка".
Кафедра "Промислова електроніка" виділилася як самостійна одиниця 9 жовтня 1963 року внаслідок розділу кафедри електрифікації промислових підприємств на дві самостійні. Ведення навчального процесу з дисципліни "Промислова електроніка" раніше було доручено кафедрі електрифікації промислових підприємств, де цю роботу очолив талановитий педагог та дослідник Олег Олексійович Маєвський.
Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту енергетики, електроніки та електромеханіки Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". Усього за шістьдесят років було підготовлено 8 докторів та 65 кандидатів технічних наук.
У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 3 доктора технічних наук, 13 кандидатів технічних наук; 3 співробітника мають звання професора, 11 – доцента.
Переглянути
Результати пошуку
Документ Спосіб перетворення змінної напруги в змінну напругу підвищеної частоти з ослабленням високочастотних гармонік споживаного струму(ДП "Український інститут промислової власності", 2014) Сокол, Євген Іванович; Тимченко, Микола Олександрович; Кривошеєв, Сергій Юрійович; Вержановська, Марія Ростиславівна; Конопльов, Ігор АнатолійовичСпосіб перетворення змінної напруги мережі в підвищену частоту з ослабленням високочастотних гармонік споживаного струму, при якому виділяють напівхвилі контрольованих значень вхідного струму і вхідної напруги перетворювача. Як нормуючі значення визначають амплітуди однополярних напівхвиль, визначають інтервал затримки нормованого вхідного струму відносно нормованої вхідної напруги, а коливальна індуктивно-ємнісна ланка, що формує коригуючу напругу, має змінні параметри на час заряду та розряду в інтервалі затримки. З корегуючої напруги формують трансформовані струми в колі з мережею та в колі з навантаженням.Документ Спосіб ослаблення високочастотних гармонік споживаного струму мережі(ДП "Український інститут інтелектуальної власності", 2016) Сокол, Євген Іванович; Тимченко, Микола Олександрович; Кривошеєв, Сергій Юрійович; Вержановська, Марія Ростиславівна; Конопльов, Ігор АнатолійовичСпосіб ослаблення високочастотних гармонік струму, споживаного від напруги мережі при імпульсному навантаженні, при якому контролюють напругу та струм і використовують ці сигнали для формування сигналу керування корегуючим пристроєм об'єкта керування, а сигнал керування синхронізують з робочими інтервалами напруги мережі. Крім цього, безперервно контролюють співвідношення сигналів: інтегрованого квадрата добутку струму та напруги, що споживаються від мережі, і в яких блокована перша гармоніка, та інтегрованого квадрата добутку сигналів струму та напруги, що споживаються від мережі, це співвідношення сигналів використовують як контрольний сигнал зворотного зв'язку з об'єктом керування.Документ Фотоелектрична станція(НТУ "ХПІ", 2019) Кривошеєв, Сергій Юрійович; Варв'янська, Вікторія Віталіївна; Єресько, Олександр В'ячеславович; Чепелюк, Олександр Олександрович; Давиденко, Олександр ОлександровичРозглянута структура фотоелектричної станції середньої потужності з можливістю передачі енергії в промислову мережу. Запропоновані рішення для спрощення схемотехніки перетворювальної частини сонячної станції, спрямовані на зниження її собівартості. Проведено експериментальні дослідження особливостей функціонування сонячної станції. Розглянуто можливі аварійні режими роботи сонячної станції та надано рекомендації щодо їх усунення. Проведено аналіз експериментальних досліджень і на їх основі запропоновано шляхи підвищення ККД станції.Документ Система електричного живлення(ДП "Український інститут промислової власності", 2014) Сокол, Євген Іванович; Гончаров, Юрій Петрович; Кривошеєв, Сергій Юрійович; Замаруєв, Володимир Васильович; Стисло, Богдан Олександрович; Маляренко, Євген АнатолійовичСистема електричного живлення містить як розподілені об'єкти фотогенератори, що встановлені вздовж лінійних територіальних об'єктів на опорах, напівпровідникові світильники, узгоджуючі напівпровідникові перетворювачі, які розташовані на тих самих опорах, лінію електропередачі, яка приєднує зазначені розподілені об'єкти через оборотний перетворювач до розподільної електромережі змінного струму. Лінія електропередачі використана як лінія постійного струму, розподілені об'єкти розташовані на ізольованих відносно землі опорах і з'єднані послідовно між собою за допомогою відрізків лінії електропередачі. Як загальний оборотний перетворювач використано автономний інвертор.Документ Резонансний напівпровідниковий перетворювач(ДП "Український інститут промислової власності", 2015) Сокол, Євген Іванович; Гончаров, Юрій Петрович; Єресько, Олександр В'ячеславович; Замаруєв, Володимир Васильович; Івахно, Володимир Вікторович; Кривошеєв, Сергій Юрійович; Лобко, Андрій Валерійович; Войтович, Юрій Сергійович; Стисло, Богдан ОлександровичРезонансний напівпровідниковий перетворювач містить як джерело живлення однофазну розподільну мережу синусоїдальної змінної напруги, узгоджуючий трансформатор, послідовний резонансний LC фільтр, силовий напівпровідниковий комутатор з напівпровідниковими ключами знакозмінного струму, вихідний ємнісний фільтр, як навантаження - розподільну мережу постійної напруги 400 В та систему керування. Індуктивність та ємність LC-фільтра вибрані так, щоб індуктивний опір на частоті джерела живлення був більшим порівняно з ємнісним опором на величину 15-25 %, перетворювачем за допомогою фазового керування створена постійна відносна різниця амплітуд 10-20 % проміж приведеною напругою синусоїдальної напруги мережі і напругою на боці змінного струму силового напівпровідникового комутатора, в комутаторі встановлено зворотні тиристори, паралельно вторинній обмотці узгоджуючого трансформатора встановлено додатковий конденсатор, а паралельно конденсатору LC-фільтра приєднаний обмежувач напруги, наприклад варистор.Документ Синтез кестеритних шарів для тонкоплівкових сонячних елементів нової генерації(НТУ "ХПІ", 2014) Сокол, Євген Іванович; Клочко, Наталя Петрівна; Кривошеєв, Сергій Юрійович; Момотенко, Олександра Віталіївна; Любов, Віктор Миколайович; Копач, Володимир Романович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Волкова, Неоніла ДмитрівнаКестерит Cu₂ZnSnS₄ є прямозонним напівпровідником з оптимальною для перетворення сонячної енергії шириною забороненої зони, який містить доступні хімічні елементи і тому визнаний перспективним для масового виробництва тонкоплівкових сонячних елементів. Визначено найбільш сприятливі послідовності і атомні співвідношення компонентів електрохімічно осаджених прекурсорів, досліджено параметри кристалічної структури кестеритів, синтезованих в процесі сульфурізації прекурсорів.Документ Напівпровідникові шари сульфіду олова для тонкоплівкових сонячних елементів(НТУ "ХПІ", 2014) Сокол, Євген Іванович; Клочко, Наталя Петрівна; Кривошеєв, Сергій Юрійович; Момотенко, Олександра Віталіївна; Любов, Віктор Миколайович; Копач, Володимир Романович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Волкова, Неоніла ДмитрівнаПредставлена економічна і придатна для використання в масовому виробництві методика отримання моносульфіду олова з орторомбічною структурою герценбергіта шляхом сульфурізаціі в парах сірки плівок металу, електроосаджених зі стандартного електроліту олов'янування. Синтезований полікристалічний матеріал SnS є електронним напівпровідником з оптимальними для використання в сонячних елементах шириною забороненої зони і коефіцієнтом оптичного поглинання.