Кафедра "Фізика"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7578

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/tef

Кафедра "Фізика" створена у 2016 році шляхом об'єднання кафедри "Загальна та експериментальна фізика" і кафедри "Теоретична та експериментальна фізика", заснованої в 1972 році. .

У 1885 р. для викладання в інституті курсу фізики на посаду ад’юнкт-професора був запрошений магістр фізики приват-доцент Харківського університету Олександр Костянтинович Погорілко. У різні роки на кафедрі працювали видатні вчені-фізики: Пільчиков Н. Д., Латишев Г. Д., Обреїмов І. В., Пінес Б. Я., Ландау Л. Д., Корсунський М. І., Веркин Б. І., Дмитренко І. М., Базакуца В. А., Кулик І. О., Янсон І. К., Басс Ф. Г. Гуревич Ю. Г., Косевич В. М., Кукушкін Л. С. та ін.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора та 16 кандидатів фізико-математичних наук, 2 кандидата технічних наук, 1 кандидат педагогічних наук; 2 співробітника мають звання професора, 12 – доцента.

Переглянути

Фільтри

20233

Налаштування

Автор: search.filters.author.Андреєв, Олександр МиколайовичКлючові слова: search.filters.subject.методичні вказівки

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 3 з 3
  • Ескіз
    Документ
    Методичні вказівки до лабораторної роботи "Визначення показника заломлення товстої скляної пластинки інтерференційним методом" з курсу "Лазерна техніка та технології"
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2023) Андреєв, Олександр Миколайович; Андреєва, Ольга Миколаївна
    Лазерні технології – це фундаментальні елементи сучасної оптичної індустрії, котрі широко застосовуються в різних галузях від медицини до матеріалознавства та є зручним інструментом для розробки точних методів вимірювань. Більшість оптичних технологій засновані на явищі інтерференції світла, яке має як прикладний так і фундаментальний характер. Вивчення явища просторового перерозподілу світлового потоку дозволяє студентам, не тільки осмислити прояв хвильової природи світла, а й на практиці, виконати точні оптичні вимірювання властивостей об'єктів. Варто зазначити, що прецизійні оптичні вимірювання, які широко застосовують в неруйнівному контролі є потужним інструментом в галузі метрології, котрий дозволяє проводити вимірювання з високою точністю, тому поглиблене вивчення інтерференційних явищ є досить актуальною задачею в навчальному процесі для майбутніх спеціалістів. В наведених методичних вказівках розглянуто теоретичний матеріал в якому докладно описано явище інтерференції світлових хвиль в різних оптичних схемах. Наведені в роботі поглиблені роз'яснення усіх отриманих співвідношень дають змогу студентам самостійно засвоїти цей матеріал. Одним з основних елементів запропонованої авторами експериментальної установки є напівпровідниковий лазер, який дає монохроматичне світло з високою когерентністю та сприяє формуванню чіткої інтерференційної картини. Обробка інтерференційної картина за допомогою спеціально створеної комп'ютерної програми дозволяє отримати точні значення параметрів інтерференційних смуг. В роботі для визначення показника заломлення товстої плоскопаралельної скляної пластинки використано графічний метод, який є достатньо наочним.
  • Ескіз
    Документ
    Методичні вказівки до лабораторної роботи "Дослідження інерційних характеристик фотопровідності напівпровідників" з курсу "Фізика"
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2023) Андреєв, Олександр Миколайович; Андреєва, Ольга Миколаївна
    В сучасному світі, де напівпровідникові матеріали відіграють ключову роль у виробництві електроніки та оптоелектроніки, розуміння процесів перенесення заряду стає визначальним для подальшого вдосконалення та розробки нових технологій. Важливим аспектом роботи з напівпровідниковими матеріалами є розуміння процесів рекомбінації носіїв заряду. Зокрема, час життя нерівноважних носіїв заряду, які виникають під дією світла, визначає чутливість та інерційні властивості напівпровідникових фотоприймачів, таких як фоторезистори. Останні знаходять широке застосування в різних пристроях фотоперетворювачів, особливо там, де потрібен широкий діапазон спектральної чутливості та/або значна потужність світлового випромінення. З точки зору фундаментальної науки експериментальне вивчення фотопровідності дозволить студентам інженерних спеціальностей зрозуміти основи зонної теорії та фізичних процесів, які виникають під час взаємодії електромагнітного випромінювання з напівпровідником. На відміну від традиційної лабораторної установки, яка містить осцилограф та пристрій (генератор або модулятор) для створення змінного світлового потоку в роботі пропонується використовувати розроблену авторами сучасну лабораторну установку на базі мікроконтролера, яка поєднується з комп'юте- ром. Це дозволяє не тільки проводити вимірювання в автоматичному та "ручному" режимах, але і досить зручно опрацьовувати результати експерименту за допомогою спеціально розробленого програмного забезпечення. Напочатку представлених методичних вказівок докладно розглянуто основи теорії фотопровідності напівпровідників, що дозволить студентам самостійно опонувати або повторити теорію фізичних процесів, які лежать в основі лабораторної роботи.
  • Ескіз
    Документ
    Методичні вказівки до лабораторної роботи "Вивчення хвильових властивостей електронів в процесах розсіяння на атомах інертних газів"
    (2023) Андреєв, Олександр Миколайович; Андреєва, Ольга Миколаївна
    У навееденій лабораторній роботі вивчаються хвильові властивості електронів під час їх взаємодії з атомами ксенону, для цього експериментально вимірюється вольт-амперна характеристика несамостійного газового розряду. Визначаються енергії електронів, яким відповідають максимум і мінімум розсіяння, а також розраховується глибина та ширина прямокутної потенціальної ями, яка "моделює" атом ксенону.