Кафедра "Фізика"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7578

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/tef

Кафедра "Фізика" створена у 2016 році шляхом об'єднання кафедри "Загальна та експериментальна фізика" і кафедри "Теоретична та експериментальна фізика", заснованої в 1972 році. .

У 1885 р. для викладання в інституті курсу фізики на посаду ад’юнкт-професора був запрошений магістр фізики приват-доцент Харківського університету Олександр Костянтинович Погорілко. У різні роки на кафедрі працювали видатні вчені-фізики: Пільчиков Н. Д., Латишев Г. Д., Обреїмов І. В., Пінес Б. Я., Ландау Л. Д., Корсунський М. І., Веркин Б. І., Дмитренко І. М., Базакуца В. А., Кулик І. О., Янсон І. К., Басс Ф. Г. Гуревич Ю. Г., Косевич В. М., Кукушкін Л. С. та ін.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора та 16 кандидатів фізико-математичних наук, 2 кандидата технічних наук, 1 кандидат педагогічних наук; 2 співробітника мають звання професора, 12 – доцента.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 3 з 3
  • Ескіз
    Документ
    Особенности концентрационных зависимостей теплопроводности в полупроводниковых твердых растворах (PbTe)₁₋ₓ (Bi₂Te₃)ₓ
    (Інститут термоелектрики НАН України, 2014) Рогачева, Елена Ивановна; Водорез, Ольга Станиславовна; Нащекина, Ольга Николаевна; Дресселхаус, М. С.
    Для полупроводниковых твердых растворов (PbTe)₁₋ₓ (Bi₂Te₃)ₓ получены температурные (T = 250-670 К) и концентрационные (x = 0 – 0.07) зависимости общей λ и решеточной λp теплопроводностей. Установлено, что в исследуемом интервале составов зависимости λ(x), λp(x) и β(x) (где β – степенной коэффициент в зависимости λp ~ T-β) имеют немонотонный характер. При общей тенденции к уменьшению с увеличением x все три характеристики – λ, λp и β – обнаруживают максимумы при x = 0.005, 0.015 и x = 0.03. Осциллирующий характер этих зависимостей связывается с изменениями в процессах теплопереноса и механизмах рассеяния фононов при переходе от разбавленных к концентрированным и ассоциированным твердым растворам, с переходами, связанными с процессами пространственного упорядочения. На основе экспериментальных данных и на основе теоретических расчетов с использованием теории Клеменса произведена оценка эффективного сечения рассеяния фононов σs примесными атомами. Среднее значение σs в пределах области гомогенности PbTe (x = 0-0.05), определенное экспериментально, совпадает с теоретически рассчитанным значением. Однако в области разбавленных твердых растворов (x < 0.005), значение σs значительно превышает среднее значение σs. Показано, что длительное старение уменьшает λ на ~ 15 %.
  • Ескіз
    Документ
    Електронні фазові переходи і структурна нестабільність у твердих розчинах Bi₁₋ₓSbₓ
    (Букрек, 2013) Рогачова, Олена Іванівна; Дорошенко, Ганна Миколаївна; Пінегін, В. І.; Дресселхаус, М. С.
    Проведено рентгенографічне дослідження сплавів Bi1-xSbx в інтервалі концентрацій х = 0 – 0.1. Встановлено, що зі збільшенням концентрації Sb до x ~ 0.02 параметри елементарної комірки (a, c) лінійно зменшуються, а ширина дифракційної лінії збільшується. В інтервалі концентрацій x = 0.025 – 0.1 графіки a(x) і c(x) помітно відрізняються від лінійного закону Вегарда, а максимальні відхилення відповідають складам, за яких наявний перехід у безщілинний стан та інверсія енергетичних зон (x = 0.03 – 0.035) і перехід напівметал-напівпровідник (x = 0.06 – 0.07). У зазначених інтервалах концентрацій, а також в інтервалі х = 0.005 – 0.01, спостерігається зменшення ширини дифракційної лінії. Припускається, що структурна нестабільність, яка відбувається у цих особливих діапазонах концентрації твердих розчинів Bi1-xSbx, пов'язана зі змінами в спектрі електронів за перколяційному переході, переході в безщілинний стан та інверсії зон, і при переході напівметал-напівпровідник.
  • Ескіз
    Документ
    Размерные эффекты в тонких пленках PbSe
    (Институт термоэлектричества Национальной академии наук, 2012) Рогачева, Елена Ивановна; Нащекина, Ольга Николаевна; Ольховская, Светлана Ивановна; Дресселхаус, М. С.
    Объекты исследования – тонкие пленки PbSe толщинами d = 5.5 – 410 нм, выращенные методом термического испарения в вакууме стехиометрических кристаллов p-PbSe на подложках KCl и покрытые слоем EuSe. Получены толщинные зависимости коэффициента Зеебека, коэффициента Холла, электропроводности, подвижности носителей заряда и термоэлектрической мощности при комнатной температуре. Наблюдается инверсия знака проводимости с p на n при увеличении толщины пленки до ~ 20 нм. На d-зависимостях транспортных свойств можно выделить монотонную и осциллирующую составляющие, наличие которых связывается с проявлением классического и квантового размерных эффектов, соответственно. Определены периоды осцилляций Δd для электронного и дырочного газов. Теоретический расчет Δd в предположении размерного квантования электронного и дырочного спектров и оценка монотонной компоненты электропроводности с использованием теории Фукса-Зондхеймера находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными.