Кафедра "Фізика"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7578

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/tef

Кафедра "Фізика" створена у 2016 році шляхом об'єднання кафедри "Загальна та експериментальна фізика" і кафедри "Теоретична та експериментальна фізика", заснованої в 1972 році. .

У 1885 р. для викладання в інституті курсу фізики на посаду ад’юнкт-професора був запрошений магістр фізики приват-доцент Харківського університету Олександр Костянтинович Погорілко. У різні роки на кафедрі працювали видатні вчені-фізики: Пільчиков Н. Д., Латишев Г. Д., Обреїмов І. В., Пінес Б. Я., Ландау Л. Д., Корсунський М. І., Веркин Б. І., Дмитренко І. М., Базакуца В. А., Кулик І. О., Янсон І. К., Басс Ф. Г. Гуревич Ю. Г., Косевич В. М., Кукушкін Л. С. та ін.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора та 16 кандидатів фізико-математичних наук, 2 кандидата технічних наук, 1 кандидат педагогічних наук; 2 співробітника мають звання професора, 12 – доцента.

Переглянути

Фільтри

1999 - 199912010 - 20142

Налаштування

Автор: search.filters.author.Нащекина, Ольга НиколаевнаМістить файли: Так

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 3 з 3
  • Ескіз
    Документ
    Особенности концентрационных зависимостей теплопроводности в полупроводниковых твердых растворах (PbTe)₁₋ₓ (Bi₂Te₃)ₓ
    (Інститут термоелектрики НАН України, 2014) Рогачева, Елена Ивановна; Водорез, Ольга Станиславовна; Нащекина, Ольга Николаевна; Дресселхаус, М. С.
    Для полупроводниковых твердых растворов (PbTe)₁₋ₓ (Bi₂Te₃)ₓ получены температурные (T = 250-670 К) и концентрационные (x = 0 – 0.07) зависимости общей λ и решеточной λp теплопроводностей. Установлено, что в исследуемом интервале составов зависимости λ(x), λp(x) и β(x) (где β – степенной коэффициент в зависимости λp ~ T-β) имеют немонотонный характер. При общей тенденции к уменьшению с увеличением x все три характеристики – λ, λp и β – обнаруживают максимумы при x = 0.005, 0.015 и x = 0.03. Осциллирующий характер этих зависимостей связывается с изменениями в процессах теплопереноса и механизмах рассеяния фононов при переходе от разбавленных к концентрированным и ассоциированным твердым растворам, с переходами, связанными с процессами пространственного упорядочения. На основе экспериментальных данных и на основе теоретических расчетов с использованием теории Клеменса произведена оценка эффективного сечения рассеяния фононов σs примесными атомами. Среднее значение σs в пределах области гомогенности PbTe (x = 0-0.05), определенное экспериментально, совпадает с теоретически рассчитанным значением. Однако в области разбавленных твердых растворов (x < 0.005), значение σs значительно превышает среднее значение σs. Показано, что длительное старение уменьшает λ на ~ 15 %.
  • Ескіз
    Документ
    Низкотемпературная решеточная нестабильность SnTe
    (Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б. І. Вєркіна, 1999) Нащекина, Ольга Николаевна; Исакина, А. П.; Прохватилов, А. И.; Рогачева, Елена Ивановна; Федоренко, А. И.
    При нагреве в интервале 80–290 К получены температурные зависимости параметра элементарной ячейки a(Е) теллурида олова с различной степенью отклонения от стехиометрии. Для образца стехиометрического состава (50 ат. % Te) на зависимости a(T) в области 90–100 К обнаружена аномалия, по-видимому, соответствующая известному сегнетоэлектрическому фазовому переходу (ФП). При 50,4 ат. % Te в интервалах 135150 К и 200–215 К наблюдаются резко выраженные скачки параметра Δa/a ≈ 0,015), отвечающие отрицательному коэффициенту теплового расширения. При дальнейшем увеличении степени отклонения от стехиометрии (50,8 ат. % Te) указанные эффекты менее выражены. Неустойчивость кристаллической решетки в определенных температурных интервалах связывается с фазовыми переходами в подсистеме собственных дефектов – нестехиометрических вакансий, – обусловленными их перераспределением по катионной подрешетке при изменении температуры и состава. Выясняется роль релаксационных явлений в процессе перестройки дефектной подсистемы кристалла.
  • Ескіз
    Документ
    Размерные эффекты в тонких пленках PbSe
    (Институт термоэлектричества Национальной академии наук, 2012) Рогачева, Елена Ивановна; Нащекина, Ольга Николаевна; Ольховская, Светлана Ивановна; Дресселхаус, М. С.
    Объекты исследования – тонкие пленки PbSe толщинами d = 5.5 – 410 нм, выращенные методом термического испарения в вакууме стехиометрических кристаллов p-PbSe на подложках KCl и покрытые слоем EuSe. Получены толщинные зависимости коэффициента Зеебека, коэффициента Холла, электропроводности, подвижности носителей заряда и термоэлектрической мощности при комнатной температуре. Наблюдается инверсия знака проводимости с p на n при увеличении толщины пленки до ~ 20 нм. На d-зависимостях транспортных свойств можно выделить монотонную и осциллирующую составляющие, наличие которых связывается с проявлением классического и квантового размерных эффектов, соответственно. Определены периоды осцилляций Δd для электронного и дырочного газов. Теоретический расчет Δd в предположении размерного квантования электронного и дырочного спектров и оценка монотонной компоненты электропроводности с использованием теории Фукса-Зондхеймера находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными.