Кафедра "Фізика"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7578

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/tef

Кафедра "Фізика" створена у 2016 році шляхом об'єднання кафедри "Загальна та експериментальна фізика" і кафедри "Теоретична та експериментальна фізика", заснованої в 1972 році. .

У 1885 р. для викладання в інституті курсу фізики на посаду ад’юнкт-професора був запрошений магістр фізики приват-доцент Харківського університету Олександр Костянтинович Погорілко. У різні роки на кафедрі працювали видатні вчені-фізики: Пільчиков Н. Д., Латишев Г. Д., Обреїмов І. В., Пінес Б. Я., Ландау Л. Д., Корсунський М. І., Веркин Б. І., Дмитренко І. М., Базакуца В. А., Кулик І. О., Янсон І. К., Басс Ф. Г. Гуревич Ю. Г., Косевич В. М., Кукушкін Л. С. та ін.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора та 16 кандидатів фізико-математичних наук, 2 кандидата технічних наук, 1 кандидат педагогічних наук; 2 співробітника мають звання професора, 12 – доцента.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 10 з 10

Исследование механизма дефектообразования в полупроводниковых твердых растворах на основе теллурида свинца
(Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, 2009) Водорез, Ольга Станиславовна; Пинегин, Владимир Иванович; Рогачева, Елена Ивановна
Изотермы коэффициента Холла твердых растворов PbTe₁₋ₓSeₓ
(Торговий дім "Комунхоз", 2008) Водорез, Ольга Станиславовна; Месечко, А. О.; Рогачева, Елена Ивановна
Гальваномагнитные и термоэлектрические свойства тонких пленок теллурида свинца, легированного натрием
(Торговий дім "Комунхоз", 2008) Водорез, Ольга Станиславовна; Щуркова, Н. В.; Рогачева, Елена Ивановна
Гальваномагнитные свойства тонких пленок висмута, легированного теллуром
(Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, 2009) Орлова, Дарья Сергеевна; Рогачева, Елена Ивановна
Установлено, что, используя метод термического испарения в вакууме кристаллов висмута, легированного теллуром, на подложки из слюды, можно не только реализовать донорное действие теллура в тонкопленочном состоянии, но и осуществить более глубокое легирование висмута, чем в объемном кристалле. Показано, что подвижность носителей заряда (электронов) в пленках уменьшается по сравнению с объемным кристаллом, что естественно связать как с ростом концентрации электронов, так и с увеличением вклада поверхностного рассеяния в тонкопленочном состоянии. На основе анализа магнитополевых зависимостей коэффициента Холла и магнетосопротивления установлено, что для пленок Bi, легированного Te, и для кристаллов Bi с содержанием 0,5 ат.% Te в интервале значений магнитной индукции 0,1-1,0 Тл магнитное поле можно считать слабым. Полученные результаты могут быть использованы при изготовлении низкоразмерных структур на основе висмута с контролируемой концентрацией электронов.
Влияние прессования на свойства твердых растворов PbTe–PbSe
(Ужгородський національний університет, 2009) Водорез, Ольга Станиславовна; Рогачева, Елена Ивановна
Исследовано влияние прессования на микротвердость, коэффициент Зеебека, электропроводность и подвижность носителей заряда поликристаллов твердых растворов PbTe–PbSe в области концентраций 0-5,0 мол. % PbSe при комнатной температуре. Установлено, что в прессованных образцах возрастает микротвердость, а электропроводность и подвижность носителей заряда снижаются. Отжиг прессованных образцов приводит к смене типа проводимости, снижению микропроводности, росту электропроводности и подвижности носителей заряда. Показано, что концентрационные аномалии свойств в области составов 0,5-2,0 мол. % PbSe, наблюдаемые раннее в литых образцах, и предположительно связанные с переходом к примесному континууму, имеют место в прессованных образцах. Таким образом, подтверждая факт существования концентрационного фазового перехода от слабого легирования к сильному.
Изотермы теплопроводности в твердых растворах PbTe–MnTe
(Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2001) Рогачева, Елена Ивановна; Кривулькин, И. М.
Получены температурные зависимости (в интервале 170-670 K) теплопроводности λ твердых растворов PbTe–MnTe (0-4 mol.% MnTe). На основе этих данных построены изотермы решеточной теплопроводности λl и произведена оценка эффективного сечения рассеяния фононов на примесных атомах Mn. На всех изотермах обнаружен участок аномального роста λl в области концентраций 1.25-2.0 mol.% MnTe, не согласующийся с обычно наблюдаемым снижением λl при увеличении концентрации примеси. Предполагается, что аномальный рост λl начинает проявляться после достижения предела протекания, когда в кристалле образуется непрерывная цепочка перекрывающихся деформационных полей, создаваемых отдельными атомами ("бесконечный кластер"); имеет место частичная компенсация напряжений в кристаллической решетке и рассеяние фононов уменьшается. Высказывается предположение об универсальном характере обнаруженного эффекта. Работа выполнена при финансовой поддержке Фонда гражданских исследований и развития США (CRDF, грант UE2-2069), а также Министерства образования и науки Украины в рамках программы "Новые вещества и материалы".
Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах PbTe–MnTe
(Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, 2002) Рогачева, Елена Ивановна; Кривулькин, И. М.
Исследованы температурные зависимости (80-300 K) электропроводности (σ), коэффициента Холла (Rн) и подвижности носителей заряда (μн) литых и прессованных образцов твердых растворов PbTe–MnTe (0–2.5 мол% MnTe). Для литых образцов μн практически не изменяется в интервале 80-140 K, после чего падает по степенному закону μн=aТ⁻ᵛ. Для прессованных образцов в интервале 100-160 K при повышении температуры наблюдается экспоненциальный рост muH, который объясняется наличием энергетических барьеров высотой ΔEa, создаваемых окисными пленками на межзеренных границах. На зависимостях μн, v и ΔEa от содержания MnTe в области составов 0.75-1.25 мол% обнаружены аномалии, которые связываются с концентрационным фазовым переходом перколяционного типа.
Низкотемпературная решеточная нестабильность SnTe
(Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б. І. Вєркіна, 1999) Нащекина, Ольга Николаевна; Исакина, А. П.; Прохватилов, А. И.; Рогачева, Елена Ивановна; Федоренко, А. И.
При нагреве в интервале 80–290 К получены температурные зависимости параметра элементарной ячейки a(Е) теллурида олова с различной степенью отклонения от стехиометрии. Для образца стехиометрического состава (50 ат. % Te) на зависимости a(T) в области 90–100 К обнаружена аномалия, по-видимому, соответствующая известному сегнетоэлектрическому фазовому переходу (ФП). При 50,4 ат. % Te в интервалах 135150 К и 200–215 К наблюдаются резко выраженные скачки параметра Δa/a ≈ 0,015), отвечающие отрицательному коэффициенту теплового расширения. При дальнейшем увеличении степени отклонения от стехиометрии (50,8 ат. % Te) указанные эффекты менее выражены. Неустойчивость кристаллической решетки в определенных температурных интервалах связывается с фазовыми переходами в подсистеме собственных дефектов – нестехиометрических вакансий, – обусловленными их перераспределением по катионной подрешетке при изменении температуры и состава. Выясняется роль релаксационных явлений в процессе перестройки дефектной подсистемы кристалла.
Фотолюминесцентные и гальваномагнитные свойства Cu₁₋ᵧIn₁₊ᵧSe₂₊δ
(Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова, 2007) Мудрый, А. В.; Таврина, Татьяна Владимировна; Рогачева, Елена Ивановна
Исследованы фотолюминесцентные и гальваномагнитные свойства сплавов CuInSe₂₊δ и Cu₁₋ᵧIn₁₊ᵧSe₂. На основании полученных результатов, дополненных рентгеноструктурными исследованиями, определены типы и положения энергетических уровней преобладающих дефектов в зависимости от характера и степени отклонения от стехиометрии.
Гальваномагнитные свойства тонких пленок висмута, легированного теллуром
(Торговий дім "Комунхоз", 2008) Орлова, Дарья Сергеевна; Рогачева, Елена Ивановна

Кафедра "Фізика"

Переглянути

Фільтри

Налаштування

Сортувати за

Результатів на сторінку

Результати пошуку