Кафедра "Фізика"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7578

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/tef

Кафедра "Фізика" створена у 2016 році шляхом об'єднання кафедри "Загальна та експериментальна фізика" і кафедри "Теоретична та експериментальна фізика", заснованої в 1972 році. .

У 1885 р. для викладання в інституті курсу фізики на посаду ад’юнкт-професора був запрошений магістр фізики приват-доцент Харківського університету Олександр Костянтинович Погорілко. У різні роки на кафедрі працювали видатні вчені-фізики: Пільчиков Н. Д., Латишев Г. Д., Обреїмов І. В., Пінес Б. Я., Ландау Л. Д., Корсунський М. І., Веркин Б. І., Дмитренко І. М., Базакуца В. А., Кулик І. О., Янсон І. К., Басс Ф. Г. Гуревич Ю. Г., Косевич В. М., Кукушкін Л. С. та ін.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора та 16 кандидатів фізико-математичних наук, 2 кандидата технічних наук, 1 кандидат педагогічних наук; 2 співробітника мають звання професора, 12 – доцента.

Переглянути

Фільтри

2009 - 200912010 - 20165

Налаштування

Автор: search.filters.author.Рогачева, Елена ИвановнаКлючові слова: search.filters.subject.теллурид свинца

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 6 з 6
  • Ескіз
    Документ
    Исследование механизма дефектообразования в полупроводниковых твердых растворах на основе теллурида свинца
    (Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, 2009) Водорез, Ольга Станиславовна; Пинегин, Владимир Иванович; Рогачева, Елена Ивановна
  • Ескіз
    Документ
    Температурные зависимости теплопроводности полупроводниковых твердых растворов PbTe–Bi₂Te₃
    (Ужгородський національний університет, 2011) Водорез, Ольга Станиславовна; Бондаренко, А. С.; Рогачева, Елена Ивановна
    Исследованы температурные зависимости теплопроводности свежеприготовленных образцов твердых растворов PbTe–Bi₂Te₃ (0-7 мол.% Bi₂Te₃) и образцов, которые старели в течение 25 лет при 300 К. Установлено, что на всех зависимостях наблюдается минимум при температурах 500-550 К. Произведена оценка вклада биполярной составляющей теплопроводности и степенного коэффициента в температурной зависимости теплопроводности.
  • Ескіз
    Документ
    Размерные эффекты в тонких пленках теллурида свинца и термоэлектрические свойства
    (Институт термоэлектричества Национальной академии наук, 2013) Ольховская, Светлана Ивановна; Рогачева, Елена Ивановна
    Проведено исследование влияния толщины d на термоэлектрические свойства (коэффициент Зеебека S, электропроводность σ, коэффициент Холла RH и подвижность носителей заряда μН) пленок толщиной d = 8 – 170 нм, полученных термическим испарением в вакууме кристаллов PbTe с избытком свинца на подложки (001) KCl и покрытых слоем Al2O3. Установлено, что пленки с толщинами d < 75 нм обладают дырочной проводимостью, а при d > 75 нм перенос заряда определяется носителями заряда n-типа. Инверсия знака проводимости вблизи d ≈ 75 нм связывается с изменением условий термодинамического равновесия в пленках по сравнению с кристаллом, а также с особенностями испарения и конденсации материала. На d-зависимостях кинетических коэффициентов пленок с дырочной проводимостью наблюдаются осцилляции, наличие которых объясняется квантованием дырочного газа носителей. Расчет периода осцилляций Δd с использованием модели бесконечно глубокой прямоугольной потенциальной ямы хорошо согласуется с экспериментально определенным значением Δd. Для пленок с n-типом проводимости значения кинетических коэффициентов увеличиваются с ростом d, что указывает на проявление классического размерного эффекта.
  • Ескіз
    Документ
    Зависимости термоэлектрических свойств от толщины тонких пленок теллурида свинца, легированного индием
    (Институт термоэлектричества Национальной академии наук, 2014) Меньшикова, Светлана Ивановна; Рогачева, Елена Ивановна; Сипатов, А. Ю.; Матейченко, П. В.; Добротворская, М. В.
    Получены зависимости термоэлектрических свойств (коэффициента Зеебека S, электропроводности σ, коэффициента Холла RH, подвижности носителей заряда μ и термоэлектрической мощности P = S²·σ) от толщины d (d = 10 – 255 нм) тонких пленок, полученных методом термического испарения в вакууме кристаллов PbTe, легированных индием, и последующей конденсации на подложки (111) BaF₂. При уменьшении толщины пленок до d ≈ 40 нм наблюдается инверсия типа проводимости с n- на р-тип, что связывается с изменением условий термодинамического равновесия и частичным реиспарением атомов свинца и/или индия. На толщинных зависимостях свойств при d1 ≈ 20 нм обнаружены экстремумы, наличие которых указывает на квантование дырочного газа. В области толщин с n-типом проводимости наблюдается плавное изменение термоэлектрических свойств с толщиной, что свидетельствует о проявлении классического размерного эффекта и достаточно хорошо описывается в рамках теории Фукса-Зондхеймера.
  • Ескіз
    Документ
    Температурные зависимости кинетических свойств тонких пленок PbTe, легированных InTe
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2015) Меньшикова, Светлана Ивановна; Рогачева, Елена Ивановна
  • Ескіз
    Документ
    Влияние окисления на характер зависимостей кинетических свойств от толщины тонких пленок PbTe
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2016) Меньшикова, Светлана Ивановна; Рогачева, Елена Ивановна