Кафедра "Фізика"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7578

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/tef

Кафедра "Фізика" створена у 2016 році шляхом об'єднання кафедри "Загальна та експериментальна фізика" і кафедри "Теоретична та експериментальна фізика", заснованої в 1972 році. .

У 1885 р. для викладання в інституті курсу фізики на посаду ад’юнкт-професора був запрошений магістр фізики приват-доцент Харківського університету Олександр Костянтинович Погорілко. У різні роки на кафедрі працювали видатні вчені-фізики: Пільчиков Н. Д., Латишев Г. Д., Обреїмов І. В., Пінес Б. Я., Ландау Л. Д., Корсунський М. І., Веркин Б. І., Дмитренко І. М., Базакуца В. А., Кулик І. О., Янсон І. К., Басс Ф. Г. Гуревич Ю. Г., Косевич В. М., Кукушкін Л. С. та ін.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора та 16 кандидатів фізико-математичних наук, 2 кандидата технічних наук, 1 кандидат педагогічних наук; 2 співробітника мають звання професора, 12 – доцента.

Переглянути

Фільтри

2014 - 20163

Налаштування

Автор: search.filters.author.Рогачева, Елена ИвановнаКлючові слова: search.filters.subject.thermoelectric properties

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 3 з 3
  • Ескіз
    Документ
    Термоэлектрические и механические свойства полупроводниковых твердых растворов (Bi₁₋ₓSbₓ)₂Te₃ (x = 0-0.07)
    (Інститут термоелектрики НАН України, 2016) Рогачева, Елена Ивановна; Мартынова, К. В.; Бондаренко, А. С.
    Исследованы зависимости термоэлектрических свойств и микротвердости от состава поликристаллических полупроводниковых твердых растворов (Bi₁₋ₓSbₓ)₂Te₃ в интервале концентраций x = 0-0.07 при комнатной температуре. Обнаружен резкий рост микротвердости при одновременном снижении коэффициента Холла, коэффициента Зеебека и электропроводности при увеличении содержания сурьмы до x = 0.005-0.01, после чего при дальнейшем возрастании x до x = 0.01-0.015 характер зависимостей изменяется на обратный. Наблюдаемый эффект связывается с высокой степенью разупорядочения кристаллической решетки при введении первых порций примеси и последующими процессами релаксации при образовании перколяционных каналов в примесной подсистеме кристалла. При дальнейшем увеличении x коэффициент Холла и коэффициент Зеебека практически не изменяются с составом, а наблюдаемый при этом более сложный характер зависимости микротвердости и электропроводности от x интерпретируется как проявление процессов ближнего упорядочения в твердом растворе.
  • Ескіз
    Документ
    Термоэлектрические свойства поликристаллических твердых растворов Bi₁₋ₓSbₓ в интервале концентраций x = 0-0.25
    (Інститут термоелектрики НАН України, 2016) Дорошенко, А. Н.; Рогачева, Елена Ивановна; Дроздова, Анна Анатольевна; Мартынова, К. В.; Меньшов, Ю, В.
    Проведено детальное исследование зависимости термоэлектрических свойств поликристаллических твердых растворов Bi₁₋ₓSbₓ от состава в широком интервале концентраций (x = 0-0.25) при комнатной температуре. Объекты исследования – литые образцы различного состава, полученные ампульным методом в одном технологическом цикле, состоящем в охлаждении ампул с расплавами на воздухе и последующем длительном гомогенизирующем отжиге при температуре (520 ± 5) К в течение 720 часов. Показано, что зависимости свойств от состава носят отчетливо выраженный немонотонный характер. Подтверждено наличие концентрационных аномалий термоэлектрических свойств, наблюдаемых ранее в интервале x = 0-0.1 на литых образцах после других видов термической обработки и интерпретируемых как проявление электронных фазовых переходов. Сложный характер зависимостей при x > 0.1 объясняется качественными изменениями в зонной структуре Bi₁₋ₓSbₓ при определенных критических составах, изменением относительного вклада в проводимость носителей заряда из различных энергетических зон при изменении концентрации сурьмы и высокой чувствительностью энергетического спектра и физических свойств Bi₁₋ₓSbₓ к внешним воздействиям.
  • Ескіз
    Документ
    Размерные эффекты в тонких пленках GeTe
    (Інститут термоелектрики НАН України, 2014) Рогачева, Елена Ивановна; Николаенко, А. А.; Водорез, Ольга Станиславовна; Сипатов, А. Ю.; Григоров, С. Н.; Федоров, А. Г.
    Исследованы зависимости электропроводности σ, коэффициента Зеебека S, коэффициента Холла Rн, подвижности носителей заряда μн и термоэлектрической мощности P = S2σ от толщины d (d = 5-210 нм) тонких пленок GeTe, выращенных методом термического испарения в вакууме кристаллов GeTe с последующей конденсацией на подложки (001) KCl при температуре TS = 520 К. Для пленок различных толщин получены температурные зависимости σ, Rн и μн в интервале 80-300 К и определен степенной коэффициент ν в зависимости μн(Т). Методами электронной микроскопии и электронографии показано, что пленки обладают ромбоэдрической структурой, отвечающей низкотемпературной α-модификации GeTe, и растут с преимущественной ориентацией (111) и (111) (111) || (001) KСl. Установлено, что с ростом толщины пленок до ~ 100-150 нм значения σ, μн и ν монотонно увеличиваются, зависимости Rн(d), S(d) и P(d) имеют вид кривых с максимумом при ~ 75 нм, а при дальнейшем увеличении d кинетические коэффициенты практически не изменяются. Наличие зависимости свойств от толщины пленок свидетельствует о проявлении в пленках GeTe классического размерного эффекта. Теоретический расчет зависимости σ(d), проведенный в рамках теории Фукса-Зондгеймера, хорошо согласуется с экспериментальными данными. Установлено, что концентрации дырок в пленках ниже, а значения S и P выше, чем в массивном кристалле. Максимальные значения Р достигаются при d ~ 75 нм.