Кафедра "Фізика"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7578

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/tef

Кафедра "Фізика" створена у 2016 році шляхом об'єднання кафедри "Загальна та експериментальна фізика" і кафедри "Теоретична та експериментальна фізика", заснованої в 1972 році. .

У 1885 р. для викладання в інституті курсу фізики на посаду ад’юнкт-професора був запрошений магістр фізики приват-доцент Харківського університету Олександр Костянтинович Погорілко. У різні роки на кафедрі працювали видатні вчені-фізики: Пільчиков Н. Д., Латишев Г. Д., Обреїмов І. В., Пінес Б. Я., Ландау Л. Д., Корсунський М. І., Веркин Б. І., Дмитренко І. М., Базакуца В. А., Кулик І. О., Янсон І. К., Басс Ф. Г. Гуревич Ю. Г., Косевич В. М., Кукушкін Л. С. та ін.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора та 16 кандидатів фізико-математичних наук, 2 кандидата технічних наук, 1 кандидат педагогічних наук; 2 співробітника мають звання професора, 12 – доцента.

Переглянути

Фільтри

2006 - 200912010 - 201922020 - 20213

Налаштування

Автор: search.filters.author.Рогачова, Олена ІванівнаКлючові слова: search.filters.subject.тонкі плівки

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 6 з 6
  • Ескіз
    Документ
    Вплив температури підкладки на кінетичні властивості тонких плівок Bi2Se3
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2019) Меньшикова, Світлана Іванівна; Рогачова, Олена Іванівна
  • Ескіз
    Документ
    Електронні фазові переходи у тонких плівках Bi1-xSbx
    (Інститут термоелектрики НАН та МОН України, 2020) Рогачова, Олена Іванівна; Дорошенко, Ганна Миколаївна; Сіпатов, Олександр Юрійович
    Метою даної роботи було вивчення концентраційних залежностей ТЕ та гальваномагнітних властивостей тонких плівок Bi1-xSbx в інтервалі x = 0 – 0.25. Тонкі плівки Bi1-xSbx товщиною d = (250 ± 10) нм були виготовлені термічним випаровуванням у вакуумі кристалів Bi1-xSbx на (111) слюдяні підкладки, а транспортні властивості (електропровідність, коефіцієнт Зеєбека, коефіцієнт Холла, рухливість електронів і дірок, магнетоопір) плівок вимірювались за кімнатної температури. Було встановлено, що всі аномалії на концентраційних залежностях властивостей, що спостерігалися раніше в масивних кристалах Bi1-xSbx і пов’язувалися із електронними фазовими переходами, відтворювались у тонких плівках. Отримані дані, з одного боку,– це ще один доказ існування концентраційних особливостей у транспортних властивостях твердих розчинів Bi1-xSbx, а, з другого боку, ці дані вказують на добру відповідність складів вихідних кристалів складам тонких плівок. Одержані результати слід враховувати при інтерпретації результатів досліджень та прогнозуванні властивостей кристалів і тонких плівок Bi1-xSbx. Бібл. 32, рис. 4.
  • Ескіз
    Документ
    Класичний розмірний ефект у плівках Bi2(Te0.9Se0.1)3
    (Інститут термоелектрики НАН та МОН України, 2020) Рогачова, Олена Іванівна; Новак, К. В.; Дорошенко, Ганна Миколаївна; Саєнко, С. О.; Сіпатов, Олександр Юрійович; Меньшов, Юрій Валентинович
  • Ескіз
    Документ
    Вплив шорсткості підкладки на коефіцієнт Зеебека тонких плівок Bi₂(Te₀.₇Se₀.₃)₃
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2021) Саєнко, С. О.; Дорошенко, Ганна Миколаївна; Рогачова, Олена Іванівна
  • Ескіз
    Документ
    Вплив температури підкладки на знак носіїв заряду у плівках PbTe
    (Львівський національний університет ім. Івана Франка, 2006) Любченко, С.; Рогачова, Олена Іванівна
    При кімнатній температурі досліджено залежність коефіцієнта термо-електронно-рушійної сили (термо-е.р.с.) від товщини тонких плівок PbTe (d = 10-450 нм), які були виготовлені методом термічного випаровування у вакуумі на підкладки зі слюди при температурах 380 та 530 К. Досліджувались плівки з покриттям для захисту від окиснення і без захисного покриття. Отримані товщинні залежності проаналізовано із урахуванням впливу різних чинників, що визначають тип провідності, який простежено у тонких плівках PbTe – зміна стехіометрії тонкої плівки при зміні температури підкладки, процеси окиснення, зміна складу шихти в процесі випаровування.
  • Ескіз
    Документ
    Кінетичні властивості тонких плівок PbTe, легованих Sb₂Te₃
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2013) Ольховська, Світлана Іванівна; Рогачова, Олена Іванівна