Кафедра "Фізика"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7578

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/tef

Кафедра "Фізика" створена у 2016 році шляхом об'єднання кафедри "Загальна та експериментальна фізика" і кафедри "Теоретична та експериментальна фізика", заснованої в 1972 році. .

У 1885 р. для викладання в інституті курсу фізики на посаду ад’юнкт-професора був запрошений магістр фізики приват-доцент Харківського університету Олександр Костянтинович Погорілко. У різні роки на кафедрі працювали видатні вчені-фізики: Пільчиков Н. Д., Латишев Г. Д., Обреїмов І. В., Пінес Б. Я., Ландау Л. Д., Корсунський М. І., Веркин Б. І., Дмитренко І. М., Базакуца В. А., Кулик І. О., Янсон І. К., Басс Ф. Г. Гуревич Ю. Г., Косевич В. М., Кукушкін Л. С. та ін.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора та 16 кандидатів фізико-математичних наук, 2 кандидата технічних наук, 1 кандидат педагогічних наук; 2 співробітника мають звання професора, 12 – доцента.

Переглянути

Фільтри

2017 - 201912020 - 20212

Налаштування

Автор: search.filters.author.Doroshenko, A. N.Ключові слова: search.filters.subject.magnetoresistance

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 3 з 3
  • Ескіз
    Публікація
    Temperature and magnetic field dependences of thermoelectric properties of Bi1-xSbx solid solutions in the range x = 0-0.25
    (Elsevier Ltd, 2021) Rogacheva, E. I.; Doroshenko, A. N.; Nashchekina, O. N.
    Bi1–xSbx solid solutions are the best n-type thermoelectric materials for use at temperatures ≤200 K. An important parameter determining material’s figure of merit is charge carrier concentration. To determine it correctly, one should carry out measurements in a weak magnetic field. On the basis of the magnetic field dependences of the Hall coefficient and magnetoresistance, the dependences of the weak magnetic field boundary Bc on composition (x = 0–0.25) and temperature (T = 77–300 K) for polycrystalline Bi1–xSbx alloys were plotted. It was established that the Bc(x) dependences exhibit a non-monotonic behavior which is attributed to the existence of electronic phase transitions.
  • Ескіз
    Документ
    Magnetoresistance of Polycrystalline Bi₁₋ₓSbₓ Alloys (x = 0 – 0.07)
    (IEEE, 2017) Doroshenko, A. N.; Martynova, K. V.; Rogacheva, E. I.
    A detailed investigation of the composition dependences of magnetoresistance for polycrystalline Bi₁₋ₓSbₓ solid solutions in a concentration range x = 0 – 0.07 was performed at 300 K in weak and strong magnetic field. It was shown that the composition dependences of magnetoresistance are clearly expressed nonmonotonic type. The presence of concentration anomalies of magnetoresistance was confirmed that had been earlier observed in the range x = 0 – 0.1 on cast samples after different kinds of thermal treatment and interpreted as a manifestation of electron phase transitions. It is shown that the position of the extrema does not depend on the magnitude of the magnetic field in the interval 0.01 - 1.0 T.
  • Ескіз
    Публікація
    Galvanomagnetic properties of polycrystalline Bi₁₋ₓSbₓ solid solutions in the concentration range x = 0-0.25
    (Науково-технологічний комплекс "Інститут монокристалів", 2020) Rogacheva, E. I.; Doroshenko, A. N.; Drozdova, A. A.; Nashchekina, O. N.; Men'shov, Yu. V.
    The dependences of the Hall coefficient, electrical conductivity, magnetoresistance, electron and hole concentration and mobility on the Bi₁₋ₓSbₓ solid solution composition in the concentration range x = 0-0.25 at 77 and 300 K in magnetic fields 1 T and 0.05 T were obtained. It was shown that all the dependences exhibit a distinct nonmonotonic oscillating behavior at both temperatures and in both magnetic fields. The presence of concentration-dependent anomalies of galvanomagnetic properties is attributed to critical phenomena accompanying the percolation-type transition from dilute to concentrated solid solutions and electronic phase transitions: a transition to a gapless state, the semimetal – semiconductor transition, and indirect – direct band gap semiconductor transition.