Кафедра "Фізика"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7578

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/tef

Кафедра "Фізика" створена у 2016 році шляхом об'єднання кафедри "Загальна та експериментальна фізика" і кафедри "Теоретична та експериментальна фізика", заснованої в 1972 році. .

У 1885 р. для викладання в інституті курсу фізики на посаду ад’юнкт-професора був запрошений магістр фізики приват-доцент Харківського університету Олександр Костянтинович Погорілко. У різні роки на кафедрі працювали видатні вчені-фізики: Пільчиков Н. Д., Латишев Г. Д., Обреїмов І. В., Пінес Б. Я., Ландау Л. Д., Корсунський М. І., Веркин Б. І., Дмитренко І. М., Базакуца В. А., Кулик І. О., Янсон І. К., Басс Ф. Г. Гуревич Ю. Г., Косевич В. М., Кукушкін Л. С. та ін.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора та 16 кандидатів фізико-математичних наук, 2 кандидата технічних наук, 1 кандидат педагогічних наук; 2 співробітника мають звання професора, 12 – доцента.

Переглянути

Фільтри

1999 - 199912010 - 20202

Налаштування

Містить файли: ТакКлючові слова: search.filters.subject.фазовый переход

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 3 з 3
  • Ескіз
    Документ
    Електронні фазові переходи у тонких плівках Bi1-xSbx
    (Інститут термоелектрики НАН та МОН України, 2020) Рогачова, Олена Іванівна; Дорошенко, Ганна Миколаївна; Сіпатов, Олександр Юрійович
    Метою даної роботи було вивчення концентраційних залежностей ТЕ та гальваномагнітних властивостей тонких плівок Bi1-xSbx в інтервалі x = 0 – 0.25. Тонкі плівки Bi1-xSbx товщиною d = (250 ± 10) нм були виготовлені термічним випаровуванням у вакуумі кристалів Bi1-xSbx на (111) слюдяні підкладки, а транспортні властивості (електропровідність, коефіцієнт Зеєбека, коефіцієнт Холла, рухливість електронів і дірок, магнетоопір) плівок вимірювались за кімнатної температури. Було встановлено, що всі аномалії на концентраційних залежностях властивостей, що спостерігалися раніше в масивних кристалах Bi1-xSbx і пов’язувалися із електронними фазовими переходами, відтворювались у тонких плівках. Отримані дані, з одного боку,– це ще один доказ існування концентраційних особливостей у транспортних властивостях твердих розчинів Bi1-xSbx, а, з другого боку, ці дані вказують на добру відповідність складів вихідних кристалів складам тонких плівок. Одержані результати слід враховувати при інтерпретації результатів досліджень та прогнозуванні властивостей кристалів і тонких плівок Bi1-xSbx. Бібл. 32, рис. 4.
  • Ескіз
    Документ
    Рентгенографическое исследование твёрдых растворов висмут-сурьма
    (Ужгородський національний університет, 2011) Дорошенко, А. Н.; Дроздова, Анна Анатольевна; Пинегин, Владимир Иванович; Рогачева, Елена Ивановна
    Для поликристаллических твердых растворов висмут-сурьма с концентрацией сурьмы 0-8 ат.% проведен рентгенодифрактометрический анализ. В интервале концентраций 2.5-3.0 ат.% Sb обнаружено резкое увеличение параметров элементарной ячейки а и с, которое может быть связано с перераспределением атомов сурьмы в кристалле висмута при фазовом переходе в бесщелевое состояние.
  • Ескіз
    Документ
    Низкотемпературная решеточная нестабильность SnTe
    (Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б. І. Вєркіна, 1999) Нащекина, Ольга Николаевна; Исакина, А. П.; Прохватилов, А. И.; Рогачева, Елена Ивановна; Федоренко, А. И.
    При нагреве в интервале 80–290 К получены температурные зависимости параметра элементарной ячейки a(Е) теллурида олова с различной степенью отклонения от стехиометрии. Для образца стехиометрического состава (50 ат. % Te) на зависимости a(T) в области 90–100 К обнаружена аномалия, по-видимому, соответствующая известному сегнетоэлектрическому фазовому переходу (ФП). При 50,4 ат. % Te в интервалах 135150 К и 200–215 К наблюдаются резко выраженные скачки параметра Δa/a ≈ 0,015), отвечающие отрицательному коэффициенту теплового расширения. При дальнейшем увеличении степени отклонения от стехиометрии (50,8 ат. % Te) указанные эффекты менее выражены. Неустойчивость кристаллической решетки в определенных температурных интервалах связывается с фазовыми переходами в подсистеме собственных дефектов – нестехиометрических вакансий, – обусловленными их перераспределением по катионной подрешетке при изменении температуры и состава. Выясняется роль релаксационных явлений в процессе перестройки дефектной подсистемы кристалла.