Кафедра "Фізика"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7578

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/tef

Кафедра "Фізика" створена у 2016 році шляхом об'єднання кафедри "Загальна та експериментальна фізика" і кафедри "Теоретична та експериментальна фізика", заснованої в 1972 році. .

У 1885 р. для викладання в інституті курсу фізики на посаду ад’юнкт-професора був запрошений магістр фізики приват-доцент Харківського університету Олександр Костянтинович Погорілко. У різні роки на кафедрі працювали видатні вчені-фізики: Пільчиков Н. Д., Латишев Г. Д., Обреїмов І. В., Пінес Б. Я., Ландау Л. Д., Корсунський М. І., Веркин Б. І., Дмитренко І. М., Базакуца В. А., Кулик І. О., Янсон І. К., Басс Ф. Г. Гуревич Ю. Г., Косевич В. М., Кукушкін Л. С. та ін.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора та 16 кандидатів фізико-математичних наук, 2 кандидата технічних наук, 1 кандидат педагогічних наук; 2 співробітника мають звання професора, 12 – доцента.

Переглянути

Фільтри

2013 - 20142

Налаштування

Містить файли: ТакКлючові слова: search.filters.subject.germanium telluride

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 2 з 2
  • Ескіз
    Документ
    Товщиннi залежностi гальваномагнiтних властивостей плiвок GeTe
    (Львівський національний університет ім. Івана Франка, 2013) Ніколаєнко, Ганна Олександрівна; Рогачова, Олена Іванівна
    Одержано залежностi електропровiдностi σ i коефiцiєнта Холла Rн тонких полiкристалiчних плiвок GeTe вiд їх товщини (d = 30-210 нм) за кiмнатної температури. Встановлено, що методом термiчного випаровування полiкристалiв GeTe можна отримати тонкi плiвки GeTe/KCl зi значеннями концентрацiй дiрок меншими, нiж у кристалi, майже в два рази. При зростаннi товщини плiвок до d ~ 80 нм спостерiгається рiзке збiльшення значень σ i холлiвської рухливостi носiїв заряду μн, а при подальшому зростаннi d значення μн майже не змiнюються, а значення σ змiнюються з меншою швидкiстю, що вказує на наявнiсть класичного розмiрного ефекту у тонких плiвках GeTe.
  • Ескіз
    Документ
    Размерные эффекты в тонких пленках GeTe
    (Інститут термоелектрики НАН України, 2014) Рогачева, Елена Ивановна; Николаенко, А. А.; Водорез, Ольга Станиславовна; Сипатов, А. Ю.; Григоров, С. Н.; Федоров, А. Г.
    Исследованы зависимости электропроводности σ, коэффициента Зеебека S, коэффициента Холла Rн, подвижности носителей заряда μн и термоэлектрической мощности P = S2σ от толщины d (d = 5-210 нм) тонких пленок GeTe, выращенных методом термического испарения в вакууме кристаллов GeTe с последующей конденсацией на подложки (001) KCl при температуре TS = 520 К. Для пленок различных толщин получены температурные зависимости σ, Rн и μн в интервале 80-300 К и определен степенной коэффициент ν в зависимости μн(Т). Методами электронной микроскопии и электронографии показано, что пленки обладают ромбоэдрической структурой, отвечающей низкотемпературной α-модификации GeTe, и растут с преимущественной ориентацией (111) и (111) (111) || (001) KСl. Установлено, что с ростом толщины пленок до ~ 100-150 нм значения σ, μн и ν монотонно увеличиваются, зависимости Rн(d), S(d) и P(d) имеют вид кривых с максимумом при ~ 75 нм, а при дальнейшем увеличении d кинетические коэффициенты практически не изменяются. Наличие зависимости свойств от толщины пленок свидетельствует о проявлении в пленках GeTe классического размерного эффекта. Теоретический расчет зависимости σ(d), проведенный в рамках теории Фукса-Зондгеймера, хорошо согласуется с экспериментальными данными. Установлено, что концентрации дырок в пленках ниже, а значения S и P выше, чем в массивном кристалле. Максимальные значения Р достигаются при d ~ 75 нм.