Кафедра "Фізика"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7578

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/tef

Кафедра "Фізика" створена у 2016 році шляхом об'єднання кафедри "Загальна та експериментальна фізика" і кафедри "Теоретична та експериментальна фізика", заснованої в 1972 році. .

У 1885 р. для викладання в інституті курсу фізики на посаду ад’юнкт-професора був запрошений магістр фізики приват-доцент Харківського університету Олександр Костянтинович Погорілко. У різні роки на кафедрі працювали видатні вчені-фізики: Пільчиков Н. Д., Латишев Г. Д., Обреїмов І. В., Пінес Б. Я., Ландау Л. Д., Корсунський М. І., Веркин Б. І., Дмитренко І. М., Базакуца В. А., Кулик І. О., Янсон І. К., Басс Ф. Г. Гуревич Ю. Г., Косевич В. М., Кукушкін Л. С. та ін.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора та 16 кандидатів фізико-математичних наук, 2 кандидата технічних наук, 1 кандидат педагогічних наук; 2 співробітника мають звання професора, 12 – доцента.

Переглянути

Фільтри

2009 - 200912010 - 20206

Налаштування

Ключові слова: search.filters.subject.phase transition

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 7 з 7
  • Ескіз
    Публікація
    Percolation transition and physical properties of Bi1-xSbx solid solutions at low Bi concentration
    (Elsevier Ltd, 2020) Rogacheva, E. I.; Doroshenko, A. N.; Khramova, T. I.; Nashchekina, O. N.; Fedorov, A. G.; Mateychenko, P. V.
    The dependences of microhardness H, electrical conductivity σ, charge carrier mobility μH, the Seebeck coefficient S, and thermoelectric power factor P = S2σ on the composition of Bi1-xSbx solid solutions in the vicinity of pure Sb (x = 1.0–0.975) were obtained. In the range of x = 0.9925–0.9875, an anomalous decrease in H and S and increase in σ and μH with increasing Bi concentration were observed. For all the alloys, the dependences of H on the load on an indenter G were plotted. It was found that the H(G) dependences for samples with x smaller than ~ 0.99 and for samples with x exceeding 0.99, exhibit different behavior. The results obtained are interpreted on the basis of our assumption about the existence of a percolation-type phase transition from impurity discontinuum to impurity continuum that occurs in any solid solution.
  • Ескіз
    Публікація
    Percolation effects in semiconductor IV-VI based solid solutions and thermoelectric materials science
    (Scrivener Publishing LLC, 2019) Rogacheva, E. I.; Nashchekina, O. N.
    The chapter reviews the present status of our experimental studies aimed at con firming the existence of anomalies in the dependences of thermoelectric (TE) and other properties on composition in semiconductor IV-VI–based solid solutions in the region of small impurity concentration. For all studied solid solutions, we observed an anomalous behavior of the isotherms of electrical conductivity, phonon thermal conductivity, heat capacity, charge carrier mobility, microhardness, the Seebeck coefficient, and TE figure of merit in the vicinity of (0.5–1) at. % of impurity. We believe that the observed phenomenon is connected with the existence of percolation-type phase transitions corresponding to the transition from dilute solid solutions to the impurity continuum and is accompanied by self-organization processes. The non-monotonic behavior of the concentration dependences of the TE properties and the underlying percolation phenomena should be taken into consideration when developing efficient TE materials and optimizing their properties. To get additional confirmation of the assumption regarding the universal character of phase transitions connected with the formation of the impurity continuum, it is necessary to expand the range of objects to be studied as well as spectrum of properties to be measured.
  • Ескіз
    Документ
    Електронні фазові переходи у тонких плівках Bi1-xSbx
    (Інститут термоелектрики НАН та МОН України, 2020) Рогачова, Олена Іванівна; Дорошенко, Ганна Миколаївна; Сіпатов, Олександр Юрійович
    Метою даної роботи було вивчення концентраційних залежностей ТЕ та гальваномагнітних властивостей тонких плівок Bi1-xSbx в інтервалі x = 0 – 0.25. Тонкі плівки Bi1-xSbx товщиною d = (250 ± 10) нм були виготовлені термічним випаровуванням у вакуумі кристалів Bi1-xSbx на (111) слюдяні підкладки, а транспортні властивості (електропровідність, коефіцієнт Зеєбека, коефіцієнт Холла, рухливість електронів і дірок, магнетоопір) плівок вимірювались за кімнатної температури. Було встановлено, що всі аномалії на концентраційних залежностях властивостей, що спостерігалися раніше в масивних кристалах Bi1-xSbx і пов’язувалися із електронними фазовими переходами, відтворювались у тонких плівках. Отримані дані, з одного боку,– це ще один доказ існування концентраційних особливостей у транспортних властивостях твердих розчинів Bi1-xSbx, а, з другого боку, ці дані вказують на добру відповідність складів вихідних кристалів складам тонких плівок. Одержані результати слід враховувати при інтерпретації результатів досліджень та прогнозуванні властивостей кристалів і тонких плівок Bi1-xSbx. Бібл. 32, рис. 4.
  • Ескіз
    Документ
    Рентгенографическое исследование твёрдых растворов висмут-сурьма
    (Ужгородський національний університет, 2011) Дорошенко, А. Н.; Дроздова, Анна Анатольевна; Пинегин, Владимир Иванович; Рогачева, Елена Ивановна
    Для поликристаллических твердых растворов висмут-сурьма с концентрацией сурьмы 0-8 ат.% проведен рентгенодифрактометрический анализ. В интервале концентраций 2.5-3.0 ат.% Sb обнаружено резкое увеличение параметров элементарной ячейки а и с, которое может быть связано с перераспределением атомов сурьмы в кристалле висмута при фазовом переходе в бесщелевое состояние.
  • Ескіз
    Публікація
    Temperature and concentration dependences of specific heat of Bi₁₋ₓSbₓ solid solutions
    (Науково-технологічний комплекс "Інститут монокристалів", 2018) Rogacheva, E. I.; Doroshenko, A. N.; Nashchekina, O. N.
    For Bi₁₋ₓSbₓ solid solutions, the concentration (x = 0 - 0.12) and temperature (170-525 K) dependences of specific heat Cp were obtained. At all temperatures studied, three peaks of Cp were observed near x = 0.015, x = 0.037, and x = 0.07. The observed effects were attributed to critical phenomena accompanying the second-order phase transitions: percolation transition from dilute to concentrated solid solutions, the transition to a gapless state, and the semimetal-semiconductor transition, respectively. It was shown that the values of critical indexes (α = 0.11 ± 0.01) are the same not only for different peaks but also for different temperatures and correspond to the values theoretically calculated within the framework of scale-invariant theory for three-dimensional (3D) models.
  • Ескіз
    Документ
    Нанодисперсные пленки, осажденные импульсным лазерным распылением комбинированных мишеней Ni-Au
    (Харьковский национальный университет им. В. Н. Каразина, 2010) Багмут, Александр Григорьевич; Багмут, Иван Александрович; Жучков, Василий Анатольевич; Николайчук, Григорий Павлович; Красников, А. Н.
    Представлены результаты электронно-микроскопических и электронографических исследований пленок Ni, Au и сплава Ni-Au, полученных импульсным лазерным распылением одноэлементных и двухэлементных металлических мишеней. В результате распыления одноэлементной мишени Ni и комбинированной мишени 0,75Ni-0,25Au на подложках фор- мируются пленки с метастабильной ГПУ структурой. Распыление комбинированной мишени 0,5Ni-0,5Au, также как и мишени из чистого золота, приводит к формированию пленок со стабильной ГЦК структурой.
  • Ескіз
    Документ
    Эпитаксия, структурно-фазовое и магнитное состояние пленок, синтезированных в лазерной плазме Ni
    (Самарский государственный технический университет, 2009) Багмут, Александр Григорьевич; Шипкова, Ирина Геннадьевна; Жучков, Василий Анатольевич
    Исследованы структурно-фазовые состояния, а также изменение плотности и магнитных свойств при рекристаллизации тонкоплёночных лазерных конденсатов никеля. Для двух случаев эпитаксиального роста плёнок с кристаллической решёткой ГПУ (фаза −Ni) и с кристаллической решёткой ГЦК (фаз −Ni) установлены ориентационные соотношения плёнка – подложка (001) KCl. Определены ориентационные соотношения между фазами −Ni и −Ni, выполняющиеся в процессе полиморфного превращения при отжиге плёнок. Показано, что в результате полиморфного превращения происходит изменение плотности и магнитных характеристик плёнки. Плёнки уплотняются (на 18,5%) и приобретают магнитный момент. При перемагничивании имеет место гистерезис.