Кафедра "Технологія кераміки, вогнетривів, скла та емалей"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7480

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/ceramic

Кафедра "Технологія кераміки, вогнетривів, скла та емалей", первісна назва – кафедра силікатів, була створена в 1926 році в складі Харківського Хіміко-технологічного інституту.

Першим завідувачем кафедри (1926 – 1941 рр.) та засновником наукової школи був вчений зі світовим ім'ям, тричі Лауреат Державних премій, Заслужений діяч науки і техніки, академік АН УССР і член-кореспондент АН СССР, доктор технічних наук, професор Петро Петрович Будніков. Підготовка спеціалістів з силікатних технологій була започаткована в 1910 році на кафедрі мінеральної сировини під керівництвом академіка Єгора Івановича Орлова.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту хімічних технологій та інженерії Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 5 докторів та 3 кандидата технічних наук; 4 співробітника мають звання професора, 3 – доцента.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 4 з 4
  • Ескіз
    Документ
    Керамічна маса для виготовлення стінових виробів
    (ДП "Український інститут інтелектуальної власності", 2017) Щукіна, Людмила Павлівна; Галушка, Ярослав Олегович; Лісачук, Георгій Вікторович; Рищенко, Михайло Іванович; Білостоцька, Любов Олександрівна; Павлова, Людмила Василівна
    Керамічна маса для виготовлення стінових виробів містить глину та додатково містить ваграночний металургійний шлак, при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: глина 78,0-85,0 ; ваграночний шлак 15,0-22,0.
  • Ескіз
    Документ
    Спосіб контролю проведення "хлоридної" обробки в плівкових фотоелектричних перетворювачах на основі CdS/CdTe
    (НТУ "ХПІ", 2011) Хрипунов, Геннадій Семенович; Лісачук, Георгій Вікторович; Кудій, Дмитро Анатолійович
    Спосіб контролю проведення "хлоридної" обробки в плівкових фотоелектричних перетворювачах на основі CdS/CdTe, що являє собою спосіб ідентифікації варизонних прошарків твердих розчинів CdSxTe1-х на міжфазній границі досліджуваної гетеросистеми CdS/CdTe, шляхом аналізу її оптичних властивостей, який відрізняється тим, що аналізують товщину та склад варизонних прошарків твердих розчинів CdSxTe1-х, шляхом розділення досліджуваного зразка скло/ITO/CdS/CdTe на дві частини, для однієї частини проводять "хлоридну" обробку, після чого обидва зразки скло/ITO/CdS/CdTe одночасно травлять у розчині брому в метанолі до товщини [0,8-1] мкм, потім досліджують спектри пропускання та відбиття зразків скло/ITO/CdS/CdTe у спектральному діапазоні (810-850) нм, розраховують спектр поглинання та різницю поглинання досліджуваного зразка скло/ІТО/CdS/CdTe до та після проведення "хлоридної" обробки, різницю поглинання досліджуваного зразка порівнюють з різницею поглинання еталонного зразка скло/ITO/CdS/CdTe до та після проведення "хлоридної" обробки, за результатами проведених оптичних досліджень роблять висновок про можливість відбраковувати на початковому технологічному етапі партію продукції сонячних елементів після візуального оптичного зіставлення досліджуваної приладової гетеросистеми скло/ITO/CdS/CdTe з еталонною
  • Ескіз
    Документ
    Спосіб відновлювання плівкових сонячних елементів, що зазнали деградації
    (НТУ "ХПІ", 2011) Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Копач, Володимир Романович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Лісачук, Георгій Вікторович; Дейнеко, Наталя Вікторівна
    Спосіб відновлювання плівкових СЕ, що зазнали деградації, та виготовлені на основі сульфіду і телуриду кадмію, заснований на інтенсифікації процесів транспорту атомів міді, перебудові комплексів точкових дефектів, що містять мідь, фазовому перетворенні частки СuТе у Сu1,4Tе, зменшенні опору шару CdS та електродифузії у абсорбер аніонів сірки і міжвузловинних катіонів CuCd-, який відрізняється тим, що затемнений СЕ витримують протягом не менше 120 хвилин у електричному полі, наведеному зовнішньою постійною напругою, величиною (0,5-0,9) В, але не більше напруги холостого ходу СЕ, полярність якої відповідає прямому зміщенню n-р гетеропереходу СЕ
  • Ескіз
    Документ
    Спосіб підвищення ККД монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача
    (НТУ "ХПІ", 2011) Зайцев, Роман Валентинович; Копач, Володимир Романович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Лісачук, Георгій Вікторович
    Спосіб підвищення ККД монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача, який включає обробку фотоелектричного перетворювача у стаціонарному магнітному полі індукцією більше 0,1 Тл, який відрізняється тим, що після обробки у стаціонарному магнітному полі на тильну поверхню монокристалічного кремнієвого фотоелектричного перетворювача наносять магнітний вініл.