Кафедра "Системи інформації ім. В. О. Кравця"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7488

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/si

Від 3 червня 2019 року кафедра має назву "Системи інформації ім. В. О. Кравця", первісна назва – "Системи інформації".

Кафедра "Системи інформації" створена 30.06.1993 року у складі факультету автоматики та приладобудування. Від 2004 року входила до складу факультету "Комп’ютерні та інформаційні технології", від 2021 року – Навчально-наукового інженерно-фізичного інституту, від 2022 року – Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

Кафедра перейменована на честь її засновника і першого завідувача (1993-2009), кандидата технічних наук, Почесного доктора Мішкольцького університету (Угорщина), академіка Української технологічної академії, Заслуженого працівника освіти України, засновника наукової школи "Інфокомунікаційні системи та технології", професора Кравця Валерія Олексійовича. Від 1989 року по 2014 рік Кравець В. О. плідно працював на посаді проректора з навчальної роботи та міжнародних зв’язків НТУ "ХПІ".

Від 2011 року при кафедрі створено мережеву академію CISCO. Кафедра є співзасновником Учбово-наукового виробничого комплексу (УНВК), що об’єднує понад 25 установ, які працюють в галузі телекомуникації

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора технічних наук, 1 доктор фізико-математичних наук, 5 кандидатів технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання професора, 5 – доцента, 1 – старшого наукового співробітника.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 5 з 5

Электромагнитная совместимость полупроводниковых приборов технических средств в условиях воздействия внешнего электромагнитного излучения
(Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", 2019) Князев, Владимир Владимирович; Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович
В работе предложена физическая модель возникновения обратимых отказов полупроводниковых диодов (влияния наведенных электромагнитным излучением (ЭМИ) токов на вольт-амперные характеристики приборов). Данная модель базируется на механизме преобразования энергии, наведенной внешним ЭМИ токов в энергию собственных электромагнитных колебаний твердотельных комплектующих радио изделий (эффекте переходного излучения). Обоснована постановка экспериментальных исследований на базе предложенной физической модели обратимых отказов(появления областей вольт-амперных характеристик полупроводниковых диодов с отрицательным сопротивлением). Определены области параметров внешнего электромагнитного излучения и полупроводниковых приборов, при которых реализуется данная физическая модель. Проведены экспериментальные исследования влияния импульсного электромагнитного излучения на вольт-амперные характеристики участков прямого тока диодов. Они показали наличие участков с отрицательным дифференциальным сопротивлением, характеризующие режим генерации собственных колебаний (увеличение прямого тока при падении напряжения). Результаты сравнительного анализа, полученных в настоящей работе экспериментальных и расчетных данных, позволяют использовать предложенную физическую модель обратимых отказов, а полученные на ее основе расчетные соотношения могут служить основой для определения критериев возникновения и количественных характеристик обратимых отказов полупроводниковых диодов в условиях воздействия на них импульсного электромагнитного излучения.
Эталон единицы максимального значения больших импульсных токов
(НТУ "ХПИ", 2009) Немченко, Юрий Семенович; Князев, Владимир Владимирович; Лесной, Иван Петрович; Кравченко, Владимир Иванович
Для метрологічної атестації і повірки засобів вимірювання великих імпульсних струмів створено джерело стабільних імпульсів струму на базі раніше розробленого і введеного в експлуатацію Еталону імпульсного електромагнітного поля (Еталон РЕМП). Виміряно імпульси струму в елементах Еталону (від 20 A до 1000 А) за допомогою штатного вбудованого зразкового коаксіального вимірювального шунта ШК-50 і експериментально доведено, що форми імпульсів струму й імпульсів електромагнітного поля в Еталоні співпадають, що доводить правильність обраної структури Еталону імпульсів великого струму.
Переходное излучение токов, наведенных внешним излучением, на неоднородных границах раздела сред
(НТУ "ХПИ", 2017) Кравченко, Владимир Иванович; Бреславец, Виталий Сергеевич; Князев, Владимир Владимирович; Яковенко, Игорь Владимирович
Установлено, что наличие малых пространственных периодических неровностей на границе вакуум - идеальный проводник приводит к резонансному взаимодействию пространственных гармоник, распространяющихся вдоль поверхности, что обуславливает появление полосы непропускания колебаний. Для частот, лежащих ниже полосы непропускания электромагнитные колебания носят поверхностный характер. В работе определен закон дисперсии такого рода колебаний и кинетические механизмы их возбуждения электронным потоком, пересекающим границу раздела сред. Получено кинетическое уравнение, определяющее изменение числа поверхностных колебаний, приведено выражение для инкремента.
Излучение наведенных токов с неоднородным потенциалом на границе
(НТУ "ХПИ", 2017) Кравченко, Владимир Иванович; Бреславец, Виталий Сергеевич; Князев, Владимир Владимирович; Яковенко, Игорь Владимирович
В работе исследовалось влияние потенциального барьера на спектральную плотность энергии переходного излучения объемных и поверхностных волн заряженной частицей, которая движется по нормали к границе раздела сред с различными диэлектрическими проницаемостями. Было получено выражения для спектральных характеристик интенсивностей излучения электромагнитных волн для различных типов потенциальных барьеров: прямоугольная потенциальная стенка, барьер конечной ширины и δ-подобный барьер. Определено, что поле излучения состоит из трех составляющих: первая обусловлена изменением диэлектрической проницаемости и существует без потенциального барьера, вторая связана с изменением скорости частицы без учета отражения частиц от границы, третья составляющая определяет долю излучения, связанную с волной де-Бройля, отраженной от границы.
Излучение поверхностных поляритонов модулированным потоком заряженных частиц
(НТУ "ХПИ", 2017) Кравченко, Владимир Иванович; Бреславец, Виталий Сергеевич; Князев, Владимир Владимирович; Яковенко, Игорь Владимирович
В работе исследовались механизмы возбуждения поверхностных поляритонов потоком заряженных частиц, модулированным на частоте поверхностной волны, в условиях, когда он движется по нормали к границе проводящих твердых тел. При решении этой задачи предполагалось, что спектр потока частиц содержит две волны пространственного заряда. Их амплитуды определялись с помощью дополнительных условий для плотности и скорости носителей на плоскости, которая находится над границей раздела сред. Применение этих дополнительных условий позволяет определить поля переходного излучения через параметры модуляции. В работе получено выражение для плотности потока энергии переходного излучения поверхностной волны.