Кафедра "Системи інформації ім. В. О. Кравця"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7488

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/si

Від 3 червня 2019 року кафедра має назву "Системи інформації ім. В. О. Кравця", первісна назва – "Системи інформації".

Кафедра "Системи інформації" створена 30.06.1993 року у складі факультету автоматики та приладобудування. Від 2004 року входила до складу факультету "Комп’ютерні та інформаційні технології", від 2021 року – Навчально-наукового інженерно-фізичного інституту, від 2022 року – Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

Кафедра перейменована на честь її засновника і першого завідувача (1993-2009), кандидата технічних наук, Почесного доктора Мішкольцького університету (Угорщина), академіка Української технологічної академії, Заслуженого працівника освіти України, засновника наукової школи "Інфокомунікаційні системи та технології", професора Кравця Валерія Олексійовича. Від 1989 року по 2014 рік Кравець В. О. плідно працював на посаді проректора з навчальної роботи та міжнародних зв’язків НТУ "ХПІ".

Від 2011 року при кафедрі створено мережеву академію CISCO. Кафедра є співзасновником Учбово-наукового виробничого комплексу (УНВК), що об’єднує понад 25 установ, які працюють в галузі телекомуникації

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора технічних наук, 1 доктор фізико-математичних наук, 5 кандидатів технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання професора, 5 – доцента, 1 – старшого наукового співробітника.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 5 з 5

Электромагнитная совместимость полупроводниковых приборов технических средств в условиях воздействия внешнего электромагнитного излучения
(Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", 2019) Князев, Владимир Владимирович; Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович
В работе предложена физическая модель возникновения обратимых отказов полупроводниковых диодов (влияния наведенных электромагнитным излучением (ЭМИ) токов на вольт-амперные характеристики приборов). Данная модель базируется на механизме преобразования энергии, наведенной внешним ЭМИ токов в энергию собственных электромагнитных колебаний твердотельных комплектующих радио изделий (эффекте переходного излучения). Обоснована постановка экспериментальных исследований на базе предложенной физической модели обратимых отказов(появления областей вольт-амперных характеристик полупроводниковых диодов с отрицательным сопротивлением). Определены области параметров внешнего электромагнитного излучения и полупроводниковых приборов, при которых реализуется данная физическая модель. Проведены экспериментальные исследования влияния импульсного электромагнитного излучения на вольт-амперные характеристики участков прямого тока диодов. Они показали наличие участков с отрицательным дифференциальным сопротивлением, характеризующие режим генерации собственных колебаний (увеличение прямого тока при падении напряжения). Результаты сравнительного анализа, полученных в настоящей работе экспериментальных и расчетных данных, позволяют использовать предложенную физическую модель обратимых отказов, а полученные на ее основе расчетные соотношения могут служить основой для определения критериев возникновения и количественных характеристик обратимых отказов полупроводниковых диодов в условиях воздействия на них импульсного электромагнитного излучения.
Влияние электромагнитного излучения на волноводные характеристики полупроводниковых комплектующих радиоизделий
(НТУ "ХПИ", 2018) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович
Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения. Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях.
Моделирование физических механизмов возникновения необратимых отказов полупроводниковых приборов в условиях электромагнитного воздействия
(НТУ "ХПИ", 2015) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яковенко, Игорь Владимирович
Исследованы существующие физические механизмы влияния внешних электромагнитных полей на работоспособность полупроводниковых приборов в области необратимых отказов. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения.
Физические модели обратимых отказов полупроводниковых приборов в условиях электромагнитного воздействия
(НТУ "ХПИ", 2015) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яковенко, Игорь Владимирович
Предложены физические модели появления обратимых отказов полупроводниковых приборов в условиях воздействия электромагнитного излучения. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения. Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях.
Анализ влияния внешних электромагнитных полей на работоспособность полупроводниковых приборов
(НТУ "ХПИ", 2015) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яковенко, Игорь Владимирович
Проведен анализ влияния внешних электромагнитных полей на работоспособность полупроводниковых приборов. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях.