Кафедра "Системи інформації ім. В. О. Кравця"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7488

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/si

Від 3 червня 2019 року кафедра має назву "Системи інформації ім. В. О. Кравця", первісна назва – "Системи інформації".

Кафедра "Системи інформації" створена 30.06.1993 року у складі факультету автоматики та приладобудування. Від 2004 року входила до складу факультету "Комп’ютерні та інформаційні технології", від 2021 року – Навчально-наукового інженерно-фізичного інституту, від 2022 року – Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

Кафедра перейменована на честь її засновника і першого завідувача (1993-2009), кандидата технічних наук, Почесного доктора Мішкольцького університету (Угорщина), академіка Української технологічної академії, Заслуженого працівника освіти України, засновника наукової школи "Інфокомунікаційні системи та технології", професора Кравця Валерія Олексійовича. Від 1989 року по 2014 рік Кравець В. О. плідно працював на посаді проректора з навчальної роботи та міжнародних зв’язків НТУ "ХПІ".

Від 2011 року при кафедрі створено мережеву академію CISCO. Кафедра є співзасновником Учбово-наукового виробничого комплексу (УНВК), що об’єднує понад 25 установ, які працюють в галузі телекомуникації

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора технічних наук, 1 доктор фізико-математичних наук, 5 кандидатів технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання професора, 5 – доцента, 1 – старшого наукового співробітника.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 10 з 13

Электромагнитная совместимость полупроводниковых приборов технических средств в условиях воздействия внешнего электромагнитного излучения
(Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", 2019) Князев, Владимир Владимирович; Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович
В работе предложена физическая модель возникновения обратимых отказов полупроводниковых диодов (влияния наведенных электромагнитным излучением (ЭМИ) токов на вольт-амперные характеристики приборов). Данная модель базируется на механизме преобразования энергии, наведенной внешним ЭМИ токов в энергию собственных электромагнитных колебаний твердотельных комплектующих радио изделий (эффекте переходного излучения). Обоснована постановка экспериментальных исследований на базе предложенной физической модели обратимых отказов(появления областей вольт-амперных характеристик полупроводниковых диодов с отрицательным сопротивлением). Определены области параметров внешнего электромагнитного излучения и полупроводниковых приборов, при которых реализуется данная физическая модель. Проведены экспериментальные исследования влияния импульсного электромагнитного излучения на вольт-амперные характеристики участков прямого тока диодов. Они показали наличие участков с отрицательным дифференциальным сопротивлением, характеризующие режим генерации собственных колебаний (увеличение прямого тока при падении напряжения). Результаты сравнительного анализа, полученных в настоящей работе экспериментальных и расчетных данных, позволяют использовать предложенную физическую модель обратимых отказов, а полученные на ее основе расчетные соотношения могут служить основой для определения критериев возникновения и количественных характеристик обратимых отказов полупроводниковых диодов в условиях воздействия на них импульсного электромагнитного излучения.
Electromagnetic compatibility of semiconductor structures with a two-dimensional electron layer
(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2019) Kravchenko, Volodymyr; Knyazev, Volodymyr; Serkov, Aleksandr; Breslavets, Vitaliy; Yakovenko, Igor
The subject matter is the mechanisms of interaction of the flow of charged particles with the surface plasmons of a two-dimensional electron layer (2D) due to the action of external pulsed electromagnetic radiation (EMP).The aim is obtaining design relations that determine to what degree the instabilities of natural vibrationsof a two-dimensional electronic layer of a semiconductor structure may influence the performance of semiconductor devices. The objectives area model of occurrence of reversible failures of radio products arising from the transformation of energy of currents induced by external pulsed radiation to excite electrostatic oscillations of a two-dimensional electronic layer of semiconductor structures. The methodsused areanalytical methods for solving electrodynamics (Maxwell) equations and material equations in the framework of kinetic approach. The following resultshave been obtained: The mechanisms of interaction of the flow of charged particles with the natural electromagnetic vibrations of a two-dimensional electron gas occurring due to the presence of a potential barrier at the interface have been studied. Investigations of functioning of semiconductor components of radio products (structures with two-dimensional electron gas) under the influence of strong pulsed electromagnetic fields have been carried out. A kinetic equation describing the change in thenumber of electromagnetic oscillations of such a system has been obtained. The solution of the equation has been found, which allows determining the influence of the barrier on the instability increment of surface vibrations as well as the contributions of the transmitted and reflected components of the particle flux to the increment. Equations for the increment of instabilitie sallow us to determine the energy loss of the induced currents on the excitation of natural oscillations i.e. the emergence of a mode of oscillation generation, which is characterized by a change in the volt-ampere characteristics of radio devices. Conclusion. A comparative analysis of the instabilities of vibrations of structures with a two-dimensional electron gas has been carried out under conditions when the interaction of waves and particles is randomand deterministic. It is shown that the differences in the expressions for increments are associated with a change in the size of the region of interaction of waves and particles. Differences in the influence of the potential barrier on the increment are established in cases where the interaction of surface plasmons and charged particles is determined or has the character of random collisions. The mechanisms of the influence of the boundary on the interaction of surface electromagnetic waves and electrons in the presence of a potential barrier are determined. I ntrinsic electromagnetic oscillations of a two-dimensional electron layer are taken as research objects. The results obtained in the work can be used to assess the operability of electronic equipment in millimeter and submillimeter ranges under the influence of pulsed electromagnetic fields.
Влияние электромагнитного излучения на работоспособность полупроводниковых приборов
(НТУ "ХПИ", 2018) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович; Ваврив, Людмила Владиславовна
Исследованы существующие физические механизмы влияния внешних электромагнитных полей на работоспособность полупроводниковых приборов в области необратимых отказов. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток., обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных час- тиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих елементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных електронных состояний на неровной поверхности проводящих твер- дых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения.
Поверхностные состояния электронов на неоднородной поверхности твердых тел
(НТУ "ХПИ", 2018) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович; Ваврив, Людмила Владиславовна
Определен механизм возникновения поверхностных электронных состояний на периодически неровной границе проводящих твердых тел. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверх- решеток., обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного поля. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих елементах изделий и возникновением их внутренних полей. магнитного излучения. Разработан новый механизм появления поверхностных електронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения. Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях.
Влияние электромагнитного излучения на волноводные характеристики полупроводниковых комплектующих радиоизделий
(НТУ "ХПИ", 2018) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович
Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения. Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях.
Взаимодействие магнитоплазменных колебаний с источниками электромагнитного излучения
(НТУ "ХПИ", 2017) Кравченко, Владимир Иванович; Ваврив, Людмила Владиславовна; Яковенко, Игорь Владимирович
Приведены дисперсионные соотношения для поверхностных магнитоплазменных волн на границе раздела сред вакуум-полупроводник, показаны условия возникновения, особенности распространения и спектральные характеристики поверхностных геликонов. Исследованы механизмы взаимодействия поверхностных геликонов с источниками электромагнитного излучения (заряженной частицей, магнитным диполем). Определены потери энергии этих источников на их возбуждение и проведен сравнительный анализ эффективности возбуждения объемных и поверхностных геликонов. В рамках квантовомеханических представлений получено кинетическое уравнение для геликонов, изменение числа которых обусловлено взаимодействием с электронами проводимости.
Возбуждение геликонов в полупроводниковых структурах в условиях воздействия ЭМИ
(НТУ "ХПИ", 2017) Кравченко, Владимир Иванович; Ваврив, Людмила Владиславовна; Яковенко, Игорь Владимирович
Настоящая работа связана с изучением особенностей возбуждения магнитоплазменных колебаний распространяющихся под углом к параллельному границе постоянному магнитному полю. Среди такого типа колебаний особое место занимают поверхностные геликоны. Полученные в данной работе результаты исследований взаимодействия поверхностных геликонов с движущимися вдоль границы источниками электромагнитного излучения, открывают новые возможности регистрации медленных магнитоплазменных волн в условиях воздействия внешнего ЭМИ. В основе механизма преобразования кинетической энергии источника в электромагнитное излучение лежит резонансное взаимодействие заряженной частицы с полем монохроматической волны.
Поверхностные плазменные волны на неоднородной границе полупроводника
(НТУ "ХПИ", 2017) Кравченко, Владимир Иванович; Ваврив, Людмила Владиславовна; Яковенко, Игорь Владимирович
Определен спектр собственных электромагнитных колебаний неоднородного плазменного слоя, возникающего на границе проводящих твердых тел , малые неровности которых имеют периодический (статистический) характер. Показано, что наличие поверхностных электронных состояний приводит к появлению поверхностных поляритонов, закон дисперсии которых отличается от закона дисперсии поляритонов, распространяющихся вдоль гладкой поверхности плазмы. Неоднородность плазмы вблизи поверхности приводит к появлению пространственной дисперсии поверхностных электростатических колебаний, их фазовая скорость меньше фазовой скорости поляритонов, распространяющихся вдоль гладкой поверхности полупроводниковой плазмы.
Влияние неровностей поверхности твердых тел на спектр электронов и плазменных колебаний
(НТУ "ХПИ", 2015) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яковенко, Игорь Владимирович
Определен механизм возникновения поверхностных электронных состояний на периодически неровной границе проводящих твердых тел. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электрона. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения. Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях.
Воздействие стороннего электромагнитного излучения на механизмы взаимодействия поверхностных колебаний с электронами проводимости полупроводниковых структур
(НТУ "ХПИ", 2015) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яковенко, Игорь Владимирович
Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения.