Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4703

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/fmp

Від 2002 року кафедра має назву "Фізика металів і напівпровідників", попередня назва – кафедра металофізики.

Кафедра металофізики організована в 1930 році у складі фізико-механічного факультету ХММІ. Деканом факультету був у ті роки видатний вчений-фізик, академік Іван Васильович Обреїмов.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". За час існування кафедрою підготовлено близько 3000 інженерів, у тому числі і для зарубіжних країн.

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 3 доктора та 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання професора.

Переглянути

Фільтри

2016 - 20182

Налаштування

Автор: search.filters.author.Кондратенко, Валерий ВладимировичКлючові слова: search.filters.subject.багатошарове рентгенівське дзеркало

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 2 з 2
  • Ескіз
    Документ
    Использование вольфрама в качестве барьерного слоя в многослойных рентгеновских зеркалах Sc/Si
    (Сумський державний університет, 2018) Першин, Юрий Павлович; Чумак, В. С.; Зубарев, Евгений Николаевич; Девизенко, Александр Юрьевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Seely, J. F.
    Методами рентгеновской дифракции (λ = 0,154 нм), просвечивающей электронной микроскопии поперечных срезов и рефлектометрии в мягкой рентгеновской области (λ = 25-50 нм) исследованы барьерные свойства слоев вольфрама толщиной 0,1-2,1 нм в многослойных рентгеновских зеркалах (МРЗ) Sc/W/Si, изготовленных методом прямоточного магнетронного распыления. Показано, что слои вольфрама толщиной 0,6-0,8 нм отделяют слои Sc и Si и препятствуют образованию перемешанной зоны ScSi. Вольфрам, взаимодействуя со слоями Si, формирует аморфную прослойку, толщина которой меньше толщины перемешанных зон ScSi, образующихся в МРЗ Sc/Si без барьеров. При tW < 0,5 нм вольфрам на скандии не образует сплошную пленку. Введение барьерных слоев толщиной t = 0,3-0,8 нм приводит к росту отражательной способности в мягкой рентгеновской области ( λ ~ 38 нм), по меньшей мере, в 2,5 раза по сравнению с МРЗ Sc/Si. Максимальный коэффициент отражения (R ~ 25%, λ ~ 38 нм) наблюдается при введении барьерных слоев толщиной tW ~ 0,54 нм. Обсуждаются пути дальнейшего усовершенствования технологии нанесения барьерных слоев и по вышения отражательной способности МРЗ Sc/Si
  • Ескіз
    Документ
    Особенности роста наноразмерных слоев Mg2Si в многослойных рентгеновских зеркалах Si/Mg2Si
    (Сумський державний університет, 2016) Конотопский, Л. Е.; Копылец, Игорь Анатольевич; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Зубарев, Евгений Николаевич; Кондратенко, Валерий Владимирович
    Электронно-микроскопическими и рентгенографическими методами исследованы особенности роста наноразмерных слоев силицида магния в многослойном рентгеновском зеркале Si/Mg2Si с периодом 14.7 нм в исходном состоянии и после отжига. Установлено, что в исходном состоянии слои силицида магния представляют собой аморфную матрицу с включениями нанокристаллической фазы силицида магния в неравновесной гексагональной модификации. Формирование силицида магния в гексагональной модификации происходит под действием механических напряжений, источником которых являются слои кремния. Отжиг многослойного рентгеновского зеркала Si/Mg2Si при Т = 723 К приводит к кристаллизации и рекристаллизации слоев силицида магния из аморфной фазы, что сопровождается уменьшением периода рентгеновского зеркала на 7.3 %.