Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4703

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/fmp

Від 2002 року кафедра має назву "Фізика металів і напівпровідників", попередня назва – кафедра металофізики.

Кафедра металофізики організована в 1930 році у складі фізико-механічного факультету ХММІ. Деканом факультету був у ті роки видатний вчений-фізик, академік Іван Васильович Обреїмов.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". За час існування кафедрою підготовлено близько 3000 інженерів, у тому числі і для зарубіжних країн.

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 3 доктора та 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання професора.

Переглянути

Фільтри

2004 - 200922010 - 20152

Налаштування

Автор: search.filters.author.Пеньков, А. В.

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 4 з 4
  • Ескіз
    Документ
    Межслоевое перемешивание в многослойных периодических композициях Mo/Si, MoSi2/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия
    (Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", 2006) Пеньков, А. В.; Зубарев, Евгений Николаевич; Польцева, О. В.; Пономаренко, А. Г.; Кондратенко, Валерий Владимирович; Бобков, В. В.; Перегон, Т. И.; Тищенко, Л. П.
    С помощью электронной микроскопии поперечных срезов и малоугловой рентгеновской дифрактометрии исследованы начальные стадии ионно-лучевого перемешивания в многослойных периодических композициях Mo/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия с энергией 40 кэВ. Показано отсутствие перемешивания в фазово-равновесной системе MoSi2/Si. Начало процесса ионно-лучевого перемешивания в композициях Mo/Si обусловлено наличием в исходном состоянии перемешанных зон между молибденом и кремнием. Введение углеродных барьерных слоев между молибденом и кремнием препятствует формированию перемешанных зон и повышает радиационную стойкость. Установлена зависимость изменения толщин слоев многослойного покрытия от дозы облучен
  • Ескіз
    Документ
    Начальные стадии перемешивания в многослойных периодических покрытиях Mo/Si при облучении ионами He
    (Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна, 2004) Воронов, Д. Л.; Девизенко, Александр Юрьевич; Зубарев, Евгений Николаевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Пеньков, А. В.; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Бобков, В. В.; Перегон, Т. И.; Тищенко, Л. П.
    С помощью рентгеновской дифракции и электронной микроскопии поперечных срезов исследованны структурные изменения в многослойных периодических композициях Mo/Sі во время облучения ионами He. Установлено, что облучение вызывает уменьшение периода многослойной композиции, которое сопровождается уменьшением толщиныслоев молибдена и кремния, возрастанием толщины перемешанных зон и уменьшением их плотности. В многослойном покрытии развиваются сжимающие напряжения.
  • Ескіз
    Документ
    Эволюция структуры и механизм термического разрушения многослойных композиций C/Si
    (Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна, 2014) Журавель, Игорь Александрович; Бугаев, Егор Анатольевич; Пеньков, А. В.; Зубарев, Евгений Николаевич; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Кондратенко, Валерий Владимирович
    Исследована структура и фазовый состав многослойных периодических композиций C/Si при помощи малоугловой рентгеновской дифракции, просвечивающей электронной микроскопии и Рамановской спектроскопии при температурах 50—1050 °C. В исходном состоянии композиция C/Si представляет собой аморфные слои углерода и кремния, разделенные аморфными перемешанными зонами различной плотности. С ростом температуры происходит изменение периода композиции вследствие роста зон и графитизации углерода. При 700 °C начинается кристаллизация кремния. При 800 °C на основе кристаллического кремния формируется кристаллический SiC кубической модификации. При 900—1000 °C происходит разрушение периодической структуры композиции.
  • Ескіз
    Документ
    Особенности взаимодействия ускоренных ионов C₆₀ с поверхностью ITO мишени
    (Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна, 2015) Малеев, М. В.; Зубарев, Евгений Николаевич; Пуха, Владимир Егорович; Дроздов, Антон Николаевич; Вус, А. С.; Пеньков, А. В.
    В работе исследованы закономерности роста пленок и эрозии поверхности при облучении мишеней из оксида индия-олова (ITO, 90 % In₂O₃ + 10 % SnO₂) пучком ускоренных ионов С₆₀ с энергией в интервале 2,5–20 кэВ при температуре мишеней 373–673 K. Определена зависимость коэффициента распыления ITO от энергии бомбардирующих ионов. При энергии выше 3,75 кэВ = 373 K и происходит процесс травления поверхности мишени. Рост углеродных пленок на поверхности облучаемых мишеней из ITO наблюдается в интервале энергий ионов 2,5–3,75 кэВ. Обнаружена зависимость коэффициента распыления от температуры. При энергии ионов C₆₀ 5 кэВ до температуры 423 K происходит травление мишени, а выше температуры 448 K до 673 K рост пленки и уменьшение коэффициента распыления углеродной пленки с повышением температуры.