Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4703

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/fmp

Від 2002 року кафедра має назву "Фізика металів і напівпровідників", попередня назва – кафедра металофізики.

Кафедра металофізики організована в 1930 році у складі фізико-механічного факультету ХММІ. Деканом факультету був у ті роки видатний вчений-фізик, академік Іван Васильович Обреїмов.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". За час існування кафедрою підготовлено близько 3000 інженерів, у тому числі і для зарубіжних країн.

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 3 доктора та 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання професора.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 6 з 6

Kinetics of phase transitions in highly oriented graphite intercalated with potassium
(STC "Institute for Single Crystals", 2020) Mikhailov, I. F.; Zubarev, Evgeniy N.; Mikhailov, A. I.; Mamon, V. V.; Borisova, S. S.; Surovitskiy, S. V.
X-Ray Fluorescence Determination of Trace Gold in an Ion-Exchange Resin
(Pleiades Publishing, Ltd., 2014) Mikhailov, I. F.; Baturin, A. A.; Mikhailov, A. I.; Fomina, L. P.
The use of portable X ray optics with a secondary radiator in the determination of trace gold in an ion exchange resin within the mass fraction range of 1–50 ppm is described. It is shown that the secondary radiator design with primary radiation filtering allows one to determine trace gold in an ion exchange resin when the mass fraction of gold is lower than 1 ppm.
X-ray method for determination of mineral constituent in solid fuel
(Scientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals", 2014) Mikhailov, I. F.; Baturin, A. A.; Mikhailov, A. I.
Запропоновано рентгенівський метод визначення мінеральної складової твердого пального за співвідношенням інтенсивності піків комптонівського та релєївського розсіяння.
High-Stable Standard Samples of Mass in the Nano-Gram Range
(Scientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals", 2013) Mikhailov, I. F.; Baturin, A. A.; Bugaev, Ye. A.; Mikhailov, A. I.; Borisova, S. S.
Исследованы высокостабильные эталоны масс, полученные методом магнетронного осаждения сверхгладких слоев металлов на монокристаллические подложки. Тонкопленочные эталоны отвечают требованиям, предъявляемым ГОСТ 8.315-97 к государственным стандартным образцам: однородны, стабильны во времени и допускают аттестацию несколькими независимыми методами. Обеспечена точность измерений массы в диапазоне от 1 до 17 нг не хуже 1 нг, а в диапазоне от 17 до 3800 нг не хуже 8 нг.
Increasing the sensitivity of X-ray fluorescent scheme with secondary radiator using the initial spectrum filtration
(Scientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals", 2012) Mikhailov, I. F.; Baturin, A. A.; Mikhailov, A. I.; Borisova, S. S.
Проведена оптимизация толщины первичного фильтра в схеме флуоресцентного переизлучателя по критерию наименьшего предела обнаружения Сmin. Экспериментально установлено, что фильтрация обеспечивает трех-четырех кратное повышение контрастности и 70 %-й выигрыш в пределе обнаружения по критерию Сmin. Для следовых примесей золота в ионообменных смолах достигнутая чувствительность анализа на уровне 1 ppm не уступает реализуемой в сложной схеме Баркла с поляризованным излучением.
Contrast Enhancement of X-Ray Fluorescence Spectra Using a Secondary Two-Layer Radiator
(Scientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals", 2011) Mikhailov, I. F.; Baturin, A. A.; Mikhailov, A. I.; Borisova, S. S.
Теоретически рассчитаны и экспериментально измерены распределение фона рассеянного излучения и контрастность аналитических линий образца при возбуждении флуоресценции с помощью двухслойного вторичного излучателя. Верхний слой служит для возбуждения линий легких элементов и является адсорбером сплошного спектра, рассеянного нижним слоем. Получено выражение для расчета оптимальной толщины верхнего слоя, при которой достигается максимальная контрастность спектров. При оптимальной толщине покрытия экспериментально удается получить 34 кратное повышение контрастности в диапазоне длин волн 0,7 10A по сравнению с однородным излучателем.