Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4703

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/fmp

Від 2002 року кафедра має назву "Фізика металів і напівпровідників", попередня назва – кафедра металофізики.

Кафедра металофізики організована в 1930 році у складі фізико-механічного факультету ХММІ. Деканом факультету був у ті роки видатний вчений-фізик, академік Іван Васильович Обреїмов.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". За час існування кафедрою підготовлено близько 3000 інженерів, у тому числі і для зарубіжних країн.

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 3 доктора та 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання професора.

Переглянути

Фільтри

20151

Налаштування

Ключові слова: search.filters.subject.ITO

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
  • Ескіз
    Документ
    Особенности взаимодействия ускоренных ионов C₆₀ с поверхностью ITO мишени
    (Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна, 2015) Малеев, М. В.; Зубарев, Евгений Николаевич; Пуха, Владимир Егорович; Дроздов, Антон Николаевич; Вус, А. С.; Пеньков, А. В.
    В работе исследованы закономерности роста пленок и эрозии поверхности при облучении мишеней из оксида индия-олова (ITO, 90 % In₂O₃ + 10 % SnO₂) пучком ускоренных ионов С₆₀ с энергией в интервале 2,5–20 кэВ при температуре мишеней 373–673 K. Определена зависимость коэффициента распыления ITO от энергии бомбардирующих ионов. При энергии выше 3,75 кэВ = 373 K и происходит процесс травления поверхности мишени. Рост углеродных пленок на поверхности облучаемых мишеней из ITO наблюдается в интервале энергий ионов 2,5–3,75 кэВ. Обнаружена зависимость коэффициента распыления от температуры. При энергии ионов C₆₀ 5 кэВ до температуры 423 K происходит травление мишени, а выше температуры 448 K до 673 K рост пленки и уменьшение коэффициента распыления углеродной пленки с повышением температуры.