Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 3 з 3
  • Ескіз
    Документ
    Спосіб виготовлення детектора ультрафіолетового випромінювання
    (ДП "Український інститут інтелектуальної власності", 2016) Клєпікова, Катерина Сергіївна; Копач, Володимир Романович; Клочко, Наталя Петрівна; Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Любов, Віктор Миколаєвич
    Спосіб виготовлення детектора ультрафіолетового випромінювання на основі наноструктурованих масивів цинк оксиду із конфігурацією шарів "провідна підкладка|наноZnO|тильний контакт". Формування наноструктурованих масивів ZnO здійснюють технологією електроосадження в імпульсному режимі із подальшим відпалом на повітрі при температурі 240-260 °C протягом 3-6 хв. Тильні контакти виконані у вигляді плівки алюмінію, сформованої вакуумним осадженням на верхніх торцях наноструктурованих масивів ZnO шляхом випаровування Al під кутом 65-75° від нормалі до підкладки. Освітлення здійснюють зі сторони підкладки з прозорого для ультрафіолету скла, вкритого прозорою для УФ електропровідною плівкою.
  • Ескіз
    Документ
    Синтез кестеритних шарів для тонкоплівкових сонячних елементів нової генерації
    (НТУ "ХПІ", 2014) Сокол, Євген Іванович; Клочко, Наталя Петрівна; Кривошеєв, Сергій Юрійович; Момотенко, Олександра Віталіївна; Любов, Віктор Миколайович; Копач, Володимир Романович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Волкова, Неоніла Дмитрівна
    Кестерит Cu₂ZnSnS₄ є прямозонним напівпровідником з оптимальною для перетворення сонячної енергії шириною забороненої зони, який містить доступні хімічні елементи і тому визнаний перспективним для масового виробництва тонкоплівкових сонячних елементів. Визначено найбільш сприятливі послідовності і атомні співвідношення компонентів електрохімічно осаджених прекурсорів, досліджено параметри кристалічної структури кестеритів, синтезованих в процесі сульфурізації прекурсорів.
  • Ескіз
    Документ
    Напівпровідникові шари сульфіду олова для тонкоплівкових сонячних елементів
    (НТУ "ХПІ", 2014) Сокол, Євген Іванович; Клочко, Наталя Петрівна; Кривошеєв, Сергій Юрійович; Момотенко, Олександра Віталіївна; Любов, Віктор Миколайович; Копач, Володимир Романович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Волкова, Неоніла Дмитрівна
    Представлена економічна і придатна для використання в масовому виробництві методика отримання моносульфіду олова з орторомбічною структурою герценбергіта шляхом сульфурізаціі в парах сірки плівок металу, електроосаджених зі стандартного електроліту олов'янування. Синтезований полікристалічний матеріал SnS є електронним напівпровідником з оптимальними для використання в сонячних елементах шириною забороненої зони і коефіцієнтом оптичного поглинання.