Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 9 з 9
  • Ескіз
    Документ
    Светодиодно-галогеновый осветитель
    (Сумський державний університет, 2015) Полежаева, О. В.; Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил Валерьевич
  • Ескіз
    Документ
    Компьютеризированный измерительный комплекс вольт-амперных характеристик
    (Національний університет кораблебудування ім. адмірала Макарова, 2015) Прокопенко, Дмитрий Сергеевич; Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил Валерьевич
  • Ескіз
    Документ
    Антиотражающие наноструктурированные массивы оксида цинка, изготовленные методом импульсного электроосаждения
    (Наука, 2015) Клочко, Наталья Петровна; Клепикова, Екатерина Сергеевна; Хрипунов, Геннадий Семенович; Волкова, Неонила Дмитриевна; Копач, Владимир Романович; Любов, Виктор Николаевич; Кириченко, Михаил Валерьевич; Копач, А. В.
    С целью создания антиотражающих покрытий для солнечных элементов исследованы условия импульсного электрохимического осаждения из водных электролитов наноструктурированных массивов оксида цинка с определенными морфологией, кристаллической структурой и оптическими свойствами на подложках из прозрачного электропроводного диоксида олова и на пластинах монокристаллического кремния со встроенными гомопереходами. Показана возможность получения планарных однослойных антиотражающих покрытий или массивов наностержней этого материала, как имеющих форму шестигранных призм, так и демонстрирующих эффект глаза ночной бабочки.
  • Ескіз
    Документ
    Автоматизированный измерительный комплекс вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов
    (Пермский национальный исследовательский политехнический университет, 2015) Прокопенко, Дмитрий Сергеевич; Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил Валерьевич
  • Ескіз
    Документ
    Создание и апробация автоматизированного комплекса для измерения вольт-амперных характеристик
    (Вінницький національний технічний університет, 2014) Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил Валерьевич
  • Ескіз
    Документ
    Фазовые превращения при металлизации Ag−In и сращивании вертикальных диодных ячеек многопереходных солнечных элементов
    (Наука, 2013) Клочко, Наталья Петровна; Хрипунов, Геннадий Семенович; Волкова, Неонила Дмитриевна; Копач, Владимир Романович; Любов, Виктор Николаевич; Кириченко, Михаил Валерьевич; Момотенко, Александра Витальевна; Харченко, Н. М.; Никитин, В. А.
    Исследованы условия сращивания кремниевых многопереходных солнечных элементов с вертикальными p−n-переходами с помощью припоя системы Ag−In. Изучались композиции из электроосажденных пленок индия на посеребренных методом трафаретной печати кремниевых пластинах и изготовленные путем послойного электрохимического осаждения пленки серебра и индия на поверхности посеребренных в вакууме кремниевых вертикальных диодных ячеек. Исследование условий электрохимического осаждения, структуры и морфологии поверхности полученных слоев показало, что для гарантированного сращивания допустимо использование 8-минутной термообработки при 400◦C под давлением стопки металлизированных кремниевых пластин, однако соотношение толщин слоев индия и серебра не должно превышать 1 : 3. При выполнении данного условия припой после сращивания пластин имеет структуру InAg3 (или InAg3 с примесью фазы Ag), благодаря чему температура плавления спая превышает 700◦C, что гарантированно обеспечивает функционирование таких солнечных элементов в условиях концентрированного освещения.
  • Ескіз
    Документ
    Разработка системы автоматизации измерений параметров полупроводниковых приборов
    (Чернігівський національний технологічний університет, 2015) Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил Валерьевич
    Основным методом определения параметров полупроводниковых приборов является метод измерения и аналитической обработки их вольтамперных характеристик (ВАХ). Существующие на сегодняшний день измерительные комплексы для реализации этого метода представляют собой дорогие и сложные системы, которые экономически не выгодно использовать в условиях отечественного производства. В работе разработан экономичный автоматизированный измерительный комплекс ВАХ на основе микроконтроллерной системы управления с соответствующим программным обеспечением, позволяющий в связке с компьютером проводить экспрессную аттестацию фотоэлектрических преобразователей и полупроводниковых приборов по их вольтамперным характеристикам. Апробация комплекса показала его способность проводить измерения ВАХ с достаточно высокой точностью при средней погрешности измерения не больше 1 %.
  • Ескіз
    Документ
    Импульсный светодиодный осветитель для исследования времени жизни носителей заряда
    (Національний університет цивільного захисту України, 2015) Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил Валерьевич
  • Ескіз
    Документ
    Импульсный светодиодный осветитель для исследования времени жизни носителей заряда
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2015) Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил Валерьевич; Иванов, А.; Лоботенко, Д. С.