Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 3 з 3
  • Ескіз
    Документ
    Виготовлення плівкової композиції ZnО/SnS/CuSCN для сонячного елемента з надтонким абсорбером
    (ПП Щербатих О. В., 2016) Лук'янова, О. В.; Клєпікова, Катерина Сергіївна; Клочко, Наталя Петрівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Копач, Володимир Романович; Волкова, Неоніла Дмитрівна; Корсун, Валерія Євгеніївна; Любов, Віктор Миколайович; Кіріченко, Михайло Валерійович
  • Ескіз
    Документ
    Спосіб виготовлення детектора ультрафіолетового випромінювання на основі наноструктур із оксиду цинку і срібла
    (ДП "Український інститут інтелектуальної власності", 2018) Клочко, Наталя Петрівна; Копач, Володимир Романович; Клєпікова, Катерина Сергіївна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Корсун, Валерія Євгеніївна; Кіріченко, Михайло Валерійович; Любов, Віктор Миколаєвич
    Спосіб виготовлення детектора ультрафіолетового випромінювання на основі наноструктур із вкритих наночастинками срібла (HЧAg) масивів нанострижнів оксиду цинку (1-DZnO) із конфігурацією шарів "провідна підкладка|(НЧА@1-DZnO)|тильний контакт". При цьому формування наноструктурованих масивів нанострижнів ZnO здійснюють електроосадженням в імпульсному режимі, а для нанесення наночастинок срібла на поверхню ZnO використовують срібний золь. Контакти виготовляють із плівок алюмінію, які формують за допомогою вакуумного осадження Аl із застосуванням тіньової маски на провідній підкладці і на верхніх торцях вкритих HЧAg наноструктурованих масивів нанострижнів ZnO (тильний контакт) шляхом вакуумного випаровування алюмінію під кутом 65-75° від нормалі до підкладки. Освітлення здійснюють з боку підкладки із прозорого для ближнього ультрафіолетового випромінювання (БУФВ) скла, вкритого прозорою для БУФВ електропровідною плівкою.
  • Ескіз
    Документ
    Спосіб виготовлення омічних плівкових контактів до йодиду міді
    (ДП "Український інститут інтелектуальної власності", 2019) Петрушенко, Сергій Іванович; Дукаров, Сергій Валентинович; Клочко, Наталя Петрівна; Жадан, Дмитро Олегович; Клєпікова, Катерина Сергіївна; Копач, Володимир Романович; Хрипунова, Аліна Леонідівна; Кіріченко, Михайло Валерійович; Любов, Віктор Миколайович
    Спосіб виготовлення омічних плівкових контактів до йодиду міді шляхом вакуумного випаровування. Корисна модель належить до напівпровідникової електроніки та може бути використана для виготовлення омічних контактів до напівпровідника p-типу йодиду міді, який є функціональним матеріалом сучасних електронних, оптоелектронних та термоелектричних приладів.