Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 4 з 4
  • Ескіз
    Документ
    Антиотражающие наноструктурированные массивы оксида цинка, изготовленные методом импульсного электроосаждения
    (Наука, 2015) Клочко, Наталья Петровна; Клепикова, Екатерина Сергеевна; Хрипунов, Геннадий Семенович; Волкова, Неонила Дмитриевна; Копач, Владимир Романович; Любов, Виктор Николаевич; Кириченко, Михаил Валерьевич; Копач, А. В.
    С целью создания антиотражающих покрытий для солнечных элементов исследованы условия импульсного электрохимического осаждения из водных электролитов наноструктурированных массивов оксида цинка с определенными морфологией, кристаллической структурой и оптическими свойствами на подложках из прозрачного электропроводного диоксида олова и на пластинах монокристаллического кремния со встроенными гомопереходами. Показана возможность получения планарных однослойных антиотражающих покрытий или массивов наностержней этого материала, как имеющих форму шестигранных призм, так и демонстрирующих эффект глаза ночной бабочки.
  • Ескіз
    Документ
    Структура и свойства электроосажденных в импульсном режиме наноструктурированных массивов ZnO и нанокомпозитов ZnO/Ag на их основе
    (Наука, 2017) Копач, Владимир Романович; Клепикова, Екатерина Сергеевна; Клочко, Наталья Петровна; Хрипунов, Геннадий Семенович; Корсун, Валерия Евгеньевна; Любов, Виктор Николаевич; Кириченко, Михаил Валерьевич; Копач, А. В.
    Исследованы структура, морфология поверхности и оптические свойства электроосажденных в импульсном режиме наноструктурированных массивов ZnO, а также осажденных из коллоидных растворов наночастиц Ag и нанокомпозитов ZnO/Ag на их основе. По результатам исследований вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик проведен анализ электронных и электрических параметров массивов ZnO и нанокомпозитов ZnO/Ag. Определены оптимальные режимы изготовления стабильных и высокочувствительных по отношению к ультрафиолетовому излучению гетероструктур ZnO/Ag в качестве перспективных материалов фотодетекторов, газовых датчиков и фотокатализаторов.
  • Ескіз
    Документ
    Барьерная гетероструктура n-ZnO/p-CuI на основе электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди
    (Наука, 2017) Клочко, Наталья Петровна; Копач, Владимир Романович; Хрипунов, Геннадий Семенович; Корсун, Валерия Евгеньевна; Волкова, Неонила Дмитриевна; Любов, Виктор Николаевич; Кириченко, Михаил Валерьевич; Копач, А. В.; Жадан, Дмитрий Олегович; Отченашко, А. Н.
    В качестве перспективной базовой приборной диодной структуры полупрозрачного детектора ближнего ультрафиолетового излучения исследована барьерная гетероструктура p-CuI/n-ZnO. Проведен анализ кристаллической структуры, электрических и оптических свойств электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди, на основе которых создана чувствительная к УФ-облучению в спектральном диапазоне 365−370 нм барьерная гетероструктура n-ZnO/p-CuI. С помощью вольт-амперных характеристик определены шунтирующее сопротивление, последовательное сопротивление, коэффициент выпрямления диода K = 17.6, высота выпрямляющего барьера p−n-перехода 8 = 1.1 эВ, коэффициент идеальности диода η = 2.4. Показано, что при малых напряжениях прямого смещения 0 < U < 0.15 В имеет место паритетное влияние механизмов рекомбинации и туннельного переноса носителей заряда. При увеличении напряжения выше 0.15 В механизм переноса становится туннельно-рекомбинационным. Значения плотности диодного тока насыщения составили для механизма рекомбинации и туннельного переноса и для туннельно-рекомбинационного механизма переноса носителей заряда.
  • Ескіз
    Документ
    Антиотражающие покрытия из электроосажденных массивов оксида цинка для солнечных элементов
    (НТУ "ХПИ", 2013) Копач, Владимир Романович; Клочко, Наталья Петровна; Хрипунов, Геннадий Семенович; Мягченко, Ю. А.; Мельничук, Е. Е.; Клепикова, Екатерина Сергеевна; Любов, Виктор Николаевич; Копач, А. В.
    Surfaces of current photovoltaic devices are characterized by a high refractive index, so they tend to significant reflection of light. This explains the need for an antireflective coating (AR). In this paper, for the first time we demonstrate the possibility of creating the AR in the form of nano-scale zinc oxide array with a parabolic profile by its pulse electrodeposition from aqueous electrolytes. The study of the influence of the zinc oxide deposition mode on their optical properties such as transparency and reflection in the visibleregion at different angles of radiation, the optical band gap and Urbach energy were performed using a spectrophotometer SF-2000 equipped with specular and diffuse reflection attachment SFO-2000. Structural characteristics, namely, lattice parameters, microstrains, residual stress and texture were analyzed by X-ray diffractometry. Morphology of the grown arrays was investigated by intermittent-contact atomic force microscopy (AFM) using a NanoLaboratory Ntegra Prima NT-MDT setup. Optimization of the pulse electrodeposition mode allowed to adjust the size of parabolic nipples and thus to create AR moth-eye structure based on the electrodeposited zinc oxide arrays, which is suitable for use in photovoltaic devices.