Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 6 з 6

Вплив фізико-технічних режимів магнетронного розпилення на структуру та оптичні властивості плівок CdS та CdTe
(ПП Щербатих О. В., 2016) Копач, Галина Іванівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Харченко, Микола Михайлович; Доброжан, Андрій Ігорович
Виготовлення базових шарів гнучких сонячних елементів методом осадження у квазізамкненому об'ємі плівок сульфіду та телуриду кадмію
(Луцький національний технічний університет, 2019) Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Харченко, Микола Михайлович; Дроздов, Антон Миколайович; Дроздова, Ганна Анатоліївна
Експериментальними дослідженнями критичних температур конденсації при осадженні плівок сульфіду та телуриду кадмію в квазізамкненому об'ємі визначені режими, в яких осадження відбувається в умовах близьких до термодинамічно рівноважних, а температура підкладки нижче температури термодеструкції поліімідних плівок фірми Upilex. Для технічної реалізації цих умов розроблена адаптована до існуючого вакуумного обладнання підприємств електронної промисловості технологічна оснастка, що дозволяє в єдиному технологічному циклі послідовно осаджувати шари сульфіду і телуриду кадмію в умовах близьких до термодинамічно рівноважних. При температурі осадження 434 °С на поліімідних підкладках з плівковим шаром ITO поверх якого нанесений нанорозмірний прошарок ZnO були отримані шари CdS товщиною 0,3 мкм стабільної гексагональної модифікації. На поверхні шарів CdS при температурах нижче 440 °С були сформовані шари CdTe товщиною 4 мкм стабільної кубічної модифікації. Досягнуті параметри кристалічної структури плівок сульфіду та телуриду кадмію, виготовлених методом квазізамкненого об’єму дозволяють використовувати такі напівпровідникові шари в якості базових при розробці високоефективних гнучких сонячних елементів.
Гнучкі сонячні елементи на основі базових шарів СdТe, отриманих методом магнетроного розпилення
(Сумський державний університет, 2017) Хрипунов, Геннадій Семенович; Копач, Галина Іванівна; Зайцев, Роман Валентинович; Доброжан, Андрій Ігорович; Харченко, Микола Михайлович
Досліджено кристалічну структуру та оптичні властивості полікристалічних шарів CdTe, отриманих методом нереактивного магнетронного розпилення при постійному струмі на поліімідних плівках. В результаті аналітичної обробки світлових вольтамперних характеристик отримані значення вихідних параметрів гнучких тонкоплівкових сонячних елементів на їх основі. Показано, що проведення "хлоридної" обробки шарів CdTe, отриманих при Тп < 300 °C, сприяє фазовому переходу в’юртцит-сфалерит та знижує коефіцієнт пропускання плівок на 20-40 % в інфрачервоній області спектру, не змінюючи значення ширини забороненої зони CdTe. Охолодження гетеросистеми ITO/CdS до кімнатної температури перед нанесенням базового шару CdTe, винесення на повітря та послідуючий нагрів до необхідної температури підкладки у вакуумі призводять до зростання значень напруги холостого ходу та коефіцієнту корисної дії досліджених гнучких сонячних елементів ITO/CdS/CdTe/Cu/Au.
Оптичні властивості тонких плівок CdS, отриманих магнетронним розпиленням на постійному струмі
(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2017) Суддя, О. В.; Харченко, Микола Михайлович; Доброжан, Андрій Ігорович; Копач, Галина Іванівна
Структура та оптичні властивості плівок CdS, отриманих методом магнетронного розпилення
(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2017) Доброжан, Андрій Ігорович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Копач, Галина Іванівна; Харченко, Микола Михайлович
Методичні вказівки до лабораторних робіт "Визначення типу, концентрації і рухливості основних носіїв заряду в напівпровідниках" з розділу "Дослідження електронних параметрів напівпровідників термоелектричним та гальваномагнітними методами" дисципліни "Фізичні методи дослідження матеріалів"
(НТУ "ХПІ", 2009) Копач, Володимир Романович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Харченко, Микола Михайлович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович
Методичні вказівки до лабораторних робіт з розділу "Дослідження електронних параметрів напівпровідників термоелектричним та гальвано-магнітними методами" дисципліни "Фізичні методи дослідження матеріалів" стосуються чотирьох лабораторних робіт: "Визначення типу основних носіїв заряду в напівпровідниках термоелектричним методом", "Визначення параметрів основних носіїв заряду в напівпровідниках шляхом виміру електрорушійної сили Холла", "Визначення параметрів основних носіїв заряду в напівпровідниках методом Ван-дер-Пау" і "Визначення рухливості основних носіїв заряду в напівпровідниках шляхом виміру геометричного магнетоопору"