Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 2 з 2
  • Ескіз
    Документ
    Вплив робочої температури на ефективність плівкових сонячних елементів
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2018) Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Прокопенко, Д. С.; Хрипунов, Геннадій Семенович
  • Ескіз
    Документ
    Спосіб виготовлення детектора ультрафіолетового випромінювання
    (ДП "Український інститут інтелектуальної власності", 2016) Клєпікова, Катерина Сергіївна; Копач, Володимир Романович; Клочко, Наталя Петрівна; Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Любов, Віктор Миколаєвич
    Спосіб виготовлення детектора ультрафіолетового випромінювання на основі наноструктурованих масивів цинк оксиду із конфігурацією шарів "провідна підкладка|наноZnO|тильний контакт". Формування наноструктурованих масивів ZnO здійснюють технологією електроосадження в імпульсному режимі із подальшим відпалом на повітрі при температурі 240-260 °C протягом 3-6 хв. Тильні контакти виконані у вигляді плівки алюмінію, сформованої вакуумним осадженням на верхніх торцях наноструктурованих масивів ZnO шляхом випаровування Al під кутом 65-75° від нормалі до підкладки. Освітлення здійснюють зі сторони підкладки з прозорого для ультрафіолету скла, вкритого прозорою для УФ електропровідною плівкою.