Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
  • Ескіз
    Документ
    Crystal Structure of Nanoscale Tin Dioxide Films Produced by Magnetron Sputtering
    (Kyiv polytechnic institute, 2014) Sokol, Yevgen I. ; Pirohov, O. V.; Klochko, N. P.; Novikov, V. A.; Khrypunov, G. S.; Klepikova, K. S.
    Investigation of direct current magnetron sputtering parameters effects on the crystal structure of gas sensitive tin dioxide films has revealed that the change in the substrate temperature and in the film thickness leads to the transition from the condensation of metastable conglomerates of amorphous globules to the ≈15 nm SnO₂ crystallites with three-dimensional shape and well-defined edges. The dependence of the SnO₂ structure from the working Ar-O₂ gas mixtures and from their humidity evidences the significant role of the adsorption in the kinetics of the magnetron sputtering of tin dioxide. Due to the adsorption the morphological and dimensional characteristics of the tin dioxide films demonstrate the anomalous stability of the amorphous globules with their enhanced specific surface energy and the stabilization of the amorphous state, selectively retained even after the SnO₂ film reach in general the critical thickness of the crystallization.