Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Фільтри

2019 - 201912020 - 20213

Налаштування

Автор: search.filters.author.Khrypunova, I. V.Ключові слова: search.filters.subject.zinc oxide

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 4 з 4
  • Ескіз
    Документ
    Superhydrophobic textiles with fibers coated by nanosctructured indium-doped zinc oxide layers
    (Kamianets-Podіlskyi National Ivan Ohiienko University, 2020) Klochko, N. P.; Khrypunova, I. V.; Klepikova, K. S.; Kopach, V. R.; Zhadan, D. O.; Petrushenko, S. I.; Dukarov, S. V.; Lyubov, V. M.; Kirichenko, M. V.
  • Ескіз
    Документ
    Wettability of the cotton and polyester tissues coated by nanostructured indium-doped zinc oxide layers
    (Ivan Franko National University of Lviv, 2020) Klochko, N. P.; Khrypunova, I. V.; Klepikova, K. S.; Kopach, V. R.; Zhadan, D. O.; Petrushenko, S. I.; Dukarov, S. V.; Lyubov, V. M.; Kirichenko, M. V.; Khrypunova, A. L.
  • Ескіз
    Документ
    Effect of Glow-discharge Hydrogen Plasma Treatment on Zinc Oxide Layers Prepared through Pulsed Electrochemical Deposition and via SILAR Method
    (Sumy State University, 2019) Klochko, N. P.; Klepikova, K. S.; Petrushenko, S. I.; Nikitin, A. V.; Kopach, V. R.; Khrypunova, I. V.; Zhadan, D. O.; Dukarov, S. V.; Lyubov, V. M.; Khrypunova, A. L.
    In this work, we investigated the effect of glow-discharge H₂⁺ plasma treatment on ZnO layers deposited on fluorine doped tin oxide (FTO) glass substrates through low temperature aqueous solution growth, namely, via a pulsed electrochemical deposition and by successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) technique. It is shown that the crystal structure, surface morphology, chemical composition and optical properties obtain some destructive changes after plasma processing due to the creation of oxygen vacancies Vo and H-related defects, and additionally, because of the zinc oxide etching by the glow-discharge H₂⁺ plasma through reduction of zinc oxide and evaporation of Zn from the surface. Neverthe-less, our investigations show quite good stability of the ZnO layers to the plasma-induced radiation and chemical impacts under high total H₂⁺ fluence received by every ZnO/FTO sample ~ 8·10¹⁸ cm⁻².
  • Ескіз
    Документ
    Flexible thermoelectric module based on zinc oxide thin film grown via SILAR
    (2021) Klochko, N. P.; Klepikova, K. S.; Khrypunova, I. V.; Zhadan, D. O.; Petrushenko, S. I.; Kopach, V. R.; Dukarov, S. V.; Sukhov, V. M.; Kirichenko, M. V.; Khrypunova, A. L.
    In this work, we used the low temperature solution growth Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) for a deposition of the nanostructured undoped and indium doped (ZnO and ZnO:In) thin films on flexible polyimide (PI) substrates for their use as cheap non-toxic thermoelectric materials in the flexible thermoelectric modules of planar type to power up portable and wearable electronics and miniature devices. The use of a zincate solution in the SILAR method allows to obtain ZnO:In film, which after post-growth annealing at 300 ◦C has low resistivity ρ ≈ 0.02 Ω m, and high Seebeck coefficient 147 μV/K and thermoelectric power factor at near-room temperatures. As evidence of the operability of the manufactured films as the basis of the TE device, we have designed and tested experimental lightweight thin-film thermoelectric module. This TE module is able to produce specific output power 0.8 μW/m2 at ΔT = 50 K.