Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Фільтри

2018 - 201932020 - 20214

Налаштування

Автор: search.filters.author.Khrypunova, I. V.

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 7 з 7
  • Ескіз
    Документ
    Effect of extraterrestrial solar UV radiation on structure and properties of ZnO films obtained by wet chemical methods
    (Vasyl Stefanyk Precarpatian National University, 2019) Klochko, N. P.; Khrypunova, I. V.; Klepikova, K. S.; Petrushenko, S. I.; Kopach, V. R.; Zhadan, D. O.; Khrypunova, A. L.; Dukarov, S. V.; Lyubov, V. M.; Kirichenko, M. V.
  • Ескіз
    Документ
    Superhydrophobic textiles with fibers coated by nanosctructured indium-doped zinc oxide layers
    (Kamianets-Podіlskyi National Ivan Ohiienko University, 2020) Klochko, N. P.; Khrypunova, I. V.; Klepikova, K. S.; Kopach, V. R.; Zhadan, D. O.; Petrushenko, S. I.; Dukarov, S. V.; Lyubov, V. M.; Kirichenko, M. V.
  • Ескіз
    Документ
    Wettability of the cotton and polyester tissues coated by nanostructured indium-doped zinc oxide layers
    (Ivan Franko National University of Lviv, 2020) Klochko, N. P.; Khrypunova, I. V.; Klepikova, K. S.; Kopach, V. R.; Zhadan, D. O.; Petrushenko, S. I.; Dukarov, S. V.; Lyubov, V. M.; Kirichenko, M. V.; Khrypunova, A. L.
  • Ескіз
    Документ
    Nanostructured ZnO and CuI Thin Films on Poly (Ethylene Terephthalate) Tapes for UV-Shielding Applications
    (Sumy State University, 2020) Klochko, N. P.; Klepikova, K. S.; Zhadan, D. O.; Kopach, V. R.; Khrypunova, I. V.; Petrushenko, S. I.; Dukarov, S. V.; Lyubov, V. M.; Khrypunova, A. L.
    In this work, we study a suitability for protection against terrestrial ultraviolet part of the solar spectrum of undoped and doped by indium zinc oxide thin nanostructured films, ZnO and ZnO:In, respectively, and cuprous iodide (CuI) films obtained via Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) techniques on the lightweight low cost poly(ethylene terephthalate) (PET) flexible substrates. The film morphology is observed by scanning electron microscopy (SEM). Chemical compositions of the films are investigated by X-ray fluorescence (XRF) microanalysis. To research crystal structure we used X-ray diffraction (XRD) method. The UV-protection ability of the nanostructured thin films, PET tapes and samples consisting of the PET substrates and the films deposited on them by the SILAR method has been evaluated on the base of their optical properties in accordance with an international standard ISO 2443:2012(E) “Determination of sunscreen UVA photoprotection in vitro”. According to the research, nanostructured ZnO, ZnO:In and CuI thin films made by the cheap, affordable, and suitable for mass production SILAR method on thin flexible cheap PET substrates have been proposed as a new material for UV-shielding applications. In accordance with an international standard ISO 2443:2012(E), UV-protection ability of the samples consisting of the PET substrates and the films deposited on them by the SILAR method fits the category “excellent” (50+). The best low cost flexible and lightweight UV shielding material turned out to be that consisted from ZnO:In film and PET substrate, the sun protection factor of which equals 157.
  • Ескіз
    Документ
    Effect of Glow-discharge Hydrogen Plasma Treatment on Zinc Oxide Layers Prepared through Pulsed Electrochemical Deposition and via SILAR Method
    (Sumy State University, 2019) Klochko, N. P.; Klepikova, K. S.; Petrushenko, S. I.; Nikitin, A. V.; Kopach, V. R.; Khrypunova, I. V.; Zhadan, D. O.; Dukarov, S. V.; Lyubov, V. M.; Khrypunova, A. L.
    In this work, we investigated the effect of glow-discharge H₂⁺ plasma treatment on ZnO layers deposited on fluorine doped tin oxide (FTO) glass substrates through low temperature aqueous solution growth, namely, via a pulsed electrochemical deposition and by successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) technique. It is shown that the crystal structure, surface morphology, chemical composition and optical properties obtain some destructive changes after plasma processing due to the creation of oxygen vacancies Vo and H-related defects, and additionally, because of the zinc oxide etching by the glow-discharge H₂⁺ plasma through reduction of zinc oxide and evaporation of Zn from the surface. Neverthe-less, our investigations show quite good stability of the ZnO layers to the plasma-induced radiation and chemical impacts under high total H₂⁺ fluence received by every ZnO/FTO sample ~ 8·10¹⁸ cm⁻².
  • Ескіз
    Документ
    Flexible thermoelectric module based on zinc oxide thin film grown via SILAR
    (2021) Klochko, N. P.; Klepikova, K. S.; Khrypunova, I. V.; Zhadan, D. O.; Petrushenko, S. I.; Kopach, V. R.; Dukarov, S. V.; Sukhov, V. M.; Kirichenko, M. V.; Khrypunova, A. L.
    In this work, we used the low temperature solution growth Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) for a deposition of the nanostructured undoped and indium doped (ZnO and ZnO:In) thin films on flexible polyimide (PI) substrates for their use as cheap non-toxic thermoelectric materials in the flexible thermoelectric modules of planar type to power up portable and wearable electronics and miniature devices. The use of a zincate solution in the SILAR method allows to obtain ZnO:In film, which after post-growth annealing at 300 ◦C has low resistivity ρ ≈ 0.02 Ω m, and high Seebeck coefficient 147 μV/K and thermoelectric power factor at near-room temperatures. As evidence of the operability of the manufactured films as the basis of the TE device, we have designed and tested experimental lightweight thin-film thermoelectric module. This TE module is able to produce specific output power 0.8 μW/m2 at ΔT = 50 K.
  • Ескіз
    Документ
    Flexible thin films for solar cells based on cadmium sulfide
    (НТУ "ХПІ", 2018) Zaitsev, R. V.; Khrypunov, M. G.; Kirichenko, M. V.; Khrypunova, I. V.
    For the purpose of creation of the economic, suitable for large-scale application technology of formation of a layer of wide-scale "window", for thin-film photo-electric converters on the basis of sulfide and telluride of cadmium the pilot studies of temperature effect of a deposition of the films of sulfide of cadmium received by method of magnetron dispersion on a direct current on their optical properties and crystalline structure were conducted. By method of a two-channel optical spectroscopy it is established that a deposition of films of sulfide of cadmium at a temperature of 160 °C allows to form layers with a width of forbidden region of 1,41 eV that approaches value, characteristic of monocrystals, and the density of the photon flux passing through a cadmium sulfide layer in a spectral interval of a photosensitivity of telluride of cadmium at the level of 37,0 W·nm·cm².