Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Фільтри

20172

Налаштування

Автор: search.filters.author.Veselova, N. V.ORCID: search.filters.orcid.https://orcid.org/0000-0002-4847-506X

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 2 з 2
  • Ескіз
    Документ
    The Сadmium Telluride Thin Films for Flexible Solar Cell Received by Magnetron Dispersion Method
    (Sumy State University, 2017) Zaitsev, R. V.; Khrypunov, G. S.; Veselova, N. V.; Kirichenko, M. V.; Kharchenko, M. M.; Zaitseva, L. V.
    For the purpose of creation of thin-film photoelectric converters on the basis of sulfide and telluride of cadmium the pilot studies of process of magnetron dispersion on a direct current of telluride of cadmium and influence of the modes of magnetron dispersion on crystalline structure of films of CdTe are conducted. CdTe films for basic layers of sheet photoelectric converters on flexible polyimide substrate by the method of magnetron dispersion on a direct current are received for the first time. It is experimentally shown that "chloride" processing of the received layers of telluride of cadmium leads to transformation of metastable hexagonal modification of telluride of cadmium in stable cubic. At the same time at the expense of the eutectic recrystallization body height of the sizes of areas of a coherent dispelling much and decrease by 1,5 times of level of microstrains is observed.
  • Ескіз
    Документ
    Increasing of the effectiveness of the industrial silicon photo-electric transformers for the hybrid photo-power module
    (Луцький національний технічний університет, 2017) Zaytsev, R. V.; Kirichenko, M. V.; Zaytseva, L. V.; Veselova, N. V.
    Possibilities of increase in effectiveness over 20% for Chinese made silicon photo-electric transformers have been investigated. By the method of computer designing operation it is established that the lifetimes of nonequilibrium charge carriers realized in such photo-electric transformers which make 520 mcs do not limit a possibility of increasing their efficiency over 20%. It is shown that increase in density of a photo current up to 43.1 mA/cm² leads up to 20.1% to body height of efficiency, and decrease in density of the diode saturation current to 3.1∙10⁻¹‌⁴ A/cm² - causes body height of efficiency to 20.4%. Simultaneous change of these of a diode characteristic leads to increase of efficiency up to 23.1%. In work physicotechnological approaches for increase in density of a photo current and decrease of density of the diode saturation current in ready photo-electric transformers are offered.