Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Фільтри

2008 - 200912010 - 20167

Налаштування

Автор: search.filters.author.Zaitsev, R. V.Ключові слова: search.filters.subject.electric power

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 8 з 8
  • Ескіз
    Документ
    Automation of Quasi-Closed Space Method Based on ARM Microcontroller
    (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2016) Zaitsev, R. V.; Kirichenko, M. V.; Prokopenko, D. S.; Zaitseva, L. V.
  • Ескіз
    Документ
    Near Ultraviolet Photodetector Based on Electrodeposited in Pulse Mode Zinc Oxide Arrays
    (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2016) Klepikova, K. S.; Klochko, N. P.; Kopach, V. R.; Khrypunov, G. S.; Lubov, V. M.; Zaitsev, R. V.; Kirichenko, M. V.
  • Ескіз
    Документ
    Hybrid thermophotoenergy module with thin-film solar cells
    (Taras Shevchenko National University of Kyiv, 2016) Zaitsev, R. V.; Zaitseva, L. V.; Kirichenko, M. V.
  • Ескіз
    Документ
    Investigation the parameters of multijunction single crystal silicon solar cells with vertical diode cells test samples
    (Institute for Radiophysics and Electronics of the National academy of sciences of Ukraine, 2014) Polezhaeva, O. V.; Zaitsev, R. V.; Kopach, V. R.; Kirichenko, M. V.
  • Ескіз
    Документ
    Attestation of solar cells by back EMF method
    (Institute for Radiophysics and Electronics of the National academy of sciences of Ukraine, 2014) Lobatenko, D. D.; Kirichenko, M. V.; Zaitsev, R. V.; Kopach, V. R.
  • Ескіз
    Документ
    Development and approbation the automatization complex current-voltage characteristics measurement
    (Institute for Radiophysics and Electronics of the National academy of sciences of Ukraine, 2014) Prokopenko, D. S.; Zaitsev, R. V.; Kirichenko, M. V.
  • Ескіз
    Документ
    Double-layer ITO/Al back surface reflector for single-junction silicon photoconverters
    (Scientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals", 2008) Kopach, V. R.; Kirichenko, M. V.; Shramko, S. V.; Zaitsev, R. V.
    It has been shown that to increase the efficiency and manufacturability of single-crystal silicon photovoltaic solar energy converters (Si-PVC) with 180-200 μm thick base crystals having a polished photoreceiving surface and double-layer back surface reflector (BSR) consisting of a transparent oxide and aluminum layers, a conductive transparent indium-tin oxide (ITO) layer of 0.25 μm interference thickness is to be used as the nonmetallic BSR layer. It provides the ITO/Al BSR reflection coefficient in the range of 85 < R < 96 % for solar radiation photoactive component incident the Si-PVC back surface at substantially zero contribution of ITO layer resistance to the device series resistance. In the case of Si-PVC with inverted pyramid type texture of crystal photoreceiving surface at which the specificity of light distribution in the crystal causes total reflection of radiation from Si/ITO interface, the ITO layer thickness should be experimentally optimized in the 1-2 μm range independently of base crystal thickness to minimize the photoactive radiation losses and ITO layer resistance.
  • Ескіз
    Документ
    High-voltage power take-off system for photovoltaic station
    (Кременчуцький національний університет ім. Михайла Остроградського, 2016) Zaitsev, R. V.; Kirichenko, M. V.; Khrypunov, G. S.; Prokopenko, D. S.