Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 6 з 6

Technology Bases of Combined Photovoltaic Systems
(2023) Zaitsev, Roman; Kirichenko, Mykhailo; Minakova, Kseniia; Khrypunov, Gennadiy; Nikitin, Viktor
This work is subject to copyright. All rights are solely and exclusively licensed by the Publisher, whether the whole or part of the material is concerned, specifically the rights of translation, reprinting, reuse of illustrations, recitation, broadcasting, reproduction on microfilms or in any other physical way, and transmission or information storage and retrieval, electronic adaptation, computer software, or by similar or dissimilar methodology now known or hereafter developed. The use of general descriptive names, registered names, trademarks, service marks, etc. in this publication does not imply, even in the absence of a specific statement, that such names are exempt from the relevant protective laws and regulations and therefore free for general use. The publisher, the authors and the editors are safe to assume that the advice and information in this book are believed to be true and accurate at the date of publication. Neither the publisher nor the authors or the editors give a warranty, expressed or implied, with respect to the material contained herein or for any errors or omissions that may have been made.
Фізика напівпровідникових приладів
(2023) Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Мінакова, Ксенія Олександрівна
Оскільки з фізики напівпровідників є велика кількість літератури, у розділі з відповідними посиланнями конспективно викладено ті відомості, які будуть використані під час аналізу властивостей напівпровідникових приладів, і навіть дані необхідні визначення. Основна увага приділена напівпровідниковим матеріалам, які широко застосовуються для виготовлення електронних приладів - моноатомним напівпровідникам кремнію (Si) та германію (Ge), а також напівпровідниковим сполукам А3В5, з яких найбільше освоєно арсенід галію (GaAs). Математичні формули максимально спрощені з урахуванням специфіки цих матеріалів, і навіть умов експлуатації виробів (обмежений температурний спектр). Далі в посібнику наведений матеріал буде використаний для необхідних посилань, щоб не перевантажувати викладками основний текст.
Квантова електроніка
(ФОП Середняк Т. К., 2023) Мінакова, Ксенія Олександрівна; Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович
Квантова електроніка і оптоелектроніка достатньо молоді науки. Квантова електроніка вивчає поглинання і випромінювання енергії атомів і молекул речовини при переходах з одного енергетичного рівня на інший.
Аналіз ефективності схем активного балансування акумуляторних батарей
(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2021) Стисло, Богдан Олександрович; Зайцев, Роман Валентинович; Мінакова, Ксенія Олександрівна; Кіріченко, Михайло Валерійович; Єресько, Олександр В'ячеславович
В роботі виконано огляд існуючих схемних рішень пристроїв для балансування акумуляторних батарей. Описано принцип балансування на основі ємнісного та індуктивного буферного елемента. Показано особливості їх роботи і основні розрахунки кожного з типів пристроїв. Для схем з трансформаторною топологією вказано розрахункові значення для визначення балансуючого струму. На підставі аналізу схемних рішень, чисельно визначено і доведено ефективність використання схемних рішень на основі індуктивних буферних елементів. Потужні акумуляторні батареї для систем електричного живлення використовуються у вигляді стеків, що складаються з послідовно-паралельного з’єднання одиничних накопичувачів. Під час їх експлуатації виникає проблема нерівномірного розряду або заряду, для компенсації якої необхідно виконувати балансування рівнів напруги в акумуляторах стеку. Безпека використання електрохімічних накопичувачів вимагає застосування спеціалізованих балансуючих пристроїв. Найбільш ефективними, з енергетичної точки зору, є системи активного балансування. Аналіз математичної моделі роботи двох типів буферних елементів (ємнісного та індуктивного) дозволив дати якісну оцінку їх ефективності. Перші, в порівнянні з індуктивними - не тільки мають гірші енергетичні характеристики, але і не дозволяють виконувати «масштабування» пристрою без істотного ускладнення системи управління. Амплітудне значення струму у схемах з ємнісним буферним елементом обмежене лише внутрішніми паразитними опорами елементів схеми, тому, при відносно великому значенні розбалансування, в елементах схеми (в тому числі акумуляторних батареях) виділяється значна величина енергії втрат у вигляді теплової енергії, що негативно позначається на параметрах акумуляторної батареї. Амплітудне значення струму в схемі на основі індуктивних буферних елементів обмежене величиною індуктивності. Воно може бути розраховане на етапі проектування пристрою. Крім того, забезпечення системою керування переривчастого режиму роботи перетворювача дозволяє зменшити комутаційні втрати в силових ключах схеми і дозволяє підвищити ефективність роботи в цілому. При великій кількості накопичувачів (більше трьох) слід віддати перевагу трансформаторним системам балансування, як окремого випадку індуктивної топології.
Методичні вказівки до лекційних зайнять з дисципліни "Оптоелектронні прилади"
(ТОВ "Друкарня Мадрид", 2021) Мінакова, Ксенія Олександрівна; Зайцев, Роман Валентинович; Веретеннікова, Юлія Ігорівна; Хрипунов, Геннадій Семенович
Оптоелектроніка - це дисципліна, що вивчає фізичні принципи управління оптичними та електронними процесами в різних матеріальних середовищах з метою передачі, прийому, обробки, зберігання і відображення інформації. Для оптоелектроніки характерний синтез ідей багатьох природничо-наукових дисциплін (фізики твердого тіла, напівпровідникової і квантової електроніки, оптики та ін.). Проте вона являє собою цілісну науку, що має власний напрям досліджень і використовує для вирішення зазначених завдань ряд фундаментальних фізичних явищ. Основний напрямок сучасної оптоелектроніки - управління інформаційними процесами в мікро- та наноструктурах, тобто прагнення до інтеграції джерел, приймачів і елементів управління випромінюванням в єдиному кристалі або гібридній структурі. Основним принципом оптоелектроніки є використання в якості матеріального носія інформації поряд з електроном електрично нейтрального фотона. Однак на відміну від звичайної електроніки і оптики в оптоелектроніці можлива зміна носія інформації в процесі обробки сигналу.
Capacitive transducers based ITO/polyimide/Al2O3 thin film structure
(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2020) Zaitseva, Liliia; Vodoriz, Olga; Zaitsev, Roman
It has been developed and approbated prototypes of thin-film capacitor transducers based on Al/ITO/polyimide/Al2O3 heterosystem for capacitive acoustic control in metal objects in the modes of simultaneous acoustic signal reception and generation by capacitive transducers and in certain modes of acoustic signal generating or receiving that can realize objects monitoring with sensitivity at the level of piezoelectric transducers. The developed prototype of thin film capacitive transducer for monitoring pipelines by longwave capacitive method allows increasing the maximum distance between the capacitive transducers up to 10 meters. At a substrate temperature of 300 oC and a specific power of the magnetron of 0.31 W/cm2 on Upilex polyimide films were obtained layers of capacitive transducers with a thickness of 0.2-concentration of charge carriers was 8,3·1020 cm-3 and mobility - 44 cm2/(V·s). It has been engineered the thin film capacitive transducers which by using the polyamide film with 15 microns thickness of and alumina film with 1 micron thickness allow to increase the sensitivity of such method in 7-8 times, and the additional use of thin crystalline Al2O3 films deposited on a substrate of polyimide, allows to increase the value of the dielectric constant of the layer of the capacitive transduser from 3-4 relative units to 8.5-11.5 relative units. Experimental studies of the crystal structure of the developed transducers by X - ray diffractometry and research of their dielectric properties were carried out. The device was tested and the possibility of its use was shown along with the generally accepted methods of defectoscopy. It is shown that using the magnetron sputtering technology, which provides high adhesion to polyimide substrate layers, made possible produce the capacitive transducers for objects with various shape. Proposed and patented: capacitor method for receiving acoustic signals in non-destructive control and transducer of ultrasonic acoustic wave’s excitation and receiving.