Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Фільтри

2017 - 20182

Налаштування

Містить файли: ТакКлючові слова: search.filters.subject.light diode characteristics

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 2 з 2
  • Ескіз
    Документ
    Increasing of the effectiveness of the industrial silicon photo-electric transformers for the hybrid photo-power module
    (Луцький національний технічний університет, 2017) Zaytsev, R. V.; Kirichenko, M. V.; Zaytseva, L. V.; Veselova, N. V.
    Possibilities of increase in effectiveness over 20% for Chinese made silicon photo-electric transformers have been investigated. By the method of computer designing operation it is established that the lifetimes of nonequilibrium charge carriers realized in such photo-electric transformers which make 520 mcs do not limit a possibility of increasing their efficiency over 20%. It is shown that increase in density of a photo current up to 43.1 mA/cm² leads up to 20.1% to body height of efficiency, and decrease in density of the diode saturation current to 3.1∙10⁻¹‌⁴ A/cm² - causes body height of efficiency to 20.4%. Simultaneous change of these of a diode characteristic leads to increase of efficiency up to 23.1%. In work physicotechnological approaches for increase in density of a photo current and decrease of density of the diode saturation current in ready photo-electric transformers are offered.
  • Ескіз
    Документ
    Physical and technological foundations of the "Chloride" treatment of cadmium telluride layers for thin-film photoelectric converters
    (Сумський державний університет, 2018) Kudii, D. A.; Khrypunov, M. G.; Zaitsev, R. V.; Khrypunova, A. L.
    The process of deposition of cadmium chloride films during the "chloride" treatment of cadmium telluride base layers for thin-film photoelectric converters (PEC) was studied. It is established that to ensure the reproducibility of the thickness and phase composition of cadmium chloride films, it is necessary to take into account the high hygroscopicity of this material. It is shown that the optimal growth rate of cadmium chloride films is 0.1 μm perminute. At high growth rates, cadmium chloride particulates are deposited on the surface of the CdTe layer base, which causes shunting of the PEC during the "chloride" treat-ment. It is determined that after the "chloride" treatment of CdTe layers, a coarse-grained structure is observed, which is predominantly oriented in the thermodynamic equilibrium direction. In this case, the average grain size increases to 5 μm. It is shown that when performing a "chloride" treatment, the optimum purity of cadmium chloride layers is 98 %, which is due to the doping of CdTe with copper atoms. The disadvantage of copper with the use of more pure cadmium chloride reduces the efficiency of the PEC due to the increase in the series resistivity and the decrease in the photocurrent density. It has been experimentally determined that the optimum thickness of cadmium chloride during the "chloride" treatment and the efficiency of the PEC obtained at the same time depends on the substrate used. Thus, for the ITO/CdS/CdTe/Cu/Au PEC, the optimum thickness of cadmium chloride is 0.40 μm, the efficiency is 9.6 %, and for the NaCl/ITO/CdS/CdTe/Cu/Au PEC – 0.10 μm and 6.4 %, respectively.