Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 10 з 11
  • Ескіз
    Документ
    Автоматизированный измерительный комплекс вольт-амперных характеристик фотоэлектрических преобразователей
    (Кременчуцький національний університет ім. Михайла Остроградського, 2014) Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил Валерьевич; Харченко, Н. М.; Лукьянов, Евгений Александрович
  • Ескіз
    Документ
    Компьютеризированный измерительный комплекс вольт-амперных характеристик
    (Національний університет кораблебудування ім. адмірала Макарова, 2015) Прокопенко, Дмитрий Сергеевич; Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил Валерьевич
  • Ескіз
    Документ
    Применение импульсного осветителя для контроля пространственного распределения времени жизни неосновных носителей заряда в кремниевых фотоэлектрических преобразователях
    (Національний університет кораблебудування ім. адмірала Макарова, 2015) Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил Валерьевич; Иванов, А. Л.; Хрипунов, Геннадий Семенович
  • Ескіз
    Документ
    Антиотражающие наноструктурированные массивы оксида цинка, изготовленные методом импульсного электроосаждения
    (Наука, 2015) Клочко, Наталья Петровна; Клепикова, Екатерина Сергеевна; Хрипунов, Геннадий Семенович; Волкова, Неонила Дмитриевна; Копач, Владимир Романович; Любов, Виктор Николаевич; Кириченко, Михаил Валерьевич; Копач, А. В.
    С целью создания антиотражающих покрытий для солнечных элементов исследованы условия импульсного электрохимического осаждения из водных электролитов наноструктурированных массивов оксида цинка с определенными морфологией, кристаллической структурой и оптическими свойствами на подложках из прозрачного электропроводного диоксида олова и на пластинах монокристаллического кремния со встроенными гомопереходами. Показана возможность получения планарных однослойных антиотражающих покрытий или массивов наностержней этого материала, как имеющих форму шестигранных призм, так и демонстрирующих эффект глаза ночной бабочки.
  • Ескіз
    Документ
    Автоматизированный измерительный комплекс вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов
    (Пермский национальный исследовательский политехнический университет, 2015) Прокопенко, Дмитрий Сергеевич; Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил Валерьевич
  • Ескіз
    Документ
    Создание и апробация автоматизированного комплекса для измерения вольт-амперных характеристик
    (Вінницький національний технічний університет, 2014) Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил Валерьевич
  • Ескіз
    Документ
    Фазовые превращения при металлизации Ag−In и сращивании вертикальных диодных ячеек многопереходных солнечных элементов
    (Наука, 2013) Клочко, Наталья Петровна; Хрипунов, Геннадий Семенович; Волкова, Неонила Дмитриевна; Копач, Владимир Романович; Любов, Виктор Николаевич; Кириченко, Михаил Валерьевич; Момотенко, Александра Витальевна; Харченко, Н. М.; Никитин, В. А.
    Исследованы условия сращивания кремниевых многопереходных солнечных элементов с вертикальными p−n-переходами с помощью припоя системы Ag−In. Изучались композиции из электроосажденных пленок индия на посеребренных методом трафаретной печати кремниевых пластинах и изготовленные путем послойного электрохимического осаждения пленки серебра и индия на поверхности посеребренных в вакууме кремниевых вертикальных диодных ячеек. Исследование условий электрохимического осаждения, структуры и морфологии поверхности полученных слоев показало, что для гарантированного сращивания допустимо использование 8-минутной термообработки при 400◦C под давлением стопки металлизированных кремниевых пластин, однако соотношение толщин слоев индия и серебра не должно превышать 1 : 3. При выполнении данного условия припой после сращивания пластин имеет структуру InAg3 (или InAg3 с примесью фазы Ag), благодаря чему температура плавления спая превышает 700◦C, что гарантированно обеспечивает функционирование таких солнечных элементов в условиях концентрированного освещения.
  • Ескіз
    Документ
    Исследование рабочих характеристик автоматизированного имитатора солнечного излучения
    (Національний університет кораблебудування ім. адмірала Макарова, 2015) Полежаева, О. В.; Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил Валерьевич
  • Ескіз
    Документ
    Разработка системы автоматизации измерений параметров полупроводниковых приборов
    (Чернігівський національний технологічний університет, 2015) Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил Валерьевич
    Основным методом определения параметров полупроводниковых приборов является метод измерения и аналитической обработки их вольтамперных характеристик (ВАХ). Существующие на сегодняшний день измерительные комплексы для реализации этого метода представляют собой дорогие и сложные системы, которые экономически не выгодно использовать в условиях отечественного производства. В работе разработан экономичный автоматизированный измерительный комплекс ВАХ на основе микроконтроллерной системы управления с соответствующим программным обеспечением, позволяющий в связке с компьютером проводить экспрессную аттестацию фотоэлектрических преобразователей и полупроводниковых приборов по их вольтамперным характеристикам. Апробация комплекса показала его способность проводить измерения ВАХ с достаточно высокой точностью при средней погрешности измерения не больше 1 %.
  • Ескіз
    Документ
    Влияние длительного хранения и напряжения прямой полярности на КПД пленочных соленчных элементов на основе CdS/CdTe
    (Наука, 2011) Хрипунов, Геннадий Семенович; Копач, Владимир Романович; Мериуц, Андрей Владимирович; Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил Валерьевич; Дейнеко, Наталья Викторовна
    Эффект хранения в течение 48 месяцев и субпоследовательное действие напряжения прямой полярности на КПД тонкопленочных солнечных элементов с исходным n⁺ -ITO/n-CdS/p-CdTe/Cu/Au слоистую структуру изучали методами токовольтажные и емкостные характеристики. На основе этих результатов улучшена физическая модель такого типа солнечных батарей деградация клеток под действием указанных факторов. Условия, обеспечивающие частичное восстановление солнечных элементов эффективность после их деградации под действием прямого вытеснения напряжение n−p гетероперехода меньше напряжения холостого хода солнечных батарей определяются экспериментально.