Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Фільтри

2014 - 20195

Налаштування

Ключові слова: search.filters.subject.постійний струм

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 5 з 5
  • Ескіз
    Документ
    Вплив фізико-технічних режимів магнетронного розпилення на структуру та оптичні властивості плівок CdS та CdTe
    (ПП Щербатих О. В., 2016) Копач, Галина Іванівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Харченко, Микола Михайлович; Доброжан, Андрій Ігорович
  • Ескіз
    Документ
    The Сadmium Telluride Thin Films for Flexible Solar Cell Received by Magnetron Dispersion Method
    (Sumy State University, 2017) Zaitsev, R. V.; Khrypunov, G. S.; Veselova, N. V.; Kirichenko, M. V.; Kharchenko, M. M.; Zaitseva, L. V.
    For the purpose of creation of thin-film photoelectric converters on the basis of sulfide and telluride of cadmium the pilot studies of process of magnetron dispersion on a direct current of telluride of cadmium and influence of the modes of magnetron dispersion on crystalline structure of films of CdTe are conducted. CdTe films for basic layers of sheet photoelectric converters on flexible polyimide substrate by the method of magnetron dispersion on a direct current are received for the first time. It is experimentally shown that "chloride" processing of the received layers of telluride of cadmium leads to transformation of metastable hexagonal modification of telluride of cadmium in stable cubic. At the same time at the expense of the eutectic recrystallization body height of the sizes of areas of a coherent dispelling much and decrease by 1,5 times of level of microstrains is observed.
  • Ескіз
    Документ
    Світлодіодно-галогеновий освітлювач
    (ДП "Український інститут промислової власності", 2014) Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Копач, Володимир Романович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Лук'янов, Євген Олександрович
  • Ескіз
    Документ
    Вплив жорсткого ультрафіолету на структуру та оптичні властивості шарів CdS та CdTe
    (Прикарпатський національний університет ім. Василя Стефаника, 2019) Копач, Галина Іванівна; Доброжан, Андрій Ігорович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Мигущенко, Руслан Павлович; Кропачек, Ольга Юріївна; Зайцев, Роман Валентинович; Меріуц, Андрій Володимирович
    Досліджено вплив жорсткого ультрафіолетового випромінювання на кристалічну структуру, морфологію поверхні та оптичні характеристики напівпровідникових шарів CdS та CdTe, отриманих магнетронним розпиленням на постійному струмі. Встановлено, що оптичні характеристики досліджених плівок CdS та CdTe нечутливі до опромінення жорстким ультрафіолетом. Кристалічна структура шарів плівок CdS і CdTe після опромінення змінюються. Період ґратки для плівок сульфіду кадмію збільшується від с = 6,77(01) Å до с = 6,78(88) Å, що може бути пов'язано з утворенням точкових дефектів та дефектних комплексів. В результаті опромінення жорстким ультрафіолетом спостерігається зменшення ширини піків на рентгендифрактограмах шарів CdS і CdTe, що пов'язано зі збільшенням областей когерентного розсіювання в результаті часткової рекристалізації приповерхневих шарів досліджених плівок.
  • Ескіз
    Документ
    Flexible thin films for solar cells based on cadmium sulfide
    (НТУ "ХПІ", 2018) Zaitsev, R. V.; Khrypunov, M. G.; Kirichenko, M. V.; Khrypunova, I. V.
    For the purpose of creation of the economic, suitable for large-scale application technology of formation of a layer of wide-scale "window", for thin-film photo-electric converters on the basis of sulfide and telluride of cadmium the pilot studies of temperature effect of a deposition of the films of sulfide of cadmium received by method of magnetron dispersion on a direct current on their optical properties and crystalline structure were conducted. By method of a two-channel optical spectroscopy it is established that a deposition of films of sulfide of cadmium at a temperature of 160 °C allows to form layers with a width of forbidden region of 1,41 eV that approaches value, characteristic of monocrystals, and the density of the photon flux passing through a cadmium sulfide layer in a spectral interval of a photosensitivity of telluride of cadmium at the level of 37,0 W·nm·cm².