Вісники НТУ "ХПІ"

Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2494

З 1961 р. у ХПІ видається збірник наукових праць "Вісник Харківського політехнічного інституту".
Згідно до наказу ректора № 158-1 від 07.05.2001 року "Про упорядкування видання вісника НТУ "ХПІ", збірник був перейменований у Вісник Національного Технічного Університету "ХПІ".
Вісник Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут" включено до переліку спеціалізованих видань ВАК України і виходить по серіях, що відображають наукові напрямки діяльності вчених університету та потенційних здобувачів вчених ступенів та звань.
Зараз налічується 30 діючих тематичних редколегій. Вісник друкує статті як співробітників НТУ "ХПІ", так і статті авторів інших наукових закладів України та зарубіжжя, які представлені у даному розділі.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 10 з 55

Электромагнитная совместимость полупроводниковых приборов технических средств в условиях воздействия внешнего электромагнитного излучения
(Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", 2019) Князев, Владимир Владимирович; Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович
В работе предложена физическая модель возникновения обратимых отказов полупроводниковых диодов (влияния наведенных электромагнитным излучением (ЭМИ) токов на вольт-амперные характеристики приборов). Данная модель базируется на механизме преобразования энергии, наведенной внешним ЭМИ токов в энергию собственных электромагнитных колебаний твердотельных комплектующих радио изделий (эффекте переходного излучения). Обоснована постановка экспериментальных исследований на базе предложенной физической модели обратимых отказов(появления областей вольт-амперных характеристик полупроводниковых диодов с отрицательным сопротивлением). Определены области параметров внешнего электромагнитного излучения и полупроводниковых приборов, при которых реализуется данная физическая модель. Проведены экспериментальные исследования влияния импульсного электромагнитного излучения на вольт-амперные характеристики участков прямого тока диодов. Они показали наличие участков с отрицательным дифференциальным сопротивлением, характеризующие режим генерации собственных колебаний (увеличение прямого тока при падении напряжения). Результаты сравнительного анализа, полученных в настоящей работе экспериментальных и расчетных данных, позволяют использовать предложенную физическую модель обратимых отказов, а полученные на ее основе расчетные соотношения могут служить основой для определения критериев возникновения и количественных характеристик обратимых отказов полупроводниковых диодов в условиях воздействия на них импульсного электромагнитного излучения.
Влияние генерации колебаний полупроводниковых структур элементной базы технических средств на параметры внутренней электромагнитной совместимости в условиях воздействия внешнего электромагнитного излучения
(Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", 2019) Князев, Владимир Владимирович; Кравченко, Владимир Иванович; Ваврив, Людмила Владиславовна; Яковенко, Игорь Владимирович
В работе показано, что генерация колебаний в полупроводниковых структурах технических средств, вызванное воздействи-ем на них внешнего электромагнитного излучения непосредственно связано с затуханием плазмонов и его преобразованием в волны Ван-Кампена, сформулированы граничные условия для функции распределения частиц в потоке, получены выражения для декремента колебаний и построена кинетическая теория взаимодействия поверхностных плазмонов с электронным потоком, пересекающим границу раздела сред. Полученные в работе выражения для декрементов(временных характеристик степени затухания колебаний) позволяют определять мощность их излучения в условиях воздействия внешнего электромагнитного поля. Этот процесс характеризуется искажением рабочих(вольтамперных) характеристик полупроводниковых при-боров и оказывает существенное влияние на их электромагнитную совместимость. Получены расчетные соотношения, связывающие величину декремента(инкремента) неустойчивости поверхностных колебаний в полупроводниковых структурах, обусловленные наличием наведенных сторонним электромагнитным излучением токов с параметрами полупроводниковых структур: концентрацией свободных носителей, диэлектрической проницаемостью, размерами структуры. Сравнительный анализ существующих экспериментальных и расчетных данных для типичных значений параметров полупроводниковых приборов при воздействии импульсного электромагнитного излучения показывает, что величина энергии излучения( затухания) колебаний определяется одним порядком величины и имеет общие тенденции изменения в зависимости от величин физических параметров комплектующих материалов и воздействующего импульса напряжения.
Система НАТО оценки соответствия объектов вооружения и военной техники требованиям электромагнитной совместимости
(Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", 2019) Князев, Владимир Владимирович; Кравченко, Владимир Иванович
Обеспечение электромагнитной совместимости объектов вооружения и военной техники, содержащих в своей основе радио-, электронное и электротехническое оборудование, является обязательным требованием. Важно правильно определить каким стандартам необходимо обеспечить соответствие. В связи со стремлением Украины в НАТО эта задача актуализировалась и конкретизировалась. В2017 году методом подтверждения приняты национальные нормативные документы, идентичные нормативными документами НАТО, вступившие в силу с 1 февраля 2018. В том числе два стандарта в области электромагнитной совместимости. На основе этих стандартов требуется разработать национальную систему оценки соответствия объектов вооружения и военной техники. Оценка соответствия требованиям стандартов НАТО значительно повысит конкурентную способность образцов национальных производителей на мировом рынке. Проведен анализ системы оценки соответствия, который регламентируется НАТО, с целью имплементации его в Украине. Проведен анализ основных положений этих стандартов и выявлены основанные логические связи стандартовAECTP 500 иAECTP 250. Приведена классификация вооружений и военной техники, используемая в стандартах НАТО. Рассмотрены номенклатура электромагнитных факторов окружающей среды и методы испытаний для оценки уровней соответствия требованиям электромагнитной совместимости этих объектов.
Физика обратимых отказов полупроводниковых структур при воздействии электромагнитных помех
(Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", 2019) Князев, Владимир Владимирович; Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович; Ваврив, Людмила Владиславовна
Определены механизмы появления неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых структур, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработана теория безстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях. Изучены механизмы затухания поверхностных плазмонов в условиях, когда температура носителей проводящих твердых тел много меньше энергии плазмона(квантовое приближение). Получены выражения для декрементов поверхностных плазмонов при наличии бесконечно высокого и бесконечно малого потенциального барьера на границе раздела сред. Исследованы процессы затухания поверхностных колебаний, когда взаимодействие волн и частиц носит характер случайных столкновений и описывается методом вторичного квантования системы(представление чисел заполнения). Получено кинетическое уравнение, описывающее изменение числа поверхностных плазмонов в результате их взаимодействия с электронами проводимости; приведены его решения, определяющие декремент колебаний и мощность спонтанного излучения частиц. Обоснована физическая модель возникновения обратимых отказов(влияния наведенных электромагнитным излучением токов на вольт- амперные характеристики полупроводниковых приборов). Определены области параметров внешнего электромагнитного излучения, при которых реализуется данная физическая модель.
Адекватность результатов определения вероятности поражения прямым ударом молнии наземных конструкций путем испытаний на масштабной модели
(Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", 2019) Князев, Владимир Владимирович; Мельник, Сергей Иванович
Определение вероятности поражения элементов наземных конструкций, включая стартовые космические комплексы, чис-ленными методами рассмотрено в большом числе работ, часть из которых представлена в списке литературы. Понимание физики процесса и использование современных вычислительных возможностей обеспечивают получение достаточно точных данных о местах наиболее вероятного удара молнии. Однако, для новых конструкций, которые еще не получили апробации на практике, рекомендуется проводить экспериментальное исследование по определению вероятности удара молнии в области поверхности объекта. Для этого, создаются физические модели объекта, в уменьшенном масштабе. Модели должны обладать электрофизическими характеристиками, аналогичными реальному объекту. Масштаб модели выбирается с учетом удобства ее эксплуатации при экспериментальных исследованиях и возможностей высоковольтной испытательной установки(максимальным значением импульсного напряжения). Создание масштабной модели представляет собой достаточно сложную задачу, поскольку необходимо максимально учесть особенности реального объекта. Для получения адекватных результатов испытаний требуется математическая обработка, что обуславливается необходимостью учесть физические ограничения, возникающие в процессе моделирования молнии. Рассмотрена математическая модель оценки адекватности результатов определения вероятности поражения прямым ударом молнии наземных конструкций путем испытаний на масштабной модели. Анализ предварительных результатов экспериментов показал, что использование высокоскоростных видеокамер в процессе испытаний не является эффективным, поскольку приводит к накоплению большого объема мало информативных данных. Кроме того, длительность разряда составляет микросекунды, вследствие чего при регистрации этот процесс может не записаться. Наиболее объективная информация получается при использовании фотокамер с длительной выдержкой. Проанализированы проблемы согласования существующих моделей различных стадий развития молниевого разряда при макетных испытаниях. Показано, что модели развития молнии и длинной искры можно согласовать по отдельности для трех стадий: этап движения головки верхнего лидера до начала образования встречных лидеров; этап«ориентации» движения головки верхнего лидера за счет притяжения зарядами встречных лидеров; этап окончательного пробоя между сблизившимися головками встречных лидеров(«finaljump»).Разработана модель распределения положения головки нисходящего лидера до стадии«выбора и захвата».Обосновано подобие масштабного макетирования разряда молнии на стадии ориентировки нисходящего лидера одним из восходящих.Разработана методика адаптации макетного эксперимента в рамках вероятностной модели.
Установка ТІ-CS115 (NCS08) для проведения испытаний бортового оборудования составных частей объектов военной техники на электромагнитную совместимость по стандарту MIL-STD-461G (США) по виду испытаний CS115 и стандарту АЕСТР-500 (НАТО) по виду испытаний NCS08
(НТУ "ХПИ", 2018) Немченко, Юрий Семенович; Князев, Владимир Владимирович; Лесной, Иван Петрович; Сомхиев, Сергей Борисович
Описана конструкция и результаты испытаний установки ТІ-CS115 (NCS08), предназначенной для испытаний составных частей объектов военной техники (СЧ ОВТ) на устойчивость к испытательным токам прямоугольной формы по виду CS115 (NCS08) в соответствии со стандартами MIL-STD-461G (США) и АЕСТР-500 (НАТО). Приведены осциллограммы испытательных токов, которые полностью соответствуют требованиям вышеперечисленных стандартов, и методика использования установки в режиме испытаний.
Установка для испытаний технических средств на устойчивость к воздействию повторяющихся колебательных затухающих помех с частотой 100 кГц
(НТУ "ХПИ", 2007) Князев, Владимир Владимирович; Немченко, Юрий Семенович; Лесной, Иван Петрович; Сомхиев, Сергей Борисович; Островерх, Т. Н.
Описано конструкцію та результати атестації установки, призначеної для випробувань технічних засобів на несприйнятливість до впливу повторюваних коливальних загасаючих завад з частотою 100 кГц відповідно до вимог міжнародних стандартів. Установка генерує випробувальну напругу чотирьох випробувальних рівнів: 0,25, 0,5, 1 та 2 кВ.
Установка для испытаний технических средств на стойкость к затухающему переменному магнитному полю с частотой 100 кГц
(НТУ "ХПИ", 2007) Князев, Владимир Владимирович; Немченко, Юрий Семенович; Лесной, Иван Петрович; Сомхиев, Сергей Борисович; Островерх, Т. Н.
Описано конструкцію та результати іспитів установки, призначеної для іспиту технічних засобів на стійкість до загасаючого змінного магнітного поля (ЗЗМП) з частотою 100 кГц відповідно до діючих в Україні нормативних документів, і яка генерує магнітне поле, що створює в полеутворюючих системах напруженість ЗЗМП трьох рівнів: 10, 30 та 100 А/м.
Установка для испытаний технических средств на стойкость к импульсному магнитному полю
(НТУ "ХПИ", 2008) Князев, Владимир Владимирович; Немченко, Юрий Семенович; Лесной, Иван Петрович; Сомхиев, Сергей Борисович; Островерх, Т. Н.
Описано конструкцію та результати випробувань установки, призначеної для іспиту технічних засобів на стійкість до імпульсного магнітного поля (ІМП) відповідно до діючих в Україні нормативних документів, і яка генерує магнітне поле, що створює у п’яти видах полеутворюючих систем напруженість ІМП трьох рівнів: 100, 300 та 1000 А/м.
Аналитическое решение задачи о проникновении электрического поля через круглое отверстие в сферической проводящей оболочке
(НТУ "ХПИ", 2008) Князев, Владимир Владимирович
В статті наведено аналітичне рішення задачі проникнення електростатичного поля крізь круглу апертуру у кульовій металевій оболонці. Застосовано рішення інтегрального рівняння Фредгольма першого роду, яке описує розподіл зарядів на відповідній кульовій оболонці. Знайдене рішення дало змогу визначити межі застосування методу еквівалентних дипольних моментів в розрахунках структури поля, що проникає крізь апертури до оболонок. Це рішення використовується як тест відповідних прикладних програм для ЕОМ.

Вісники НТУ "ХПІ"

Переглянути

Фільтри

Налаштування

Сортувати за

Результатів на сторінку

Результати пошуку