Вісники НТУ "ХПІ"
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2494
З 1961 р. у ХПІ видається збірник наукових праць "Вісник Харківського політехнічного інституту".
Згідно до наказу ректора № 158-1 від 07.05.2001 року "Про упорядкування видання вісника НТУ "ХПІ", збірник був перейменований у Вісник Національного Технічного Університету "ХПІ".
Вісник Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут" включено до переліку спеціалізованих видань ВАК України і виходить по серіях, що відображають наукові напрямки діяльності вчених університету та потенційних здобувачів вчених ступенів та звань.
Зараз налічується 30 діючих тематичних редколегій. Вісник друкує статті як співробітників НТУ "ХПІ", так і статті авторів інших наукових закладів України та зарубіжжя, які представлені у даному розділі.
Переглянути
4 результатів
Результати пошуку
Документ Электромагнитная совместимость полупроводниковых приборов технических средств в условиях воздействия внешнего электромагнитного излучения(Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", 2019) Князев, Владимир Владимирович; Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь ВладимировичВ работе предложена физическая модель возникновения обратимых отказов полупроводниковых диодов (влияния наведенных электромагнитным излучением (ЭМИ) токов на вольт-амперные характеристики приборов). Данная модель базируется на механизме преобразования энергии, наведенной внешним ЭМИ токов в энергию собственных электромагнитных колебаний твердотельных комплектующих радио изделий (эффекте переходного излучения). Обоснована постановка экспериментальных исследований на базе предложенной физической модели обратимых отказов(появления областей вольт-амперных характеристик полупроводниковых диодов с отрицательным сопротивлением). Определены области параметров внешнего электромагнитного излучения и полупроводниковых приборов, при которых реализуется данная физическая модель. Проведены экспериментальные исследования влияния импульсного электромагнитного излучения на вольт-амперные характеристики участков прямого тока диодов. Они показали наличие участков с отрицательным дифференциальным сопротивлением, характеризующие режим генерации собственных колебаний (увеличение прямого тока при падении напряжения). Результаты сравнительного анализа, полученных в настоящей работе экспериментальных и расчетных данных, позволяют использовать предложенную физическую модель обратимых отказов, а полученные на ее основе расчетные соотношения могут служить основой для определения критериев возникновения и количественных характеристик обратимых отказов полупроводниковых диодов в условиях воздействия на них импульсного электромагнитного излучения.Документ Влияние генерации колебаний полупроводниковых структур элементной базы технических средств на параметры внутренней электромагнитной совместимости в условиях воздействия внешнего электромагнитного излучения(Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", 2019) Князев, Владимир Владимирович; Кравченко, Владимир Иванович; Ваврив, Людмила Владиславовна; Яковенко, Игорь ВладимировичВ работе показано, что генерация колебаний в полупроводниковых структурах технических средств, вызванное воздействи-ем на них внешнего электромагнитного излучения непосредственно связано с затуханием плазмонов и его преобразованием в волны Ван-Кампена, сформулированы граничные условия для функции распределения частиц в потоке, получены выражения для декремента колебаний и построена кинетическая теория взаимодействия поверхностных плазмонов с электронным потоком, пересекающим границу раздела сред. Полученные в работе выражения для декрементов(временных характеристик степени затухания колебаний) позволяют определять мощность их излучения в условиях воздействия внешнего электромагнитного поля. Этот процесс характеризуется искажением рабочих(вольтамперных) характеристик полупроводниковых при-боров и оказывает существенное влияние на их электромагнитную совместимость. Получены расчетные соотношения, связывающие величину декремента(инкремента) неустойчивости поверхностных колебаний в полупроводниковых структурах, обусловленные наличием наведенных сторонним электромагнитным излучением токов с параметрами полупроводниковых структур: концентрацией свободных носителей, диэлектрической проницаемостью, размерами структуры. Сравнительный анализ существующих экспериментальных и расчетных данных для типичных значений параметров полупроводниковых приборов при воздействии импульсного электромагнитного излучения показывает, что величина энергии излучения( затухания) колебаний определяется одним порядком величины и имеет общие тенденции изменения в зависимости от величин физических параметров комплектующих материалов и воздействующего импульса напряжения.Документ Система НАТО оценки соответствия объектов вооружения и военной техники требованиям электромагнитной совместимости(Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", 2019) Князев, Владимир Владимирович; Кравченко, Владимир ИвановичОбеспечение электромагнитной совместимости объектов вооружения и военной техники, содержащих в своей основе радио-, электронное и электротехническое оборудование, является обязательным требованием. Важно правильно определить каким стандартам необходимо обеспечить соответствие. В связи со стремлением Украины в НАТО эта задача актуализировалась и конкретизировалась. В2017 году методом подтверждения приняты национальные нормативные документы, идентичные нормативными документами НАТО, вступившие в силу с 1 февраля 2018. В том числе два стандарта в области электромагнитной совместимости. На основе этих стандартов требуется разработать национальную систему оценки соответствия объектов вооружения и военной техники. Оценка соответствия требованиям стандартов НАТО значительно повысит конкурентную способность образцов национальных производителей на мировом рынке. Проведен анализ системы оценки соответствия, который регламентируется НАТО, с целью имплементации его в Украине. Проведен анализ основных положений этих стандартов и выявлены основанные логические связи стандартовAECTP 500 иAECTP 250. Приведена классификация вооружений и военной техники, используемая в стандартах НАТО. Рассмотрены номенклатура электромагнитных факторов окружающей среды и методы испытаний для оценки уровней соответствия требованиям электромагнитной совместимости этих объектов.Документ Физика обратимых отказов полупроводниковых структур при воздействии электромагнитных помех(Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", 2019) Князев, Владимир Владимирович; Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович; Ваврив, Людмила ВладиславовнаОпределены механизмы появления неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых структур, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработана теория безстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях. Изучены механизмы затухания поверхностных плазмонов в условиях, когда температура носителей проводящих твердых тел много меньше энергии плазмона(квантовое приближение). Получены выражения для декрементов поверхностных плазмонов при наличии бесконечно высокого и бесконечно малого потенциального барьера на границе раздела сред. Исследованы процессы затухания поверхностных колебаний, когда взаимодействие волн и частиц носит характер случайных столкновений и описывается методом вторичного квантования системы(представление чисел заполнения). Получено кинетическое уравнение, описывающее изменение числа поверхностных плазмонов в результате их взаимодействия с электронами проводимости; приведены его решения, определяющие декремент колебаний и мощность спонтанного излучения частиц. Обоснована физическая модель возникновения обратимых отказов(влияния наведенных электромагнитным излучением токов на вольт- амперные характеристики полупроводниковых приборов). Определены области параметров внешнего электромагнитного излучения, при которых реализуется данная физическая модель.