Вісники НТУ "ХПІ"

Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2494

З 1961 р. у ХПІ видається збірник наукових праць "Вісник Харківського політехнічного інституту".
Згідно до наказу ректора № 158-1 від 07.05.2001 року "Про упорядкування видання вісника НТУ "ХПІ", збірник був перейменований у Вісник Національного Технічного Університету "ХПІ".
Вісник Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут" включено до переліку спеціалізованих видань ВАК України і виходить по серіях, що відображають наукові напрямки діяльності вчених університету та потенційних здобувачів вчених ступенів та звань.
Зараз налічується 30 діючих тематичних редколегій. Вісник друкує статті як співробітників НТУ "ХПІ", так і статті авторів інших наукових закладів України та зарубіжжя, які представлені у даному розділі.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 10 з 14

Электромагнитная совместимость полупроводниковых приборов технических средств в условиях воздействия внешнего электромагнитного излучения
(Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", 2019) Князев, Владимир Владимирович; Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович
В работе предложена физическая модель возникновения обратимых отказов полупроводниковых диодов (влияния наведенных электромагнитным излучением (ЭМИ) токов на вольт-амперные характеристики приборов). Данная модель базируется на механизме преобразования энергии, наведенной внешним ЭМИ токов в энергию собственных электромагнитных колебаний твердотельных комплектующих радио изделий (эффекте переходного излучения). Обоснована постановка экспериментальных исследований на базе предложенной физической модели обратимых отказов(появления областей вольт-амперных характеристик полупроводниковых диодов с отрицательным сопротивлением). Определены области параметров внешнего электромагнитного излучения и полупроводниковых приборов, при которых реализуется данная физическая модель. Проведены экспериментальные исследования влияния импульсного электромагнитного излучения на вольт-амперные характеристики участков прямого тока диодов. Они показали наличие участков с отрицательным дифференциальным сопротивлением, характеризующие режим генерации собственных колебаний (увеличение прямого тока при падении напряжения). Результаты сравнительного анализа, полученных в настоящей работе экспериментальных и расчетных данных, позволяют использовать предложенную физическую модель обратимых отказов, а полученные на ее основе расчетные соотношения могут служить основой для определения критериев возникновения и количественных характеристик обратимых отказов полупроводниковых диодов в условиях воздействия на них импульсного электромагнитного излучения.
Влияние генерации колебаний полупроводниковых структур элементной базы технических средств на параметры внутренней электромагнитной совместимости в условиях воздействия внешнего электромагнитного излучения
(Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", 2019) Князев, Владимир Владимирович; Кравченко, Владимир Иванович; Ваврив, Людмила Владиславовна; Яковенко, Игорь Владимирович
В работе показано, что генерация колебаний в полупроводниковых структурах технических средств, вызванное воздействи-ем на них внешнего электромагнитного излучения непосредственно связано с затуханием плазмонов и его преобразованием в волны Ван-Кампена, сформулированы граничные условия для функции распределения частиц в потоке, получены выражения для декремента колебаний и построена кинетическая теория взаимодействия поверхностных плазмонов с электронным потоком, пересекающим границу раздела сред. Полученные в работе выражения для декрементов(временных характеристик степени затухания колебаний) позволяют определять мощность их излучения в условиях воздействия внешнего электромагнитного поля. Этот процесс характеризуется искажением рабочих(вольтамперных) характеристик полупроводниковых при-боров и оказывает существенное влияние на их электромагнитную совместимость. Получены расчетные соотношения, связывающие величину декремента(инкремента) неустойчивости поверхностных колебаний в полупроводниковых структурах, обусловленные наличием наведенных сторонним электромагнитным излучением токов с параметрами полупроводниковых структур: концентрацией свободных носителей, диэлектрической проницаемостью, размерами структуры. Сравнительный анализ существующих экспериментальных и расчетных данных для типичных значений параметров полупроводниковых приборов при воздействии импульсного электромагнитного излучения показывает, что величина энергии излучения( затухания) колебаний определяется одним порядком величины и имеет общие тенденции изменения в зависимости от величин физических параметров комплектующих материалов и воздействующего импульса напряжения.
Физика обратимых отказов полупроводниковых структур при воздействии электромагнитных помех
(Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", 2019) Князев, Владимир Владимирович; Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович; Ваврив, Людмила Владиславовна
Определены механизмы появления неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых структур, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработана теория безстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях. Изучены механизмы затухания поверхностных плазмонов в условиях, когда температура носителей проводящих твердых тел много меньше энергии плазмона(квантовое приближение). Получены выражения для декрементов поверхностных плазмонов при наличии бесконечно высокого и бесконечно малого потенциального барьера на границе раздела сред. Исследованы процессы затухания поверхностных колебаний, когда взаимодействие волн и частиц носит характер случайных столкновений и описывается методом вторичного квантования системы(представление чисел заполнения). Получено кинетическое уравнение, описывающее изменение числа поверхностных плазмонов в результате их взаимодействия с электронами проводимости; приведены его решения, определяющие декремент колебаний и мощность спонтанного излучения частиц. Обоснована физическая модель возникновения обратимых отказов(влияния наведенных электромагнитным излучением токов на вольт- амперные характеристики полупроводниковых приборов). Определены области параметров внешнего электромагнитного излучения, при которых реализуется данная физическая модель.
Влияние электромагнитного излучения на волноводные характеристики полупроводниковых комплектующих радиоизделий
(НТУ "ХПИ", 2018) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович
Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения. Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях.
Переходное излучение токов, наведенных внешним излучением, на неоднородных границах раздела сред
(НТУ "ХПИ", 2017) Кравченко, Владимир Иванович; Бреславец, Виталий Сергеевич; Князев, Владимир Владимирович; Яковенко, Игорь Владимирович
Установлено, что наличие малых пространственных периодических неровностей на границе вакуум - идеальный проводник приводит к резонансному взаимодействию пространственных гармоник, распространяющихся вдоль поверхности, что обуславливает появление полосы непропускания колебаний. Для частот, лежащих ниже полосы непропускания электромагнитные колебания носят поверхностный характер. В работе определен закон дисперсии такого рода колебаний и кинетические механизмы их возбуждения электронным потоком, пересекающим границу раздела сред. Получено кинетическое уравнение, определяющее изменение числа поверхностных колебаний, приведено выражение для инкремента.
Излучение наведенных токов с неоднородным потенциалом на границе
(НТУ "ХПИ", 2017) Кравченко, Владимир Иванович; Бреславец, Виталий Сергеевич; Князев, Владимир Владимирович; Яковенко, Игорь Владимирович
В работе исследовалось влияние потенциального барьера на спектральную плотность энергии переходного излучения объемных и поверхностных волн заряженной частицей, которая движется по нормали к границе раздела сред с различными диэлектрическими проницаемостями. Было получено выражения для спектральных характеристик интенсивностей излучения электромагнитных волн для различных типов потенциальных барьеров: прямоугольная потенциальная стенка, барьер конечной ширины и δ-подобный барьер. Определено, что поле излучения состоит из трех составляющих: первая обусловлена изменением диэлектрической проницаемости и существует без потенциального барьера, вторая связана с изменением скорости частицы без учета отражения частиц от границы, третья составляющая определяет долю излучения, связанную с волной де-Бройля, отраженной от границы.
Излучение поверхностных поляритонов модулированным потоком заряженных частиц
(НТУ "ХПИ", 2017) Кравченко, Владимир Иванович; Бреславец, Виталий Сергеевич; Князев, Владимир Владимирович; Яковенко, Игорь Владимирович
В работе исследовались механизмы возбуждения поверхностных поляритонов потоком заряженных частиц, модулированным на частоте поверхностной волны, в условиях, когда он движется по нормали к границе проводящих твердых тел. При решении этой задачи предполагалось, что спектр потока частиц содержит две волны пространственного заряда. Их амплитуды определялись с помощью дополнительных условий для плотности и скорости носителей на плоскости, которая находится над границей раздела сред. Применение этих дополнительных условий позволяет определить поля переходного излучения через параметры модуляции. В работе получено выражение для плотности потока энергии переходного излучения поверхностной волны.
Кинетическая неустойчивость поверхностных плазмонов при наличии потенциального барьера на границе раздела сред
(НТУ "ХПИ", 2016) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яценко, Ирина Леонидовна; Яковенко, Игорь Владимирович
В работе, с помощью уравнения Шредингера было исследовано взаимодействие плазменных колебаний с моноэнергетическим потоком заряженных частиц, который проходил сквозь 2D электронный газ. Определен инкремент неустойчивости поверхностных плазмонов. Величина инкремента обратно пропорциональна времени пролета частиц сквозь 2D электронную систему. Получены аналитические решения задач взаимодействия токов, наведенных внешним электромагнитным излучением, с собственными электромагнитными колебаниями структур комплектующих полупроводниковые приборы, в условиях режима неустойчивости (генерации) колебаний.
Возбуждение поверхностных плазмонов при наличии потенциального барьера в условиях воздействия электромагнитного излучения
(НТУ "ХПИ", 2016) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яценко, Ирина Леонидовна; Яковенко, Игорь Владимирович
Рассмотрено взаимодействие поверхностных плазмонов с потоком заряженных частиц при наличии потенциального барьера, исходя из энергетического принципа получены кинетические уравнения, определяющие изменение числа поверхностных плазмонов, выражения для инкрементов их неустойчивостей с учетом величины потенциального барьера на границе, который приводит к появлению отраженных от границы частиц пучка. Полученные результаты позволяют учитывать вклад отраженной и прошедшей компонент потока частиц в суммарную энергию излучения поверхностных колебаний. Исследованы механизмы взаимодействия потока заряженных частиц с собственными электромагнитными колебаниями двумерного электронного газа, возникновение которого обусловлено наличием потенциального барьера на границе раздела сред.
Влияние потенциального барьера на процессы взаимодействия плазмонов и заряженных частиц на границе раздела сред
(НТУ "ХПИ", 2016) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яценко, Ирина Леонидовна; Яковенко, Игорь Владимирович
Определены вероятности процессов излучения и поглощения энергии электромагнитных колебаний электронами пучка на границе проводящего твердого тела с учетом потенциального барьера конечной величины, рассматрена. возможность развития неустойчивости колебаний. Учтено влияние конечной величины потенциального барьера на механизм обмена энергией волн и частиц на границе. Получены кинетические уравнения, определяющие изменение числа поверхностных плазмонов, выражения для инкрементов их неустойчивостей с учетом величины потенциального барьера на границе, которую пересекает поток заряженных частиц. Данные результаты позволяют учитывать вклад отраженной и прошедшей компонент потока частиц в суммарную энергию излучения поверхностных колебаний.

Вісники НТУ "ХПІ"

Переглянути

Фільтри

Налаштування

Сортувати за

Результатів на сторінку

Результати пошуку