Публікація:
Quantum Size Effects in Transport Properties of Bi2Te3 Topological Insulator Thin Films

Файли

Rogacheva_Quantum_Size_2016.pdf (7.37 MB)

Дата

Автори

Rogacheva, E. I.

Sipatov, A. Yu.

Nashchekina, O. N.

Dresselhaus, M. S.

ORCID

https://orcid.org/0000-0001-7584-656X
https://orcid.org/0000-0003-2578-1109

Видання

IOP Publishing Ltd

Ключові слова

quantum size effects, transport properties, topological Insulator, thin films, квантово-розмірні ефекти, ранспортні властивості, топологічні ізолятори, тонкі плівки

Бібліографічний опис

Quantum Size Effects in Transport Properties of Bi2Te3 Topological Insulator Thin Films / E. I. Rogacheva [et al.] // 19th International Conference on Superlattices Nanostructures and Nanodevices (ICSNN 2016), 25-30 July, 2016 : abstract book / City University of Hong Kong. – Hong Kong : [s. n.], 2016. – P. 11.

URI

https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/61652

Колекції

Кафедра "Фізика"
Кафедра "Менеджмент"

Повна інформація про документ
Google Scholar