Определение термодинамических параметров процесса термической инактивации дефектов в радиационной технологии модификации кристаллов облучением
dc.contributor.author | Огурцов, Александр Николаевич | ru |
dc.contributor.author | Близнюк, Ольга Николаевна | ru |
dc.contributor.author | Масалитина, Наталья Юрьевна | ru |
dc.date.accessioned | 2021-12-01T11:39:28Z | |
dc.date.available | 2021-12-01T11:39:28Z | |
dc.date.issued | 2011 | |
dc.description.abstract | В рамках теории абсолютных скоростей реакций исследован процесс термической инактивации экситонных ловушек как один из компонентов радиационной технологии модификации материалов облучением. Определены такие термодинамические параметры процесса инактивации экситонных ловушек в криокристаллах ксенона и криптона, как энергия активации, энтальпия и энтропия инактивации. | ru |
dc.identifier.citation | Огурцов А. Н. Определение термодинамических параметров процесса термической инактивации дефектов в радиационной технологии модификации кристаллов облучением / А. Н. Огурцов, О. Н. Близнюк, Н. Ю. Масалитина // Вопросы химии и химической технологии. – 2011. – № 2. – С. 144-146. | ru |
dc.identifier.uri | https://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/55113 | |
dc.language.iso | ru | |
dc.publisher | Український державний хіміко-технологічний університет | uk |
dc.subject | электронные возбуждения | ru |
dc.subject | температура | ru |
dc.subject | давление | ru |
dc.subject | ван-дер-ваальсовые кристаллы | ru |
dc.title | Определение термодинамических параметров процесса термической инактивации дефектов в радиационной технологии модификации кристаллов облучением | ru |
dc.type | Article | en |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
- Назва:
- VHHT_2011_2_Ogurtcov_Opredelenie_termodinamich_parametrov.pdf
- Розмір:
- 168.97 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
- Опис:
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 11.25 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: