Определение термодинамических параметров процесса термической инактивации дефектов в радиационной технологии модификации кристаллов облучением

dc.contributor.authorОгурцов, Александр Николаевичru
dc.contributor.authorБлизнюк, Ольга Николаевнаru
dc.contributor.authorМасалитина, Наталья Юрьевнаru
dc.date.accessioned2021-12-01T11:39:28Z
dc.date.available2021-12-01T11:39:28Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractВ рамках теории абсолютных скоростей реакций исследован процесс термической инактивации экситонных ловушек как один из компонентов радиационной технологии модификации материалов облучением. Определены такие термодинамические параметры процесса инактивации экситонных ловушек в криокристаллах ксенона и криптона, как энергия активации, энтальпия и энтропия инактивации.ru
dc.identifier.citationОгурцов А. Н. Определение термодинамических параметров процесса термической инактивации дефектов в радиационной технологии модификации кристаллов облучением / А. Н. Огурцов, О. Н. Близнюк, Н. Ю. Масалитина // Вопросы химии и химической технологии. – 2011. – № 2. – С. 144-146.ru
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/55113
dc.language.isoru
dc.publisherУкраїнський державний хіміко-технологічний університетuk
dc.subjectэлектронные возбужденияru
dc.subjectтемператураru
dc.subjectдавлениеru
dc.subjectван-дер-ваальсовые кристаллыru
dc.titleОпределение термодинамических параметров процесса термической инактивации дефектов в радиационной технологии модификации кристаллов облучениемru
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
VHHT_2011_2_Ogurtcov_Opredelenie_termodinamich_parametrov.pdf
Розмір:
168.97 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.25 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: