Напівпровідникові шари сульфіду олова для тонкоплівкових сонячних елементів

Abstract

Представлена економічна і придатна для використання в масовому виробництві методика отримання моносульфіду олова з орторомбічною структурою герценбергіта шляхом сульфурізаціі в парах сірки плівок металу, електроосаджених зі стандартного електроліту олов'янування. Синтезований полікристалічний матеріал SnS є електронним напівпровідником з оптимальними для використання в сонячних елементах шириною забороненої зони і коефіцієнтом оптичного поглинання.

A comparative analysis of two techniques for the electrochemical deposition of tin sulfide base layers for thin film solar cells has been fulfilled. One-step technique consisted in a direct electrodeposition of tin sulfide semiconductor layers proved to be ineffective. A new economical two-stage technique suitable for use in mass production is presented for producing of orthorhombic herzenbergite type tin monosulfide (β-SnS) by sulfurization of tin films electrodeposited from a standard electrolyte in sulfur vapor. The synthesized polycrystalline SnS is an electronic semiconductor with resistivity ρSnS ≈ 5–9 kOhm cm. The SnS films are characterized by direct optical transitions, band gap Eg ≈ 1.1–1.2 eV and optical absorption coefficient α = (3–3.5)*10⁴ cm⁻¹ in the visible and near-infrared spectra. Hence on the amount of physical and chemical characteristics they are promising for use as base layers of thin film solar cells of a new generation.