Неустойчивость поверхностных волн при их взаимодействии с потоком заряженных частиц в полупроводниковых структурах

Loading...
Thumbnail Image

Date

ORCID

DOI

item.page.thesis.degree.name

item.page.thesis.degree.level

item.page.thesis.degree.discipline

item.page.thesis.degree.department

item.page.thesis.degree.grantor

item.page.thesis.degree.advisor

item.page.thesis.degree.committeeMember

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

НТУ "ХПИ"

Abstract

Предложена аналитическая модель механизма взаимодействия токов, возникающих вследствие воздействия электромагнитного излучения в проводящих элементах электрорадиоизделий с собственными электромагнитными колебаниями структур металл – диэлектрик – полупроводник. Определен инкремент неустойчивости, обусловленный взаимодействием такого рода, определяющий возбуждение колебаний в субмиллиметровом диапазоне.
The paper presents an analytical model of an interaction mechanism for currents arising due to action of electromagnetic radiation in current - conducting elements of electric radio apparatus with inner electromagnetic oscillations of metal - dielectric - semiconductor structures. An instability increment that results from this interaction and specifies oscillation excitation in a submillimeter range is determined.

Description

Citation

Кравченко В. И. Неустойчивость поверхностных волн при их взаимодействии с потоком заряженных частиц в полупроводниковых структурах / В. И. Кравченко, И. В. Яковенко, Ф. В. Лосев // Электротехника и Электромеханика = Electrical engineering & Electromechanics. – 2006. – № 5. – С. 64-66.

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By