Расчет мощности потерь и температуры структуры транзисторно-диодных модулей при компьютерном моделировании преобразователей

Вантажиться...
Ескіз

Дата

ORCID

DOI

Науковий ступінь

Рівень дисертації

Шифр та назва спеціальності

Рада захисту

Установа захисту

Науковий керівник

Члени комітету

Назва журналу

Номер ISSN

Назва тому

Видавець

НТУ "ХПИ"

Анотація

Рассматривается метод определения суммарной мощности статических и динамических потерь и температуры перехода транзисторно-диодных модулей при дискретном моделировании полупроводниковых преобразователей с помощью пакета MatLab (Simulink) в режимах, когда интервал дискретизации в моделях близок к временам включения и выключения транзистора.
A calculation method for the total instant power of static and dynamic losses and transistor-diode modules transition temperature is considered under discrete simulation of semiconductor converters by means of MatLab (Simulink) in modes with a quantization interval in models close to the transistor turn-on and turn-off times.

Опис

Бібліографічний опис

Жемеров Г. Г. Расчет мощности потерь и температуры структуры транзисторно-диодных модулей при компьютерном моделировании преобразователей / Г. Г. Жемеров, В. В. Ивахно, О. И. Ковальчук // Электротехника и Электромеханика = Electrical engineering & Electromechanics. – 2011. – № 4. – С. 21-28.

Підтвердження

Рецензія

Додано до

Згадується в