Расчет мощности потерь и температуры структуры транзисторно-диодных модулей при компьютерном моделировании преобразователей
Вантажиться...
Дата
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУ "ХПИ"
Анотація
Рассматривается метод определения суммарной мощности статических и динамических потерь и температуры перехода транзисторно-диодных модулей при дискретном моделировании полупроводниковых преобразователей с помощью пакета MatLab (Simulink) в режимах, когда интервал дискретизации в моделях близок к временам включения и выключения транзистора.
A calculation method for the total instant power of static and dynamic losses and transistor-diode modules transition temperature is considered under discrete simulation of semiconductor converters by means of MatLab (Simulink) in modes with a quantization interval in models close to the transistor turn-on and turn-off times.
A calculation method for the total instant power of static and dynamic losses and transistor-diode modules transition temperature is considered under discrete simulation of semiconductor converters by means of MatLab (Simulink) in modes with a quantization interval in models close to the transistor turn-on and turn-off times.
Опис
Бібліографічний опис
Жемеров Г. Г. Расчет мощности потерь и температуры структуры транзисторно-диодных модулей при компьютерном моделировании преобразователей / Г. Г. Жемеров, В. В. Ивахно, О. И. Ковальчук // Электротехника и Электромеханика = Electrical engineering & Electromechanics. – 2011. – № 4. – С. 21-28.