Расчет мощности потерь и температуры структуры транзисторно-диодных модулей при компьютерном моделировании преобразователей

dc.contributor.authorЖемеров, Георгий Георгиевичru
dc.contributor.authorИвахно, Владимир Викторовичru
dc.contributor.authorКовальчук, Ольга Игоревнаru
dc.date.accessioned2015-03-11T13:59:12Z
dc.date.available2015-03-11T13:59:12Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractРассматривается метод определения суммарной мощности статических и динамических потерь и температуры перехода транзисторно-диодных модулей при дискретном моделировании полупроводниковых преобразователей с помощью пакета MatLab (Simulink) в режимах, когда интервал дискретизации в моделях близок к временам включения и выключения транзистора.ru
dc.description.abstractA calculation method for the total instant power of static and dynamic losses and transistor-diode modules transition temperature is considered under discrete simulation of semiconductor converters by means of MatLab (Simulink) in modes with a quantization interval in models close to the transistor turn-on and turn-off times.en
dc.identifier.citationЖемеров Г. Г. Расчет мощности потерь и температуры структуры транзисторно-диодных модулей при компьютерном моделировании преобразователей / Г. Г. Жемеров, В. В. Ивахно, О. И. Ковальчук // Электротехника и Электромеханика = Electrical engineering & Electromechanics. – 2011. – № 4. – С. 21-28.ru
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/13418en
dc.language.isoru
dc.publisherНТУ "ХПИ"ru
dc.subjectэлектромагнитные процессыru
dc.subjectмощностьru
dc.subjectэлектроснабжениеru
dc.subjectпотери энергииru
dc.subjectsemiconductor deviceen
dc.subjecttransistoren
dc.subjectloss poweren
dc.subjectstatic lossen
dc.subjectdynamic lossen
dc.subjectturn-on timeen
dc.subjectturn off-timeen
dc.subjectcomputer simulationen
dc.subjectconverteren
dc.subjectMatLab modelen
dc.titleРасчет мощности потерь и температуры структуры транзисторно-диодных модулей при компьютерном моделировании преобразователейru
dc.title.alternativeCalculation of loss power and structure temperature of transistor-diode modules in converters computer simulationen
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
EE_2011_4_Zhemerov_Raschet.pdf
Розмір:
435.36 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.23 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: