Вплив міді та нестехіометрії на структуру та електрофізичні властивості SnTe
Дата
2009
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Львівський національний університет ім. Івана Франка
Анотація
Досліджено вплив міді на структуру, механічні, електрофізичні та термоелектричні властивості телуриду олова з різним ступенем відхилення від стехіометрії. З'ясовано, що у разі збільшення концентрації дефектів нестехіометрії розчинність Cu у SnTe зростає. Залежності властивостей від концентрації Cu при фіксованій нестехіометрії мають немонотонний характер, засвідчуючи зміну механізму розчинення. Припускається, що за малого вмісту Cu основним механізмом входження міді у кристалічну ґратку є локалізація атомів Cu у міжвузловинах, а за подальшого збільшення концентрації Cu – заповнення катіонних вакансій та утворення дефектів заміщення.
The influence of copper on the structure, mechanical, electrophysical and thermoelectrical properties of tin telluride with a different degree of deviation from stoichiometry was carried out. It was established that the copper solubility in SnTe grows at the increase of defects nonstoichiometry concentration. The properties dependences on Cu concentration at the fixed nonstoichiometry have nonmonotonous character, indicating the change of the solubility mechanism. It is assumed that localization of the Cu atoms in interstitials is basic mechanism of the copper implantation in lattice at small content of Cu, but at the subsequent increase of the Cu concentration – cationic vacancies infill and substitution defects formation.
The influence of copper on the structure, mechanical, electrophysical and thermoelectrical properties of tin telluride with a different degree of deviation from stoichiometry was carried out. It was established that the copper solubility in SnTe grows at the increase of defects nonstoichiometry concentration. The properties dependences on Cu concentration at the fixed nonstoichiometry have nonmonotonous character, indicating the change of the solubility mechanism. It is assumed that localization of the Cu atoms in interstitials is basic mechanism of the copper implantation in lattice at small content of Cu, but at the subsequent increase of the Cu concentration – cationic vacancies infill and substitution defects formation.
Опис
Ключові слова
телурид олова, власні дефекти, легування, розчинність, мікротвердість, коефіцієнт Зеєбека, електропровідність, концентрація носіїв заряду, tin telluride, intrinsic defects, doping, copper, solubility, microhardness, Seebeсk coefficient, electrical conductivity, carrier charge concentration
Бібліографічний опис
Водоріз О. Вплив міді та нестехіометрії на структуру та електрофізичні властивості SnTe / О. Водоріз, Н. Дзюбенко, О. Рогачова // Вісник Львівського університету. Серія фізична = Visnyk of the Lviv University. Series Physics : зб. наук. пр. – Львів : ЛНУ, 2009. – Вип. 44. – С. 31-38.