Кафедра "Менеджмент"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7475

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mto

Від грудня 2021 року кафедра має назву "Менеджмент", попередня назва – "Менеджмент та оподаткування".

Кафедра "Менеджмент та оподаткування" заснована у 1991 році, добре відомим в Україні організатором науки та освіти, доктором технічних наук, заслуженим діячем науки і техніки України, академіком Леонідом Миколайовичем Івіним та є першою в Україні кафедрою менеджменту.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту економіки, менеджменту і міжнародного бізнесу Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". За понад 30-річний період кафедрою здійснено підготовку і випуск понад 2000 фахівців в області менеджменту.

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 3 доктора економічних наук, 23 кандидата наук: 18 –економічних, 2 – технічних, 1 – фізико-математичних, 1 – педагогічних, 1 – наук з державного управління; 2 співробітника мають звання професора, 18 – доцента. Викладачі кафедри мають практичний міжнародний досвід та володіють англійською мовою, що дає змогу проводити навчання як українською, так і англійською мовами.

Переглянути

Фільтри

1993 - 19993

Налаштування

Початкова дата: 1993Кінцева дата: 1999

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 3 з 3
  • Ескіз
    Документ
    Низкотемпературная решеточная нестабильность SnTe
    (Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б. І. Вєркіна, 1999) Нащекина, Ольга Николаевна; Исакина, А. П.; Прохватилов, А. И.; Рогачева, Елена Ивановна; Федоренко, А. И.
    При нагреве в интервале 80–290 К получены температурные зависимости параметра элементарной ячейки a(Е) теллурида олова с различной степенью отклонения от стехиометрии. Для образца стехиометрического состава (50 ат. % Te) на зависимости a(T) в области 90–100 К обнаружена аномалия, по-видимому, соответствующая известному сегнетоэлектрическому фазовому переходу (ФП). При 50,4 ат. % Te в интервалах 135150 К и 200–215 К наблюдаются резко выраженные скачки параметра Δa/a ≈ 0,015), отвечающие отрицательному коэффициенту теплового расширения. При дальнейшем увеличении степени отклонения от стехиометрии (50,8 ат. % Te) указанные эффекты менее выражены. Неустойчивость кристаллической решетки в определенных температурных интервалах связывается с фазовыми переходами в подсистеме собственных дефектов – нестехиометрических вакансий, – обусловленными их перераспределением по катионной подрешетке при изменении температуры и состава. Выясняется роль релаксационных явлений в процессе перестройки дефектной подсистемы кристалла.
  • Ескіз
    Публікація
    Defects of non-stoichiometry and dynamic stability of SnTe crystal lattice
    (1993) Rogacheva, E. I.; Sinelnik, N. A.; Nashchekina, O. N.; Popov, V. P.; Lobkovskaya, T. A.
    The temperature dependencies of coefficient of linear expansion α in the range of 4.2-300 K were obtained for SnTe samples with various degrees of deviation from stoichiometry. For the sample of stoichiometric composition in the α vs. temperature curves the anomalies connected with ferroelectric phase transition were detected. It was found that within cubic phase existence region α isotherms have a minimum at 50.4 at.% Te. Maximum dynamic stability at indicated composition is believed to be associated with the formation of vacancy superstructure.
  • Ескіз
    Публікація
    Concentration anomalies of properties in Pb₁₋ₓGeₓTe solid solutions
    (1993) Rogacheva, E. I.; Sinelnik, N. A.; Nashchekina, O. N.
    The investigation of electrical conductivity, coefficient of thermal electromotive force, Hall coefficient, microhardness and mobility in Pb₁₋ₓGeₓΤe (x = 0 : 0.1) alloys in the temperature range of 77-300 K was carried out. Anomalies were detected in isotherms of properties in the vicinity of x = 0.008. The anomalies were treated as a manifestation of concentration phase transitions occurring in solid solutions of any kind and associated with existence of critical concentration (percolation threshold) at which the uninterrupted chain of interactions between impurity atoms is formed.