Кафедра "Промислова і біомедична електроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/5397

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/pbme

Від 2000 року кафедра має назву "Промислова і біомедична електроніка", первісна назва – "Промислова електроніка".

Кафедра "Промислова електроніка" виділилася як самостійна одиниця 9 жовтня 1963 року внаслідок розділу кафедри електрифікації промислових підприємств на дві самостійні. Ведення навчального процесу з дисципліни "Промислова електроніка" раніше було доручено кафедрі електрифікації промислових підприємств, де цю роботу очолив талановитий педагог та дослідник Олег Олексійович Маєвський.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту енергетики, електроніки та електромеханіки Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". Усього за шістьдесят років було підготовлено 8 докторів та 65 кандидатів технічних наук.

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 3 доктора технічних наук, 13 кандидатів технічних наук; 3 співробітника мають звання професора, 11 – доцента.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 5 з 5

Підвищення ефективності фотоелектричної станції на основі гібридних фотоенергетичних модулів
(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2016) Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Сокол, Євген Іванович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Прокопенко, Дмитро Сергійович
Проведено аналіз роботи фотоелектричної станції на основі гібридних фотоенергетичних модулів. На виявлених недоліків запропоновано схему відбору потужності на основі підвищуючого перетворювача. Розроблена принципова електрична схема регульованого мостового резонансного підвищуючого перетворювача з цифровим керуванням, що забезпечує надійність роботи, швидке і точне знаходження точки максимальної потужності і ефективність перетворення до 0,956. Проведено його реалізацію та апробації у складі фотоелектричної станції.
Моделювання теплообмінного блоку для PV/T системи
(ТОВ "Друкарня Мадрид", 2021) Зайцев, Роман Валентинович; Войтович, Ю. С.; Мінакова, Ксенія Олександрівна; Кіріченко, Михайло Валерійович; Стисло, Богдан Олександрович
Аналіз ефективності схем активного балансування акумуляторних батарей
(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2021) Стисло, Богдан Олександрович; Зайцев, Роман Валентинович; Мінакова, Ксенія Олександрівна; Кіріченко, Михайло Валерійович; Єресько, Олександр В'ячеславович
В роботі виконано огляд існуючих схемних рішень пристроїв для балансування акумуляторних батарей. Описано принцип балансування на основі ємнісного та індуктивного буферного елемента. Показано особливості їх роботи і основні розрахунки кожного з типів пристроїв. Для схем з трансформаторною топологією вказано розрахункові значення для визначення балансуючого струму. На підставі аналізу схемних рішень, чисельно визначено і доведено ефективність використання схемних рішень на основі індуктивних буферних елементів. Потужні акумуляторні батареї для систем електричного живлення використовуються у вигляді стеків, що складаються з послідовно-паралельного з’єднання одиничних накопичувачів. Під час їх експлуатації виникає проблема нерівномірного розряду або заряду, для компенсації якої необхідно виконувати балансування рівнів напруги в акумуляторах стеку. Безпека використання електрохімічних накопичувачів вимагає застосування спеціалізованих балансуючих пристроїв. Найбільш ефективними, з енергетичної точки зору, є системи активного балансування. Аналіз математичної моделі роботи двох типів буферних елементів (ємнісного та індуктивного) дозволив дати якісну оцінку їх ефективності. Перші, в порівнянні з індуктивними - не тільки мають гірші енергетичні характеристики, але і не дозволяють виконувати «масштабування» пристрою без істотного ускладнення системи управління. Амплітудне значення струму у схемах з ємнісним буферним елементом обмежене лише внутрішніми паразитними опорами елементів схеми, тому, при відносно великому значенні розбалансування, в елементах схеми (в тому числі акумуляторних батареях) виділяється значна величина енергії втрат у вигляді теплової енергії, що негативно позначається на параметрах акумуляторної батареї. Амплітудне значення струму в схемі на основі індуктивних буферних елементів обмежене величиною індуктивності. Воно може бути розраховане на етапі проектування пристрою. Крім того, забезпечення системою керування переривчастого режиму роботи перетворювача дозволяє зменшити комутаційні втрати в силових ключах схеми і дозволяє підвищити ефективність роботи в цілому. При великій кількості накопичувачів (більше трьох) слід віддати перевагу трансформаторним системам балансування, як окремого випадку індуктивної топології.
Синтез кестеритних шарів для тонкоплівкових сонячних елементів нової генерації
(НТУ "ХПІ", 2014) Сокол, Євген Іванович; Клочко, Наталя Петрівна; Кривошеєв, Сергій Юрійович; Момотенко, Олександра Віталіївна; Любов, Віктор Миколайович; Копач, Володимир Романович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Волкова, Неоніла Дмитрівна
Кестерит Cu₂ZnSnS₄ є прямозонним напівпровідником з оптимальною для перетворення сонячної енергії шириною забороненої зони, який містить доступні хімічні елементи і тому визнаний перспективним для масового виробництва тонкоплівкових сонячних елементів. Визначено найбільш сприятливі послідовності і атомні співвідношення компонентів електрохімічно осаджених прекурсорів, досліджено параметри кристалічної структури кестеритів, синтезованих в процесі сульфурізації прекурсорів.
Напівпровідникові шари сульфіду олова для тонкоплівкових сонячних елементів
(НТУ "ХПІ", 2014) Сокол, Євген Іванович; Клочко, Наталя Петрівна; Кривошеєв, Сергій Юрійович; Момотенко, Олександра Віталіївна; Любов, Віктор Миколайович; Копач, Володимир Романович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Волкова, Неоніла Дмитрівна
Представлена економічна і придатна для використання в масовому виробництві методика отримання моносульфіду олова з орторомбічною структурою герценбергіта шляхом сульфурізаціі в парах сірки плівок металу, електроосаджених зі стандартного електроліту олов'янування. Синтезований полікристалічний матеріал SnS є електронним напівпровідником з оптимальними для використання в сонячних елементах шириною забороненої зони і коефіцієнтом оптичного поглинання.