Кафедра "Фізика"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7578

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/tef

Кафедра "Фізика" створена у 2016 році шляхом об'єднання кафедри "Загальна та експериментальна фізика" і кафедри "Теоретична та експериментальна фізика", заснованої в 1972 році. .

У 1885 р. для викладання в інституті курсу фізики на посаду ад’юнкт-професора був запрошений магістр фізики приват-доцент Харківського університету Олександр Костянтинович Погорілко. У різні роки на кафедрі працювали видатні вчені-фізики: Пільчиков Н. Д., Латишев Г. Д., Обреїмов І. В., Пінес Б. Я., Ландау Л. Д., Корсунський М. І., Веркин Б. І., Дмитренко І. М., Базакуца В. А., Кулик І. О., Янсон І. К., Басс Ф. Г. Гуревич Ю. Г., Косевич В. М., Кукушкін Л. С. та ін.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора та 16 кандидатів фізико-математичних наук, 2 кандидата технічних наук, 1 кандидат педагогічних наук; 2 співробітника мають звання професора, 12 – доцента.

Переглянути

Фільтри

20122

Налаштування

Автор: search.filters.author.Багмут, Иван АлександровичКлючові слова: search.filters.subject.модификация моноклинная

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 2 з 2
  • Ескіз
    Документ
    Электронно-микроскопическое исследование тонкопленочных лазерных конденсатов HfO₂
    (Наука, 2012) Багмут, Александр Григорьевич; Багмут, Иван Александрович; Жучков, Василий Анатольевич; Шевченко, М. О.
    Методами просвечивающей электронной микроскопии и электронографии исследованы пленки диоксида гафния, полученные импульсным лазерным распылением Hf в атмосфере кислорода. Выявлены условия образования аморфной фазы, а также тетрагональной и моноклинной модификации HfO₂. На ориентирующих подложках кристаллическая фаза формируется при более низких температурах по сравнению с нейтральными подложками. Эффект эпитаксии проявляется для тетрагональной модификации HfO₂. При отжиге на воздухе аморфная пленка кристаллизуется с образованием моноклинной модификации HfO₂.
  • Ескіз
    Документ
    Фазовые превращения в пленках, осажденных лазерной абляцией Hf в атмосфере кислорода
    (Наука, 2012) Багмут, Александр Григорьевич; Багмут, Иван Александрович; Жучков, Василий Анатольевич; Шевченко, М. О.
    Изучены структура и фазовые превращения при отжиге пленок диоксида гафния, полученных импульсным лазерным распылением мишени Hf в атмосфере кислорода. Исследования проведены с помощью методов просвечивающей электронной микроскопии и электронографии. Установлено формирование аморфной, тетрагональной, ромбической и моноклинной фаз HfO₂. Для тетрагональной модификации HfO₂ проявляется эффект эпитаксии на подложке (001) KCl. При отжиге аморфной пленки как в вакууме, так и в воздушной атмосфере происходит ее кристаллизация с образованием моноклинной модификации HfO₂. Воздействие на аморфную пленку электронного луча в вакууме сопровождается образованием ромбической и моноклинной модификаций HfO₂. При переходе от ромбической к моноклинной модификации HfO₂ имеет место фазовый размерный эффект. На заключительном этапе кристаллизации доминирующей составляющей является моноклинная модификация, представленная дендритными кристаллами HfO₂.